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mos管參數解讀

2019年06月24日 14:11 陳翠 作者: 用戶評論(0

  mos管基本參數

  Coss:輸出電容Coss=CDS+CGD。

  Ciss:輸入電容Ciss=CGD+CGS(CDS短路)。

  Tf:下降時刻。輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時刻。

  Td(off):關斷延遲時刻。輸入電壓下降到90%開端到VDS上升到其關斷電壓時10%的時刻。

  Tr:上升時刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時刻。

  Td(on):導通延遲時刻。從有輸入電壓上升到10%開端到VDS下降到其幅值90%的時刻。

  Qgd:柵漏充電(考慮到Miller效應)電量。

  Qgs:柵源充電電量。

  Qg:柵極總充電電量。

  mos管動態參數

  IGSS:柵源驅動電流或反向電流。由于MOSFET輸入阻抗很大,IGSS通常在納安級。

  IDSS:飽滿漏源電流,柵極電壓VGS=0、

  VDS為必定值時的漏源電流。通常在微安級。

  VGS(th):敞開電壓(閥值電壓)。當外加柵極操控電壓VGS超越VGS(th)時,漏區和源區的外表反型層形成了銜接的溝道。應用中,常將漏極短接前提下ID即是毫安時的柵極電壓稱為敞開電壓。此參數通常會隨結溫度的上升而有所下降。

  RDS(on):在特定的VGS(通常為10V)、結溫及漏極電流的前提下,MOSFET導通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數,決定了MOSFET導通時的消耗功率。此參數通常會隨結溫度的上升而有所增大(正溫度特性)。故應以此參數在最高作業結溫前提下的值作為損耗及壓降計算。

  Tj:漏源擊穿電壓的溫度系數,通常為0.1V/℃。

  

  mos管靜態參數

  TSTG:存儲溫度范圍。

  Tj:最大作業結溫。通常為150℃或175℃,器材規劃的作業前提下須確應防止超越這個溫度,并留有必定裕量。(此參數靠不?。?/p>

  VGS:最大柵源電壓。,通常為:-20V~+20V

  PD:最大耗散功率。是指場效應管機能不變壞時所容許的最大漏源耗散功率。使用時,場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有必定余量。此參數通常會隨結溫度的上升而有所減額。(此參數靠不住)

  IDM:最大脈沖漏源電流。表現一個抗沖擊才能,跟脈沖時刻也有聯系,此參數會隨結溫度的上升而有所減額。

  ID:最大漏源電流。是指場效應管正常作業時,漏源間所容許經過的最大電流。場效應管的作業電流不應超越ID。

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