在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結型晶體管（BJT）是僅有的功率開關。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制器件。MOSFET是正溫度系數器件，而IGBT則不一定。MOSFET是多數載流子器件，因而是高頻應用的理想選擇。將直流電轉換為交流電的逆變器，可以在超聲頻率下工作以避免音頻噪聲。相比IGBT，MOSFET還具有高抗雪崩能力。在選擇MOSFET時，工作頻率是一個重要因素。相比同等MOSFET，IGBT具有較低的箝位能力。在IGBT和MOSFET之間選擇時，必須考慮逆變器輸入的直流總線電壓、功率定額、功率拓撲和工作頻率。IGBT通常用于200V及以上的應用，而MOSFET可以用于從20V到1000V的應用。雖然飛兆半導體公司擁有300V的IGBT，但MOSFET的開關頻率卻比IGBT高出許多。

　　較新型的MOSFET具有更低的傳導損耗和開關損耗，在直到600V的中等電壓應用中正在取代IGBT。設計替代性能源電力系統、UPS、開關電源（SMPS）和其他工業系統的工程師正不斷設法改進這些系統的輕載和滿載效率、功率密度、可靠性和動態性能。風能是增長最快的能源之一，一個應用實例就是風力機葉片控制，其中使用了大量的MOSFET器件。通過迎合不同的應用需求，特定應用的MOSFET可以幫助實現這些改進。

　　其它需要新型和特定MOSFET解決方案的近期應用，包括易于安裝在家庭車庫和商業停車場的電動汽車（EV）充電系統。這些EV充電系統將通過光伏（PV）太陽能系統和公用電網運行。壁掛式EV充電站必須實現快速充電。對于通信電源而言，PV電池充電站也將變得重要。

　　三相電機驅動和UPS逆變器需要相同類型的MOSFET，但PV太陽能逆變器可能需要不同的MOSFET，如Ultra FRFET MOSFET和常規體二極管MOSFET。最近幾年，業界大量投資PV太陽能發電。大多數增長開始于住宅太陽能項目，但較大的商業項目正在出現：諸如多晶硅價格從2007年400美元/千克跌落至2009年70美元/千克等事件，都促進了巨大的市場增長。

　　正在普及的并網逆變器是一種將直流電轉換為交流電并注入現有公用電網的專用逆變器。直流電源由可再生能源產生，比如小型或大型的風力機組或PV太陽能電池板。該逆變器也被稱為同步逆變器。僅當連接至電網時，并網逆變器才會工作。今天市場上的逆變器采用了不同的拓撲設計，取決于設計的權衡要求。獨立式逆變器采用不同設計，以按照整、滯后或超前功率因數供電。

　　對PV太陽能系統的市場需求早已存在，因為太陽能可以幫助降低高峰電力成本，能夠消除燃料成本的波動性，可為公用電網提供更多的電力，還可作為“綠色”能源進行推廣。

　　美國政府已經設定了目標，要求國家電力的80%來自綠色能源。原因如上所述，結合美國政府的目標，PV太陽能解決方案已經成為一個不斷增長的市場。這帶來了對MOSFET器件不斷增長的需求。如果優化不同拓撲的MOSFET器件，終端產品的解決方案可實現顯著的效率提升。

　　高開關頻率應用需要以犧牲RDSON為代價來降低MOSFET的寄生電容，而低頻應用卻要求以降低RDSON為最高優先級。對于單端應用，MOSFET體二極管的恢復并不重要，但對于雙端應用卻非常重要，因為它們需要低tRR、QRR和更軟的體二級管恢復。在軟開關雙端應用中，這些要求對于可靠性極其重要。在硬開關應用中，隨著工作電壓增加，導通和關斷損耗也將增加。為減少關斷損耗，可以根據RDSON來優化CRSS和COSS。

　　MOSFET支持零電壓開關（ZVS）和零電流開關（ZCS）拓撲，不過IGBT卻僅支持ZCS拓撲。通常，IGBT用于大電流和低頻開關，而MOSFET則用于小電流和高頻開關。混合模式仿真工具可以用來設計特定應用的MOSFET。在硅和溝槽技術方面的進展降低了導通電阻（RDSON）和其他動態寄生電容，并改進了MOSFET的體二極管恢復性能。封裝技術也在這些特定應用的MOSFET中發揮了作用。