晶體管的電參數，在常規(guī)情況下可分為極限參數、直流參數(DC)、交流參數(AC)等。但在實際的使用中，我發(fā)現還有許多想測而無法測量到的參數，為使工作方便，我便稱其為“功能參數”。分別述之：

　　一、極限參數

　　所謂極限參數，是指在晶體管工作時，不管因何種原因，都不允許超過的參數。這些參數常規(guī)的有三個擊穿電壓(BV)、最大集電極電流(Icm)、最大集電極耗散功率(Pcm)、晶體管工作的環(huán)境(包括溫度、濕度、電磁場、大氣壓等)、存儲條件等。在民用電子產品的應用中，基本只關心前三個。

　　1、 晶體管的反向擊穿電壓

　　定義：在被測PN結兩端施加連續(xù)可調的反向直流電壓，觀察其PN結的電流變化情況，當PN結的反向電流出現劇烈增加時，此時施加到此PN結兩端的電壓值，就是此PN結的反向擊穿電壓。

　　每個晶體管都有三個反向擊穿電壓，分別是：基極開路時集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓(BVceo)、發(fā)射極開路時集電極—基極反向擊穿電壓(BVcbo)和集電極開路時基極—發(fā)射極反向擊穿電壓。

　　此電參數對工程設計的指導意義是：決定了晶體管正常工作的電壓范圍。

　　由此電參數的特性可知，當晶體管在工作中出現擊穿狀態(tài)，將是非常危險的。因此，在設計中，都給晶體管工作時的電壓范圍，留有足夠的余量。實際上，當晶體管長期工作在較高電壓時(晶體管實測值的60%以上)，其晶體管的可靠性將會出現數量級的下降。有興趣的可以參考《電子元器件降額準則》。

　　許多公司在對來料進行入庫檢驗時發(fā)現，一些品種的反向擊穿電壓實測值要比規(guī)格書上所標的要大出許多。這是怎么回事呢?

　　晶體管在生產制造過程中，與一些我們常見的生產完全不一樣。在晶體管的生產過程中，可以分成二大塊：芯片制造和封裝。在工程分類中，習慣把芯片制造統稱為 “前道”，而把封裝行業(yè)統稱為“后道”。在前道生產中，從投料開始選原材料，到芯片出廠，一切控制數據，給出的都是范圍。芯片在正常生產時，投料的最小單位是“編號批”，每批為24或25片4英寸到8英寸直徑的園片。就以4寸片為例，每片可出合格的晶體管只數少則上千，多則可近10萬。在實際生產中，最小生產單位是“擴散批”，一個擴散批所投的園片從150片到250片之間。可以想象出，在芯片的前道生產中，每次投料，對以單只來計算的晶體管而言，是一個什么樣的數量概念。不說別的，要讓一個擴散批所有的材料，具有相同的電特性(這里，也可以說是硅片的電阻率)，是不可能的。加上硅片中，不可避免的會有一些固有的缺陷(半導體晶格的層錯和位錯)，使得在幾乎相同環(huán)境中生產出的同一品種的晶體管，不可能具有完全相同的電特性。這樣只能給出一個大家都能接受的范圍，這就是產品規(guī)格書。

　　為了提高生產效率，現在許多芯片廠都把芯片的“免測率”作為生產線工序能力的一項重要考核指標。所謂的“免測”，是指產品的參數靠設計、工序控制來達到，加工結束后，通過抽測部分相關點的參數，來判斷此片的質量情況。當此片的抽測合格率在96%以上時，就把此片芯片列入“免測片”。要使晶體管芯片達到免測試，就必須對其中的一些參數進行“余量放大”。而晶體管的反向擊穿電壓就是重點之一。為了提高晶體管的反射擊穿電壓，芯片投料時，就會對材料進行優(yōu)化，優(yōu)化的考慮是在最差的工藝加工情況下，所生產出的晶體管反向擊穿電壓也要比規(guī)格書高10~20%，而在生產控制時，為了達到生產工藝設計時的指標，又會考慮在最差的情況下，使產品能夠達到設計要求，這樣，就使已經被放大過一次的指標再次被大10~20%。這樣，就使原來只要求反向擊穿電壓達到20~30V的晶體管，在實測時，部分就能達到60V以上，甚至更高。這就是為什么有時一些晶體管的反向擊穿電壓實測值會遠大于規(guī)格書的原因。盡管一些晶體管的反向擊穿電壓值遠大于規(guī)格書，那么，是否就可以以實測值來作為使用的依據呢?回答是否定的。

　　這是因為，所有的晶體管測試程序，都是以規(guī)格書上所提供的參數范圍，來作為差別晶體管合格與否的標準。對反向擊穿電壓而言，只要比規(guī)格書上所規(guī)定的值大，就判為合格。如果你測量到的反向擊穿電壓要遠高于規(guī)格書，不要以為供應商以后發(fā)給你的貨，都是具有與此相同的電壓特性，供應商所提供的商品，永遠只會承諾以規(guī)格書為準，也只能是以規(guī)格書為準提供商品。規(guī)格書上所承諾的，是實際的，而其它，都是虛的。因此，建議在設計選型時，一定要以規(guī)格書為準，并留下足夠的余量，而不是以實物的測試值為準。

　　在一些高反壓晶體管的規(guī)格書上，有些反向擊穿電壓以BVcer和BVcbr來表述。此種表述的含義是：

　　BVcer ——基極與發(fā)射極之間，接有一只KΩ量綱的電阻，其它測試原理、測試條件與BVceo相同。同樣，BVcbr在測試晶體管的C-B結的反向擊穿電壓時，其晶體管的發(fā)射極不是懸空，而是通過一只KΩ量綱的電阻接到“零電位”。晶體管的反向擊穿電壓高低的排列是： BVcbo≥BVcbr>BVcer>BVceo。