關于集成電路測試

　　檢測之前要做的工作就是要充分了解集成電路的工作原理。要熟悉它的內部電路，主要參數指標，各個引出線的作用及其正常電壓。第一部工作做的好，后面的檢查就會順利很多。 集成電路很敏感，所以測試的時候要注意不要引起引腳之間的短路，任何一瞬間的短路都能被捕捉到，從而造成集成電路燒壞。另外，如果沒有隔離變壓器時，是嚴禁用已經接地的測試設備去碰觸底盤帶電的設備，因為這樣容易造成電源短路，從而波及廣泛，造成故障擴大化。焊接時，要保證電烙鐵不帶電，焊接時間要短，不堆焊，這樣是為了防止焊錫粘連，從而造成短路。但是也要確定焊牢，不允許出現虛焊的現象。在有些情況下，發現多處電壓發生變化，此時不要輕易下結論就是集成電路已經壞掉了。要知道某些故障也能導致各個引腳電壓測試下來與正常值一樣，這時候也不要輕易認為集成電路就是好的。 集成電路的工作環境要求有良好的散熱性，不帶散熱器并且大功率工作的情況只能加速集成電路的報廢。集成電路其實很靈活，當其內部有部分損壞時，可以加接外圍小型元器件來代替這已經損壞的部分，加接時要注意接線的合理性，以防造成寄生耦合。

　　集成電路的檢測（IC test）：

　　分為wafer test（晶圓檢測）、chip test（芯片檢測）和package test（封裝檢測）。

　　wafer test是在晶圓從晶圓廠生產出來后，切割減薄之前的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發制造或定制的，一般是將晶圓放在測試平臺上，用探針探到芯片中事先確定的檢測點，探針上可以通過直流電流和交流信號，可以對其進行各種電氣參數檢測。

　　對于光學IC，還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。

　　wefer test主要設備：探針平臺。

　　wefer test輔助設備：無塵室及其全套設備。

　　wefer test是效率最高的測試，因為一個晶圓上常常有幾百個到幾千個甚至上萬個芯片，而這所有芯片可以在測試平臺上一次性檢測。

　　chip test是在晶圓經過切割、減薄工序，成為一片片獨立的chip之后的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發制造或定制的，一般是將晶圓放在測試平臺上，用探針探到芯片中事先確定的檢測點，探針上可以通過直流電流和交流信號，可以對其進行各種電氣參數檢測。chip test和wafer test設備最主要的區別是因為被測目標形狀大小不同因而夾具不同。

　　對于光學IC，還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。

　　chip test主要設備：探針平臺（包括夾持不同規格chip的夾具）

　　chip test輔助設備：無塵室及其全套設備。

　　chip test能檢測的范圍和wafer test是差不多的，由于已經經過了切割、減薄工序，還可以將切割、減薄工序中損壞的不良品挑出來。但chip test效率比wafer test要低不少。

　　package test是在芯片封裝成成品之后進行的檢測。由于芯片已經封裝，所以不再需要無塵室環境，測試要求的條件大大降低。

　　一般package test的設備也是各個廠商自己開發或定制的，通常包含測試各種電子或光學參數的傳感器，但通常不使用探針探入芯片內部（多數芯片封裝后也無法探入），而是直接從管腳連線進行測試。

　　由于package test無法使用探針測試芯片內部，因此其測試范圍受到限制，有很多指標無法在這一環節進行測試。但package test是最終產品的檢測，因此其檢測合格即為最終合格產品。

　　IC的測試是一個相當復雜的系統工程，無法簡單地告訴你怎樣判定是合格還是不合格。

　　一般說來，是根據設計要求進行測試，不符合設計要求的就是不合格。而設計要求，因產品不同而各不相同，有的IC需要檢測大量的參數，有的則只需要檢測很少的參數。

　　事實上，一個具體的IC，并不一定要經歷上面提到的全部測試，而經歷多道測試工序的IC，具體在哪個工序測試哪些參數，也是有很多種變化的，這是一個復雜的系統工程。

　　例如對于芯片面積大、良率高、封裝成本低的芯片，通常可以不進行wafer test，而芯片面積小、良率低、封裝成本高的芯片，最好將很多測試放在wafer test環節，及早發現不良品，避免不良品混入封裝環節，無謂地增加封裝成本。

　　IC檢測的設備，由于IC的生產量通常非常巨大，因此向萬用表、示波器一類手工測試一起一定是不能勝任的，目前的測試設備通常都是全自動化、多功能組合測量裝置，并由程序控制，你基本上可以認為這些測試設備就是一臺測量專用工業機器人。

　　IC的測試是IC生產流程中一個非常重要的環節，在目前大多數的IC中，測試環節所占成本常常要占到總成本的1/4到一半。

　　集成電路芯片測試流程是將封裝后的芯片置于各種環境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據客戶特殊需求的技術參數，從相近參數規格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設計專用芯片。經一般測試合格的產品貼上規格、型號及出廠日期等標識的標簽并加以包裝后即可出廠。而未通過測試的芯片則視其達到的參數情況定作降級品或廢品。以下是集成電路芯片測試流程解析：

　　在必備原材料的采集工作完畢之后，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。作為最主要的原料，硅的處理工作至關重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。為了使這些硅原料能夠滿足集成電路制造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然后將液態硅注入大型高溫石英容器來完成的。

　　而后，將原料進行高溫溶化為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然后從高溫容器中采用旋轉拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的，不過只要企業肯投入大批資金來研究，還是可以實現的。intel為研制和生產300毫米硅錠建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術的成功使得intel可以制造復雜程度更高，功能更強大的集成電路芯片，200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹芯片的制造過程。