在2016年慕尼黑電子展會(huì)上，富士通電子零件董事總經(jīng)理王峰重點(diǎn)介紹了富士通靜音性能可做到45dB以下的汽車(chē)級(jí)繼電器、新電元的2KW小型化車(chē)用DC-DC轉(zhuǎn)換器、能夠快速讀寫(xiě)的FRAM、索喜科技的汽車(chē)虛擬儀表盤(pán)開(kāi)發(fā)套件、Transphorm的GaN功率模塊、以及Rubycon（紅寶石）的電解電容產(chǎn)品。
王總最驕傲的就是富士通的繼電器產(chǎn)品。他說(shuō)：“在繼電器市場(chǎng)，我們可以說(shuō)是百年老店了。從1917年開(kāi)始，富士通就進(jìn)入了繼電器行業(yè)，并一直在努力提升繼電器產(chǎn)品的系列化、小型化、滅弧性能和可靠性。80、90年代，富士通率先做出了用于手機(jī)的小型繼電器。在高檔汽車(chē)市場(chǎng)，富士通的靜音繼電器可以做到45dB以下，而其他廠(chǎng)商的產(chǎn)品都是50dB以上。到今天，富士通繼電器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于車(chē)載控制、工業(yè)控制、綠色能源、以及通信應(yīng)用市場(chǎng)。”
目前，富士通的繼電器在解決新能源汽車(chē)快速充電時(shí)的滅弧方面非常有優(yōu)勢(shì)。富士通在這方面已經(jīng)有很多的國(guó)際專(zhuān)利，這也是富士通的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
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圖1：富士通電子零件董事總經(jīng)理王峰
富士通FRAM與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，具有高速讀寫(xiě)（EEPROM的4萬(wàn)倍）、高讀寫(xiě)耐久性（EEPROM的1百萬(wàn)倍）和低功耗（EEPROM的千分之一）等優(yōu)勢(shì)。FRAM的高速讀寫(xiě)性能可以確保實(shí)時(shí)存儲(chǔ)，幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決突然斷電時(shí)數(shù)據(jù)丟失的問(wèn)題；高耐久性可以實(shí)現(xiàn)頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài)；低功耗主要指讀寫(xiě)操作功耗低。
這些優(yōu)勢(shì)使得FRAM越來(lái)越多地被需要高可靠性的應(yīng)用市場(chǎng)所采用，比如計(jì)量?jī)x表（三相電表以及水表、氣表等）、電力自動(dòng)化、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車(chē)后裝設(shè)備、POS機(jī)/金融ATM機(jī)等等。
此外，F(xiàn)RAM不僅可以作為單獨(dú)的元器件，而且還通過(guò)帶有FRAM的RFID IC進(jìn)入到醫(yī)療領(lǐng)域。例如，RFID標(biāo)簽可用于控制和鑒定醫(yī)療設(shè)備、產(chǎn)品和藥物。一些RFID標(biāo)簽制造商和系統(tǒng)制造商已經(jīng)把帶有FRAM的RFID標(biāo)簽在醫(yī)療領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商用，在醫(yī)療設(shè)備和生物藥品上得到使用。在該領(lǐng)域，富士通FRAM更是品質(zhì)保證的象征。
富士通在FRAM領(lǐng)域耕耘超過(guò)15年，自1999年開(kāi)始量產(chǎn)，控制著FRAM的整體開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序，加上多年的經(jīng)驗(yàn)，能始終保證FRAM產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。在本次展會(huì)上富士通將介紹FRAM全系列產(chǎn)品和FRAM RFID產(chǎn)品線(xiàn)。
在本次展會(huì)上，富士通還展示了代理的索喜科技的車(chē)用高性能圖形處理芯片MB86R24“Triton-C”、以及基于Triton-C芯片開(kāi)發(fā)的Triton全虛擬儀表盤(pán)開(kāi)發(fā)套件。MB86R24“Triton-C”采用ARM雙核Cortex A9 CPU，專(zhuān)門(mén)為車(chē)載儀表設(shè)計(jì)的獨(dú)立2D引擎（Iris）和3D引擎（Open GL），支持3路顯示輸出，最大分辨率達(dá)到1920*720，內(nèi)部支持6路視頻捕捉，采用eSOL操作系統(tǒng)，完整的軟硬件開(kāi)發(fā)平臺(tái)可以縮短開(kāi)發(fā)周期。
富士通還展示了日本新電元（Shindengen）開(kāi)發(fā)的2KW和600W TW-78S DC-DC車(chē)載功率轉(zhuǎn)換器。通過(guò)高效率化與銅基板模塊，該轉(zhuǎn)換器對(duì)輸出容量實(shí)現(xiàn)了超群的小型化，以及與以前封裝同等成本的模塊化。它采用可定制自產(chǎn)半導(dǎo)體，通過(guò)耐壓FET（例如420V、550V等）、防噪聲芯片達(dá)到最佳設(shè)計(jì)。由于運(yùn)用了高散熱性模塊與磁性偏壓技術(shù)，具有最大電流轉(zhuǎn)換功能，能夠應(yīng)對(duì)超出額定電流時(shí)瞬間超負(fù)荷。利用防止逆流回路，即使在輸入低電壓時(shí)或輕負(fù)載時(shí)，也可繼續(xù)同步整流作用。該轉(zhuǎn)換器已在Accord HEV上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
富士通代理的Transphorm是一家設(shè)計(jì)、生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換器和模塊的領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商，其產(chǎn)品應(yīng)用于電源、功率適配器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器以及電動(dòng)車(chē)輛等領(lǐng)域。Transphorm符合JEDEC的制程與富士通的基礎(chǔ)技術(shù)進(jìn)行整合后，使用富士通福島會(huì)津工廠(chǎng)的6寸CMOS制程生產(chǎn)，為硅芯片制造提供多項(xiàng)關(guān)鍵功能的提升，保證了GaN電源器件解決方案產(chǎn)品線(xiàn)進(jìn)入可靠的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。
Transphorm的GaN HEMT器件采用獨(dú)有結(jié)構(gòu)，除了擁有比MOSFET更快的開(kāi)關(guān)性能外，還因?yàn)楣ぷ黝l率的提高，降低了其電容和電阻的尺寸。更重要的是，在此提高頻率的同時(shí)，效率并不會(huì)受到影響。無(wú)論是正向?qū)ǖ臇艠O電荷還是Qrr，Transphorm的GaN HEMT較其他產(chǎn)品都有明顯的優(yōu)勢(shì)。得益于其優(yōu)越的性能，Transphorm的GaN HEMT成為全球首款也是唯一獲得JEDEC認(rèn)證的600 V GaN器件。
Rubycon鋁質(zhì)電解電容可以說(shuō)是業(yè)內(nèi)第一品牌，與同類(lèi)名牌產(chǎn)品相比，Rubycon產(chǎn)品具有低阻抗、高紋波、長(zhǎng)壽命等特點(diǎn)，特別適用于可靠性、穩(wěn)定性方面都要求較高的電子線(xiàn)路。應(yīng)用市場(chǎng)包括：醫(yī)療器械、閃光燈、電子節(jié)能燈、電子整流器、電能表、通訊產(chǎn)品、開(kāi)關(guān)電源、家用電器、光伏電源等。
王總介紹道，富士通繼電器的銷(xiāo)售額目前占到富士通總銷(xiāo)售收入的近50%，其他50%分別來(lái)自觸摸屏、熱敏打印機(jī)、藍(lán)牙模塊和一些高速連接器。例如醫(yī)療設(shè)備上用的觸摸屏，打印心電圖的熱敏打印機(jī)，同時(shí)，醫(yī)療設(shè)備還需要藍(lán)牙模塊來(lái)傳輸數(shù)據(jù)。再比如應(yīng)用在B超中的高速連接器，其銅線(xiàn)的傳輸數(shù)率可達(dá)到10G。