我國集成電路核心裝備國產化在京獲重大進展。記者日前從北京經濟技術開發區獲悉,中芯國際北京廠使用國產設備加工的12寸正式產品晶圓加工突破一千萬片次,標志著集成電路國產設備在市場化大生產中得到充分驗證,國產設備技術和市場競爭力邁上了一個新臺階。
用發絲千分之一精度“蓋樓”
穿上淡粉色防塵衣帽,戴上口罩手套,雙腳套上鞋套,再進入風淋室經過2分鐘的清潔空氣吹淋后,記者進入了中芯國際二期生產線的潔凈室。
“這臺分片機,需要機械手臂精準、平穩地將晶片進行分發,并且不能有任何刮傷和微塵污染?!薄斑@臺中速離子植入機,是硅變成電晶體的一道重要工藝。”“這臺介質蝕刻機,負責根據設計‘吃掉’硅片上不需要的部分”……在潔凈室技術人員的講解下,一臺臺國產裝備進入了記者視線。
經過多年的研發以及反復驗證、調試,它們如今與代表集成電路最先進制造水平的國外“同行”們站立在一起,擔負起芯片制造的一項項關鍵工序。
在中芯國際工作多年的老人兒都清晰記得,十多年前中芯國際在京投產時,大到生產線設備,小到螺母、螺絲釘,都是進口的。
國產設備進芯片生產線,為何這么難?“好比要在晶片上蓋四十多層高樓,不同的是每一層樓都需要以頭發絲千分之一的精確度描繪出來?!敝行颈狈礁笨偨浝韽堦空f。一顆只有幾毫米寬的芯片上,肉眼看不到的是其背后極大的精確度和復雜度——每個芯片上有很多層,而每一層上面的晶體管和電路如果排成一根直線,有數百米長。在這里,一張張硅片經過光刻、掩膜、光照、離子注入、熱處理等數百道工序后,才能變成芯片。而任何一道工序中但凡出現一點差錯,就會失之毫厘,謬以千里。
正是由于工藝制造的高精度和復雜度,芯片生產需要機械、電子、軟件、控制、材料等多個學科的配合。集成電路生產線上刻蝕機、氧化機、薄膜、光刻、離子注入等設備,一直都由歐美日少數公司掌握。而如今,從2008年至今短短幾年時間,一些國產材料和大型裝備正在逐漸進入這條全國最先進的集成電路生產線。
聯合攻關縮短國際差距
中國芯中國造,是多年來中國高端制造領域亟待攻克的難題。
“一個城市的普通家庭有約100顆芯片。”北京經濟技術開發區管委會主任、國家科技重大專項02專項實施管理辦公室主任梁勝多年前就曾用這樣一個比喻來形容集成電路在人們生活中無處不在的重要性。而今,100顆這個數字有增無減。智能手機、空氣凈化器、移動WiFi、高清電視、智能攝像頭、聲控燈……沒有了芯片,所有這些讓你生活便利的智能設備全都不可能實現。
小到人們的智能生活,大到國家信息安全能力,都與芯片以及制造芯片的核心裝備們息息相關?!皣庖患掖笮脱b備廠商一個季度的產值,就比中芯國際一年產值還要高得多?!睆堦恳灿靡粋€數字來解釋裝備制造在整個集成電路產業鏈中的重要地位。
2008年,國家科技重大專項02專項成立,組織“產學研”聯合開發,由行業的龍頭企業中芯國際等牽頭,向世界上最先進的40納米和28納米芯片技術節點攻關,并推動裝備國產化。北京市作為組織牽頭單位,對項目承擔單位予以資金扶持。更為重要的,02專項讓中芯國際、北方微電子、七星華創(北方微電子、七星華創后重組為“北方華創”)、中科信公司等產業鏈的上下游企業站在了一起。
對于國產設備的“天然實驗室”——中芯國際的生產線來說,過去購買進口設備,維修和調試都由有豐富經驗的國外設備公司承包。為了使用國產設備,攻關小組得邊干邊學,不停監測設備在生產過程中的各種問題。同時,為加速裝備國產化進程,作為“客戶”的中芯國際開始與多家國產設備商聯合研發,在設備設計、研發過程中就充分根據大生產環節的需求進行,而非閉門造車、單打獨斗。
“在科研上,以往的探索式研究只需要單點突破,一百次嘗試有一次成功就可以宣告成功了?,F在要提供大生產技術,必須一百次都成功?!睆堦刻寡試a化之路的艱辛。
2010年,國產設備開始進入中芯國際北京生產廠區。從2012年到2016年,使用國產設備加工的產品數量經歷了0片次、2700片次、14萬片次、110萬片次、1000萬片次的幾何式增長。
開發區集成電路產業的集聚,成為了高端制造裝備國產化的天然推動力。就拿坐落在中芯國際北京廠街對面的“鄰居”北方華創來說,其成功開發了以刻蝕設備、化學氣相沉積設備、物理氣相沉積設備三大類半導體裝備產品為基礎的20余類產品,成功替代了國外廠商同類產品。“設備一有什么問題,設備商的工程師就能過來,雙方的合作溝通完全零時差。”中芯國際工程師說。
北京經濟技術開發區負責人介紹,隨著集成電路國產設備在市場化大生產中得到充分驗證,我國集成電路制造產業與國外最先進水平的差距縮短了至少五年。
國產化可助成本降兩成
突破國際壟斷、提升自主創新能力,帶來的是實打實的效益。張昕透露,雖然目前設備國產化仍處于初期,需要投入大量人力、財力、物力,但隨著國產設備大量投入使用,將使得我國芯片制造的設備采購成本降低25%左右。
業內專家透露,集成電路技術40多年來一直按照摩爾定律規律發展,即每隔18個月技術更新一代。每一代技術的更新可使芯片集成度提高1倍,電路性能提高40%。