電容的選擇：
C=（2.5-5倍）×10的負(fù)8次方×IF
1F=1000Uf?1Uf=1000nF?1Nf=1000pf
If=0.367Id
Id-直流電流值
如果整流側(cè)采用500A的晶閘管（可控硅）可以計(jì)算
C=（2.5-5）×10的負(fù)8次方×500=1.25-2.5F 選用2.5F，1kv 的電容器
電阻的選擇：
R=（（2-4） ×535）/If=2.14-8.56 選擇10歐
PR=（1.5×（pfv×2πfc）的平方×10的負(fù)12次方×R）/2Pfv=2u（1.5-2.0）
u=三相電壓的有效值
RC的時(shí)間常數(shù)一般情況下取1~10毫秒。
小功率負(fù)載通常取2毫秒左右，R=220歐姆1W，C=0.01微法400~630V。
大功率負(fù)載通常取10毫秒，R=10歐姆10W，C=1微法630~1000V。
R的選取：小功率選金屬膜或RX21線(xiàn)繞或水泥電阻；大功率選RX21線(xiàn)繞或水泥電阻。
C的選取：CBB系列相應(yīng)耐壓的無(wú)極性電容器。
看保護(hù)對(duì)象來(lái)區(qū)分：接觸器線(xiàn)圈的阻尼吸收和小于10A電流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范疇；接觸器觸點(diǎn)和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范疇。