CEVA首席執行官Gideon Wertheizer評論說：“我們很高興地宣布翱捷科技選擇在其SoC中部署多種CEVA技術，這肯定了我們作為視覺、語音、蜂窩和連接的一站式IP企業的價值定位。我們期待與翱捷科技建立長期成功的合作關系，助力他們應對新興的智能手機和IoT市場。”

4.「阿丘科技」完成800萬美元A輪融資，DCM和百度風投領投；

36氪今日獲悉，此前報道過的高科技創業公司阿丘科技（Aqrose）已完成800萬美元A輪融資，由DCM、百度風投（BV）領投，長石資本和天使輪投資機構跟投。 本輪融資將主要用于擴充研發和市場人員，以及打造工業機器人的視覺技術平臺。 此前，阿丘科技獲得英諾天使和臻云創投的千萬元天使輪投資。

阿丘科技主要專注于CV & Robotics 底層技術的研發，并有兩條主要的業務線——基于機器學習的視覺檢測系統，和基于3D視覺的智能分揀系統。 在成立不到一年的時間內，阿丘科技將這些技術在多個場景中落地。

創始人黃耀表示，公司將繼續加大機器學習、3D視覺和Robotics等基礎技術的研發和儲備。 短期內聚焦質檢和分揀兩大業務線，重點應用于3C電子、汽車零部件和物流三大領域。 長遠來看，堅持以視覺為切入點，將AI和機器人結合，去探索和擴展機器人應用的邊界。

DCM董事合伙人曾振宇表示，DCM長期看好利用技術來提高生產效率的大方向。 DCM很榮幸和阿丘合作，共同探索用人工智能改造傳統行業的商業模式。 百度風投（BV）CEO劉維表示，機器視覺作為AI大腦的核心信息來源，推動著AI不斷開疆拓土。 阿丘作為一家專注于工業機器人視覺技術的前沿科技公司，將大大拓展工業機器人的適用范圍，也為工業機器人生態的發展補上一塊關鍵短板。

阿丘科技創始團隊來自清華人工智能實驗室，近期也吸引了多名行業資深人才加盟。 目前已在昆山、深圳設立辦公室，期待更多計算器視覺、機器人等領域專業人才加入，一起去推動AI技術在自動化及機器人領域的應用。

5.湖南8家集成電路企業獲超5.1億元意向投資；

1月18號，湖南省集成電路產業優秀科技創新企業投融資路演會在省科技廳舉行。

湖南省集成電路設計與應用產業技術創新戰略聯盟內的進芯電子、天羿領航、邁克森偉電子等8家企業參加路演，獲得意向投資金額5.1億元。據悉，依托產業技術創新戰略聯盟開展投融資路演，在湖南省尚屬首次。

根據湖南在集成電路產業方面的規劃，起步階段（2015-2017年），湖南將重點扶持2-3家集成電路龍頭企業，培育一批以工業控制、軌道交通、數字電視、汽車電子、衛星導航芯片為主業的集成電路企業。

而在發展階段（2017-2020年），將建成擁有國際先進水平的集成電路特色工藝生產基地。通過制造、設計和市場的聯動，推動至少8家集成電路公司上市，實現產業產值突破400億元，成為國家重點集成電路產業基地。

據了解，近年來，湖南省集成電路產業復合增長率達到50%以上，已初步形成以芯片設計和IGBT為特色的長沙、株洲兩大產業集聚區，目前已涵蓋集成電路設計、制造、封測、設備以及材料等產業鏈各環節。

6.半導體所等在拓撲激子絕緣體相研究中取得進展

上世紀60年代，諾貝爾獎獲得者Mott提出激子絕緣相，Mott提出考慮庫侖屏蔽效應，在半金屬體系中電子-空穴配對而形成激子，可能會導致體系失穩，從而在半金屬費米面處打開能隙，形成激子絕緣體狀態。但迄今為止，實驗上觀測激子絕緣體相是一個尚未完全解決的關鍵科學問題。激子絕緣體相存在及其玻色-愛因斯坦凝聚的確鑿證據并不充分，主要是由于激子的壽命較短，帶來觀測上的困難。

InAs/GaSb半導體量子阱系統是重要的紅外探測器體系，其能帶結構獨特，本征情況下會自發形成空間分離的二維電子氣和空穴氣。由于其電子、空穴的空間分離，激子壽命變長，為研究激子絕緣體提供了良好的平臺。在InAs/GaSb半導體量子阱中，通過調節InAs和GaSb層厚，可使GaSb層的價帶頂高于InAs層的導帶底，體系中可以自發地形成局域于InAs層的電子氣和局域于GaSb層的空穴氣，兩者在實空間分離。美國斯坦福大學張首晟研究組的理論工作證明，InAs/GaSb量子阱的基態是二維量子自旋霍爾絕緣體；美國萊斯大學/北京大學杜瑞瑞實驗組在該系統中觀察到拓撲邊緣態的輸運，并發現邊緣態輸運即使在強磁場下仍能保持。

如果考慮電子-空穴間的庫侖作用，即當激子束縛能大于體系的雜化能隙時，理論上猜想該體系基態形成如Mott預言的激子絕緣體相甚至拓撲激子絕緣相。美國萊斯大學/北京大學杜瑞瑞實驗組、美國萊斯大學大學Kono實驗組和中國科學院半導體研究所常凱理論組，從實驗和理論兩方面研究InAs/GaSb量子阱中的激子絕緣相。研究員常凱、副研究員婁文凱構造了平行磁場下激子的多帶量子多體理論模型，研究激子絕緣相的基態及其獨特的色散，發現激子的基態是處于有限動量處的暗激子。在低溫且低電子-空穴對密度情形下，體系打開類似BCS超導體中的能隙。通過研究激子的色散關系，提出利用太赫茲透射譜來驗證激子絕緣體的存在，指出太赫茲透射譜表現為兩個吸收峰，理論計算預言的吸收峰位與實驗一致，為激子絕緣相光學觀測提供了理論依據。

相關研究成果發表在Nature Communications上。

（a）InAs/GaSb量子阱能譜圖；（b）實驗裝置示意圖；（c）激子絕緣體色散關系；（d）激子絕緣體聯合態密度；（e）THz吸收譜；（f）-（h） THz吸收譜：固定磁場不同溫度（f），固定溫度不同磁場（f，h）；（i）帶隙與溫度關系；（j）測量縱向電導與門電壓之間關系；（k）不同磁場強度下InAs/GaSb能譜結構。?