雙向可控硅觸發電路圖四：
如下圖所示，當電網電壓小于220V時，雙向可控硅SCR2控制極上的電壓也隨電網電壓減小而降低，致使VD2導通角小，C1端電壓上升，從而使雙向可控硅SCRl控制極電壓升高，使輸出電壓上升。反之，輸出電壓下降，達到穩壓。
雙向可控硅觸發電路圖五：
所示，左側為兩個30K/2W的電阻，這樣限制輸入電流為：220V/60K=3.67mA，由于該路僅僅是為了提取交流信號，因此小電流輸入即可。整流橋芯片采用小功率（2W）的KBP210，之后接入一個光耦（P521），這樣如圖1整流后信號電壓值超過光耦前段二極管的導通電壓時，即產生一次脈沖，光耦右側為一上拉電路，VCC為單片機供電電壓：+3.3V。光耦三極管導通時，輸出低電平，關閉時輸出高電平。
雙向可控硅觸發電路圖六：
VDI、VD2、Cl與C2組成簡單的電容降壓半被整流電源，通電后C2兩端能獲得約12V左右的直流電壓供光控電路用電。VT、VD3、R2、R3與RP構成光控電路，白天光敏二極管VD3受光照射呈低電阻，VT基極電位下降，所以VT截止，可控硅vs得不到觸發電壓而處于關斷狀態，燈H不亮。夜間，VD3無光線照射呈高電阻，VT的基極電位上升，VT導通，就向vs注入正向觸發電流，故vs立即開通，燈H全壓點亮。調節電位器RP能調節三極管VT的基極電位，從而能對光控靈敏度進行調整。
