關于晶體振蕩器，通常使用其簡稱-晶振，這是一種機電的具體器件，是使用電損耗比較小的石英晶體經過仔細的切割和磨削，并且還要鍍電極焊上的引線才可以做成。

晶體振蕩器其實就是屬于時鐘電路中的一個比較重要的部件，它的具體作用就是提供基準頻率向顯卡、網卡和主板等一些相關的配件的不同部分，它其實就像一把標尺，如果它的工作頻率是不穩定的，那就會造成一些相關設備的工作頻率也變得有些不穩定，自然而然這樣就容易出現一些問題。目前由于鍛造技術的提高，現在晶體振蕩器的頻率偏差、溫度的穩定性和老化率等技術的指標都十分好，出現故障已經不那么容易了，但在使用的時候還需要注意晶體振蕩器的質量。

晶體振蕩器技術指標

1、總頻差：在規定的時間內，由于規定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的最大頻差。

說明：總頻差包括頻率溫度穩定度、頻率溫度準確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩定度和頻率負載穩定度共同造成的最大頻差。一般只在對短期頻率穩定度關心，而對其他頻率穩定度指標不嚴格要求的場合采用。例如：精密制導雷達。

2、頻率溫度穩定度：在標稱電源和負載下，工作在規定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度或帶隱含基準溫度的最大允許頻偏。

fT=±（fmax-fmin）/（fmax+fmin）

fTref =±MAX［|（fmax-fref）/fref|，|（fmin-fref）/fref|］

fT：頻率溫度穩定度（不帶隱含基準溫度）

fTref：頻率溫度穩定度（帶隱含基準溫度）

fmax ：規定溫度范圍內測得的最高頻率

fmin：規定溫度范圍內測得的最低頻率

fref：規定基準溫度測得的頻率

說明：采用fTref指標的晶體振蕩器其生產難度要高于采用fT指標的晶體振蕩器，故fTref指標的晶體振蕩器售價較高。

3、頻率穩定預熱時間：以晶體振蕩器穩定輸出頻率為基準，從加電到輸出頻率小于規定頻率允差所需要的時間。

說明：在多數應用中，晶體振蕩器是長期加電的，然而在某些應用中晶體振蕩器需要頻繁的開機和關機，這時頻率穩定預熱時間指標需要被考慮到（尤其是對于在苛刻環境中使用的軍用通訊電臺，當要求頻率溫度穩定度≤±0.3ppm（-45℃～85℃），采用OCXO作為本振，頻率穩定預熱時間將不少于5分鐘，而采用DTCXO只需要十幾秒鐘）。

4、頻率老化率：在恒定的環境條件下測量振蕩器頻率時，振蕩器頻率和時間之間的關系。這種長期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規定時限后的最大變化率（如±10ppb/天，加電72小時后），或規定的時限內最大的總頻率變化（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））來表示。

說明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情況，TCXO很少采用每天頻率老化率的指標，因為即使在實驗室的條件下，溫度變化引起的頻率變化也將大大超過溫度補償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個指標失去了實際的意義）。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb～±10ppb/天（加電72小時后），±30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。

5、頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準電壓調到規定的終點電壓，晶體振蕩器頻率的最小峰值改變量。

說明：基準電壓為+2.5V，規定終點電壓為+0.5V和+4.5V，壓控晶體振蕩器在+0.5V頻率控制電壓時頻率改變量為-110ppm，在+4.5V頻率控制電壓時頻率改變量為+130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm（2.5V±2V）。

6、壓控頻率響應范圍：當調制頻率變化時，峰值頻偏與調制頻率之間的關系。通常用規定的調制頻率比規定的調制基準頻率低若干dB表示。

說明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應為0～10kHz。

7、頻率壓控線性：與理想（直線）函數相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分數表示整個范圍頻偏的可容許非線性度。

說明：典型的VCXO頻率壓控線性為：≤±10%，≤±20%。簡單的VCXO頻率壓控線性計算方法為（當頻率壓控極性為正極性時）：頻率壓控線性=±（（fmax-fmin）/ f0）×100%

fmax：VCXO在最大壓控電壓時的輸出頻率

fmin：VCXO在最小壓控電壓時的輸出頻率

f0：壓控中心電壓頻率

8、單邊帶相位噪聲￡（f）：偏離載波f處，一個相位調制邊帶的功率密度與載波功率之比。