MOS-1型功率場效應(yīng)管測試儀

　　　　通過一年的努力一款新型的功率場效應(yīng)管測試儀終于問世，它填補(bǔ)了國內(nèi)在功率場效應(yīng)管和IGBT測試方面的空白，

　　也體現(xiàn)了我?guī)资昙夹g(shù)人生的經(jīng)驗(yàn)與價(jià)值，在我60歲整，這個(gè)有歷史紀(jì)念意義的歲月，把這臺(tái)測試儀器提供給需要的朋友們。　　　　　　　　

我研究設(shè)計(jì)的MOS-1場效應(yīng)管測試儀兩年半后終于出來了一個(gè)仿制品

希望用戶檫亮你們的眼睛 　　　圖片對比(點(diǎn)擊)

一、概述

　　　　MOS-1型功率場效應(yīng)管測試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場效應(yīng)管參數(shù)測試裝置，可用于標(biāo)稱電流約在

　　2-100A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場效應(yīng)管主要參數(shù)的測試。它可以準(zhǔn)確測量擊穿電壓VDSS、柵極開啟

　　電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測試電流可以達(dá)到50A，由于采用脈沖電流測試法，即使在

　　大電流測試時(shí)也不會(huì)對被測器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對場效應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測試（配對）；

　　儀器完全可用于同等電流等級的IGBT參數(shù)的測量；儀器還是一臺(tái)性能十分優(yōu)越的電子元器件耐壓測試裝置，其測試耐

　　壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器主要用于功率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對及其它

　　電子元器件的耐壓測試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測試儀和P溝導(dǎo)型測試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準(zhǔn)確、操

　　作簡單、使用安全方便。

二、主要技術(shù)性能

　　　　　　　　1、擊穿電壓VDSS測量范圍： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。

　　　　　　　　2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。

　　　　　　　　3、柵極開啟電壓VGS（th） 測量范圍： 0—10V。 精度：≤5% 。

　　　　　　　　4、Gfs跨導(dǎo)測試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 精度：≤10 % 。

　　　　　　　　5、Gfs跨導(dǎo)測試范圍：1—100 。

三、主要測試功能

　　　　　　　　1、功率場效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測試。

　　　　　　　　2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測試。

　　　　　　　　3、功率場效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測試，可用于配對。

　　　　　　　　4、對其它更大電流和功率的場效應(yīng)管及IGBT的測試：（見下面介紹）。

　　　　　　　　5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測試。

　　　　　　　　6、壓敏電阻電壓的測試等。

四、測試盒與測試線

　　　　　　　　1、利用測試盒可以方便的測試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場效應(yīng)管和IGBT。

　　　　　　　　2、利用測試線可以測量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場效應(yīng)管和IGBT。

　　　　即使你使用的場效應(yīng)管標(biāo)稱電流和功率遠(yuǎn)大于本儀器所定的100A/300W，本儀器同樣可以在50A的條件下測試其跨導(dǎo)

　　Gfs參數(shù)及VDSS和VGS(th)兩項(xiàng)電壓參數(shù)。

測試實(shí)例

以上是部分管子的實(shí)測數(shù)據(jù)，其中帶黑底色的為IGBT管，不同的廠家其參數(shù)可能有較大差異，僅供參考。

購買方法

電話（傳真）：0571-87292965 。手機(jī)：13600537912

TY-1型功率場效應(yīng)管、IGBT、可控硅、二極管通態(tài)壓降測試儀