另外，關于難以制造p型半導體這一點，使用β-Ga2O3來制作功率元件時，可以將其用作N型半導體，因此也不是什么問題。而且，通過摻雜Sn及Si等施主雜質，可在電子濃度為1016～1019cm-3的大范圍內對N型傳導特性進行控制（圖2）。
圖2：N型傳導特性的控制范圍大
使用β-Ga2O3時，可在大范圍內控制N型傳導性。實際上，通過摻雜施主雜質，可在1016～1019cm-3范圍內調整電子密度。
難以制造p型半導體 - 氧化鎵制造功率元件，比SiC更出色？
2012年04月18日 08:47 本站整理 作者：秩名 用戶評論（0）
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- 第 2 頁：比SiC及GaN更為出色的性能
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( 發表人：電子大兵 )