前言

　　本文要以表面封裝型LED為焦點，介紹表面封裝用基板要求的特性、功能，以及設計上的經常面臨的散熱技術問題，同時探討O2PERA(Optimized OutPut by Efficient Reflection Angle)的光學設計技巧。

　　封裝基板的功能

　　表面封裝型的LED芯片通常只有米粒左右大小，基本結構如圖1所示，它是將發光組件封裝在印刷基板的電極上，再包覆樹脂密封。

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　　制造LED芯片時印刷基板的功能之一，是將半導體device組件化，另外一個功能是讓組件產生的放射光高效率在前面反射，藉此提高LED的效率。

　　為提高LED組件的發光效率，基板側放射的光線高效率反射也非常重要，所以要求高反射率的基板。印刷基板鍍金或是鍍銀可以提高反射率，不過鍍金時類似藍光領域低波長光的反射率很低，鍍銀時有長期耐久性偏低的問題，因此研究人員檢討使用LED用白色基板。

　　LED用白色基板要求400~ 750nm，可視光全波長領域具備均勻高反射率，反射率的波長相關性很強時，LED芯片設計上會變成與設計波長相異的光源，因此要求在可視光全波長領域具備均勻的反射率。

　　白色基板的性能與特性

　　性能要求

　　表1是白光LED的發光機制一覽，它可以分成4大類。如表所示成為白光LED的原光波長，全部偏向藍光與近紫外低波長側。一般類似環氧樹脂基板的有機材料，紫外線等高能量光是最大敵人，光劣化極易造成環氧樹脂變色，樹脂的劣化使得可視光波長領域的反射率降低，外觀上形成略帶黃色，嚴重時甚至會變成茶色~灰色色調。

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　　基板變色除了高能量光之外，熱也是促進變色的原因之一，熱會促進類似光劣化時的茶色系色調變色。此外在LED制程上銀膠以及金-錫接合時，基板會被加熱到150~320℃，接著還需面臨260℃的reflow高熱。雖然芯片狀LED一直到裝設在電子機器為止的熱履歷只有數秒~30秒，不過它必需在200℃左右的環境進出3~5次，基板受到該熱履歷影響加速變色，因此基板的熱耐變色性非常重要，尤其是近年高輝度LED組件的發熱非常大，動作時芯片溫度經常超過100℃，造成基板曝露在100℃高溫紫外光與藍光環境下。

　　基板一旦變色，LED的輝度降低，從基板反射的反射光出現色調變化，其結果導致制品壽命變短，因此LED用白色基板要求高反射率與低藍光/紫外光樹脂劣化特性，即使受熱也不會變色等特性。

　　基板的機械特性要求

　　基板的機械特性與LED的壽命無直接關系，而是涉及基板厚度精度與鉆孔等加工性等技術性課題。例如加工基板sheet(大約100×150mm)表面同時進行數百個以上封裝、樹脂密封等工程時，基板sheet加工分別利用鉆頭鉆床、銑床(Router)、模具沖拔加工，鉆頭加工與銑床加工時，鉆頭(Bit)的壽命與加工端面的毛邊會成為問題，鉆頭的磨耗則與基板制作成本有直接關連，因此要求低鉆頭磨耗性的基板。此外，加工時發生的毛邊會影響制品的良率，成為成本上升的主要原因，因此要求不會發生毛邊，加工時能夠抑制成本的基板材料。

　　組件的樹脂密封使用注型與轉寫成型技術，基板的厚度精度太差時，樹脂密封工程時模具與基板之間會出現間隙，進而導致密封樹脂泄漏等問題，直接影響制品的良率，其結果反映在成本，因此板厚精度成為重要的特性之一。

　　提高耐候性、耐變色、反射率的技術

　　提高耐紫外線特性

　　類似陶瓷等無機材料，不會因為加熱與光線造成劣化、變色，它是非常優秀的材料，不過綜合考慮基板、密封樹脂、成本等問題時，環氧樹脂至今還是成為廣泛被采用封裝材料，特別是環氧樹脂硬化時不會產生副生成物，硬化后具備優秀的電氣、力學、耐熱性等許多特征。此外主劑與硬化劑可以依照預期的特性設計作任意組合。

　　印刷導線基板材料亦即貼銅積層板，它是混合“Bisphenol A的Glycidyl ether型”、“Novolac的Glycidyl ether型”環氧樹脂等主劑，再與“Dicyandiamide”、“Novolac”等硬化劑混合，經過含浸Glass cross制程后干燥，再與銅箔組合積層、加壓、加熱，制成所謂的“貼銅積層板”。圖2是一般環氧樹脂的化學結構;圖3是積層板的制造流程。

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　　如眾所周知環氧樹脂不適合當作LED的基板材料，主要原因是環氧樹脂擁有容易吸收紫外線的AllELe結構(圖2)，Allele結構一旦受熱會劣化、著色，沒有Allele結構的環氧樹脂種類繁多，脂環式環氧樹脂是典型代表。

　　圖4是脂環式環氧樹脂的化學結構，目前脂環式環氧樹脂已經成為高輝度用LED密封材料，脂環式環氧樹脂具備高耐旋光性，反面缺點是耐熱性較低，脂環式環氧樹脂若應用在積層板時，可以形成高耐紫外線材料，不過受限于低反應性與黏度等問題，制造上還有許多技術性課題有待解決。

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　　改善加熱變色性的技術

　　改善加熱變色性的方法，分別如下：

　　(1)提高樹脂的耐熱性(提高玻璃轉移點的溫度)。

　　(2)添加防氧化劑。

　　(3)主劑的雙重結合，降低容易氧化的部位。

　　有關第(1)項，一般認為可以透過環氧樹脂與硬化劑的組合，可望獲得改善。

　　有關第(2)項，研究人員開始檢討防氧化劑的添加量與相性。

　　有關第(3)項，采用脂環式環氧樹脂，可以解決特性面的問題。

　　提高白色度與反射率

　　為了使基板白色化，必需將白色顏料添加于樹脂內，該白色顏料的選擇會直接反映在基板的反射率，因此它是非常重的項目。適合LED基板的白色顏料必需選用「在可視光領域的反射率很高，即使低波長它的反射率也不會降低的材料」，二氧化鈦比較接近上述要求，其它候補材料則有氧化鋅、鋁等等。基板若添加二氧化鈦，可以提高初期白色度與反射率，缺點是熱與紫外線會使有機部份迅速變色。此外若添加填充材料，基板的剛性會提高、熱變形溫度也隨著變高，它可以提升芯片封裝時的導線固定性與加工時的良率。

　　白色積層板材料

　　圖5是日本業者開發的粘貼銅箔白色積層板“CS-3965H”的分光反射率。如圖所示CS-3965H的分 光反射率，從近紫外(波長420nm)開始站立，在可視光全波長領域達到87%。如果基板變色時，在藍光領域(波長450nm)的反射率會降低。

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　　圖6是“CS-3965H”經過加熱與紫外線照射后的藍光反射率變化特性，如圖所示CS-3965H銅箔白色積層板的變色非常低，由于CS-3965H的初期反射率很高，熱與紫外線照射后的反射率變化卻非常低，非常適用于高輝度LED的封裝。

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　　高功率LED的散熱設計

　　白光LED已經開始應用在一般照明與汽車等領域，投入LED的電力也從過去數十mW提高數W等級，因此發熱問題更加表面化。

　　所謂熱問題是指隨著投入電力的增加，LED芯片的溫升造成光輸出降低。有效對策除了改善芯片的特性之外，搭載LED芯片的封裝材料與結構檢討也非常重要。樹脂封裝方式是目前市場的主流，由于樹脂的熱傳導率很低，因此經常成為影響熱問題的原因之一，目前常用對策是將金屬導入樹脂封裝結構，或是采用高熱傳導率陶瓷材料。

　　LED高功率化必需進行以下檢討，分別是：

　　(1)芯片大型化

　　(2)大電流化

　　(3)芯片本身的發光效率改善

　　(4)高效率取光封裝結構

　　其中最簡單的方法是增加電流量，使光量呈比例性增加，不過此時LED芯片產生的熱量會增加。圖7是電流投入LED芯片時的放射照度量測結果，如圖所示在高輸出領域放射照度呈飽和、衰減狀，主要原因是LED芯片發熱所致，為實現LED芯片高輸出化，必需進行有效的熱對策。

　　接著介紹應用陶瓷特性的封裝技術。

　　封裝的功能

　　封裝主要目的是保護內部組件，使內部組件與外部作電氣性連接，促進發熱的內部組件散熱。對LED芯片而言，封裝的目的是使光線高效率放射到外部，因此要求封裝材料具備高強度、高熱傳導性與高反射性。

　　陶瓷封裝的優點

　　陶瓷材料幾乎網羅上述所有要求特性，非常適合當作LED的封裝。表2是主要陶瓷材料的物性，如表2所示陶瓷材料的耐光劣化性，與耐熱性比傳統環氧樹脂更優秀。

　　目前高散熱封裝結構是將LED芯片固定在金屬板上周圍包覆樹脂，此時芯片材料與金屬的熱膨脹差異非常大，LED芯片封裝時與溫度變化的環境下，產生的熱歪斜極易引發LED芯片缺陷，造成發光效率降低、發熱等問題，隨著芯片大型化，未來熱歪斜勢必更嚴重。陶瓷材料的熱膨脹系數接近LED芯片，因此陶瓷被認為是解決熱歪斜最有效的材料之一。

　　封裝結構

　　照片1是高輸出LED用陶瓷封裝的實際外觀;圖8是陶瓷封裝的構造范例，圖中的反射器電鍍銀膜，可以提高光照射效率 。圖8(c)是應用多層技術，使陶瓷與反射器成形一體結構。

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　　為了使發熱的LED芯片正常動作，必需考慮適當的散熱系統，這意味著封裝已經成為散熱組件的一部份。接著介紹有關散熱的處理方式。

　　封裝與散熱基板的功能

　　散熱設計必需考慮如何使LED芯片產生的熱透過筐體釋放到外部。圖9是LED Lamp內部的熱流與封裝內側理想熱擴散模式。

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　　如圖9右側實線所示，高熱擴散性封裝的內側(P~Q之間)溫度分布非常平坦，熱可以擴散至封裝整體，而且還非常順暢流入封裝基板內，因此LED芯片正下方的溫度大幅下降。

　　圖10是利用熱模擬分析確認該狀態獲得的結果，該圖表示定常狀態溫度分布，與單位面積時的單位時間流動的熱量，亦即熱流束的分布狀況。由圖可知使用高熱傳導材料的場合，封裝內部的溫差會變小，此時并未發現熱流集中在局部，封裝內部的熱擴散性因而大幅提高。

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　　陶瓷是由鋁或是氮化鋁制成，若與目前常用的封裝材料環氧樹脂比較，鋁質陶瓷的熱傳導率是環氧樹脂的55倍，氮化鋁陶瓷的熱傳導率是環氧樹脂的400倍。此外金屬板的熱傳導率大約是200W/mK，鋁的熱傳導率大約是400W/mK左右，要求高熱傳導率的封裝，大多使用金屬作base。

　　LED芯片接合劑的功能

　　半導體芯片接合劑使用的材料有環氧系、玻璃、焊錫、金共晶合金等等。LED芯片用接合劑除了高熱傳導性之外，基于接合時降低熱應力等觀點，要求低溫接合、低楊氏系數等特性，符合要求的在環氧系有“添加銀的環氧樹脂”，共晶合金則有“Au -20% Sn”等等。

　　接合劑附著在芯片周圍的面積幾乎與LED芯片相同 ，而且無法期待水平方向的熱擴散，只能期望垂直方向的熱傳導性。圖11是LED芯片至封裝背面的溫度差熱仿真分析的結果，如圖所示封裝使用氮化鋁陶瓷基板，與接合部溫度差，以及熱傳導性比添加銀的環氧樹脂還低的Au-Sn接合劑。

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　　由于Au-Sn薄層化可以降低接合部的溫度差，同時有效促進熱的流動，因此業界普遍認為未來散熱設計，勢必要求接合劑必需具備高熱傳導性，與可以作薄層化接合等基本特性。

　　今后散熱設計與封裝構造

　　隨著散熱設計的進化，LED組件廠商的研究人員開始檢討LED Lamp至筐體的熱傳導，以及筐體至外部的熱傳導可行性;組件應用廠商與照明燈具廠商則應用實驗與模擬分析進行對策研究。

　　有關熱傳導材料，封裝材料正逐漸從樹脂切換成金屬與陶瓷材料。此外LED芯片接合部是阻礙散熱的要因之一，因此上述薄形接合技術被視為今后檢討課題之一。

　　有關提高筐體至外部的熱傳導，目前大多利用冷卻風扇與散熱鰭片達成散熱要求。不過基于噪音對策與窄空間化等考慮，照明燈具廠商大都不愿意使用熱交換器，因此必需提高與外部接觸面非常多的封裝基板與筐體的散熱性，具體方法例如利用遠紅外線在高熱傳導性銅層表面，形成可以促進熱放射涂抹層的可撓曲散熱膜片(film)。

　　根據測試結果證實可撓曲散熱膜片的散熱效果，比大小接近膜片的散熱鰭片更高，因此研究人員檢討直接將可撓曲散熱膜片黏貼在封裝基板與筐體，或是將可以促進熱放射涂抹層，直接設置在裝基板與筐體表面，試圖藉此提高散熱效果。

　　有關封裝結構，必需開發可以支持LED芯片磊晶(flip chip)接合的微細布線技術;有關封裝材料，雖然氮化鋁的高熱傳導化有相當進展，不過它與反射率有trade-off關系，一般認提高熱傳導性比氮化鋁差的鋁的反射特性，可以支持LED高輸出化需要，未來可望成為封裝材料之一。

　　O2PERA結構的SMD-LED設計

　　如上所述LED的封裝從光學構造觀點而言，可以分成兩種型式分別是：

　　(1)整體由透明樹脂構成(炮彈型、Piranha型)。

　　(2)利用高反射白色樹脂包覆的表面封裝型(SMD： Surface Mount Device)。

　　(3)使用金屬的鏡面反射面型。

　　近年基于可靠性、成本、組裝作業性等考慮，第(2)項的SMD型的應用大幅增加。圖12(a)是SMD型LED的封裝結構，如圖所示它是由白色高擴散反射材料制成的筐體，與金屬導線架構成凹狀結構，LED芯片透過Mount與Wire Bonding，固定在該凹狀結構底部上方的導線架，凹狀結構則包覆透明環氧樹脂。

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　　傳統內部反射結構為了確保Mount與Wire Bonding作業空間，使得使用白色高擴散反射材料的反射器無法作優化設計。

　　光線從表面平坦透明材料透過空氣的光取出效率可以利用圖13作說明。對折射率n>1的環氧樹脂等透明材料，與折射率n=1的空氣界面而言，從透明材料入射的光線，它的入射角比臨界角ψc(從法線的角度)更大時，入射光會全反射再折返透明材料側，入射角比臨界角ψc更小的光線，會以部份入射能量反射折返，其它則通過空氣側，如果換成三次元方式，頂角為ψc時只有碗杯內側的光線可以取出至外部。

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　　圖14(a)是傳統SMD封裝的斷面圖，如圖所示從LED芯片取出朝碗杯內直接放射的光線(光線1)可以穿透空氣側，不過碗杯外的直接放射光線(光線2，3)不是過碰到白色樹脂的擴散反射面，就是在空氣與環氧樹脂之間的界面全反射。

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　　理論上內部結構的反射率為100%，透明樹脂的吸收應該是零 ，如果忽略芯片的吸收 ，無限次反復進行反射 ，從封裝的光取出效率也應該是100%，然而實際上透明樹脂會吸收，反射率也不可能100%，加上導線架的加工面與芯片旁的銀膠表面反射率都不盡理想，因此要提高封裝的光取出效率，盡量以少次數高效率反射成為重要課題。

　　此處針對碰撞到白色樹脂反射面的光線進行探討。一次的擴散反射只能取出碗杯內側的反射成份，此時碗杯整體可以充分應用的反射面角度，比水平面測定的臨界角θc(=90°-ψc)更小。此處假設透明環氧樹脂的折射率為1.53，θc= cos-1 (1/1.53)=49°戚A亦即反射面的角度低于49°戮氶A就可以有效應用碗杯內的光線，大幅改善光取出效率，以上是O2PERA結構的基本動作原理。

　　如上所述傳統SMD型LED的封裝，基于導線與芯片固定作業性考慮，內部結構具備充分的空間裕度，　　其結果反而造成芯片周圍的金屬導線架大幅露出，擴散反射面的角度則高達70°憤D常陡峭，該結構下的擴散反射面本身的面積非常少，碗杯只有一半面積可以應用。

　　此外金屬導線架的反射率與表面材質、加工程度有依存關系，然而基于成本考慮無法作鏡面加工，使得傳統SMD型LED的封裝內部結構一直未被優化，結果造成光取出效率遭受具大折損。因此研究人員應用O2PERA技術開發SMD型LED。

　　O2PERA型SMD LED優先維持與傳統SMD型LED封裝的互換性，設計上未改變外形尺寸，只緩和內部擴散反射面的角度，因此實際上即使受到外形尺寸與LED芯片大小Die bonding的限制，O2PERA仍然可以實現比490臨界角更小的反射面角度。不過內側的全反射面整體的角度一旦緩和時，wire bond(second)的空間有消失之虞，所以設計上必需預留最小wire bonding空間，在狹窄位置精密控制wire bond用capillary，是實現O2PERA型SMD LED的關鍵技術。

　　實際上考慮封裝材料的反射率、穿透率以及wire bonding空間，依此進行光學仿真分析，證實可以提高30%左右的亮度與光束。如上所述采用不同于傳統固定觀念，配合光學設計與精密的生產技術，可以提高SMD型LED的光取出效率。

　　圖15是利用O2PERA-SMD封裝提高亮度的實例，LED芯片本身具有分布不均問題，因此盡力使用相同質量的芯片進行統計比較，本實例使用波長為589nm黃光LED，實現平均值34%左右的亮度提升效果，該值與學模擬分析結果幾乎一致。

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　　圖16是O2PERA-SMD封裝三次元的配光特性實測例，第二次固定空間位置以配光特性上粗線表示。由于該空間造成內部反射構造呈非對稱性，因此當初研究人員一度擔心配光特性會出現非對稱性結果，所幸的事它與鏡面反射不同，擴散反射各方向的光線都會擴散，所以可以獲得整體非常均勻的對稱配光特性。

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　　結語

　　目前O2PERA型SMD LED已經商品化，透過內部反射結構的優化設計，亮度與光束可以再提高，而且它擁有外形尺寸、配光特性與傳統制品高兼容性，制作成本也完全相同，因此O2PERA型SMD LED可望拓展應用領域。