?MOS管即場效應(yīng)管（MOSFET），屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件，在開關(guān)電源、逆變器、直流電機驅(qū)動器等設(shè)備中很常見，是電力電子的核心元件。
?MOS管有N溝道和P溝道之分，N溝道相當(dāng)于NPN的三極管；P溝道相當(dāng)于PNP的三極管。實際設(shè)計及應(yīng)用中，N溝道MOS管占絕大多數(shù)，所以下面以N溝道MOS管為例進行講解（如圖1中Q3，柵極-G；漏極-D；源極-S）。
?MOS管的使用通常可以分為兩種情形：
①參與普通的邏輯控制，和三極管一樣作為開關(guān)管使用，電流可達數(shù)安培，如圖1為MOS管驅(qū)動直流電機電路。R6下拉電阻是必須的（取值一般10--20k），原理和NPN三極管下拉電阻一樣。
此類應(yīng)用的MOS管Vgs電壓大于門檻電壓4.5V（又叫平臺電壓）即可正常使用。小功率的邏輯控制本人還是選擇使用三極管。
圖1：邏輯控制MOS管
②參與PWM控制，橋式驅(qū)動電路以及開關(guān)電源電路等應(yīng)用廣泛。
如圖2為有刷直流電機橋式驅(qū)動電路，G1、G2、G3、G4為推挽PWM控制，VS1、VS2接電機，可實現(xiàn)大功率直流電機調(diào)速，正反轉(zhuǎn)控制。此類應(yīng)用的MOS管Vgs電壓大于10V，通常使用12V（為保證導(dǎo)通深度，PWM的幅值為12V）。且G極的電阻必須是小電阻通常取4.7--100Ω，與電阻并聯(lián)一個反向二極管，目的是保證MOS管的關(guān)斷速度比導(dǎo)通速度快，防止上橋與下橋直通短路。
圖2：有刷直流電機橋式驅(qū)動電路
?徹底了解MOS管，我們應(yīng)從以下兩點入手：
①什么是米勒效應(yīng)，米勒效應(yīng)下為什么會有Vgs平臺電壓；
②MOS管的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗。
如圖3所示，G極與D極存在極間電容Cgd，G極與S極存在極間電容Cgs，當(dāng)G極有高電平信號時，電容Cgs充電到門檻電壓4.5V時，DS極開始導(dǎo)通，D極電平下降趨近于0V，此過程電容Cgd開始充電，使G極電壓在短時間內(nèi)保持在4.5V，這就是米勒效應(yīng)。
圖3：米勒效應(yīng)測試原理圖
該門檻電壓Vgs就是MOS管的平臺電壓；該平臺電壓的在MOS管開通和關(guān)斷期間都存在，其寬度與G極電阻有直接的關(guān)系。
如圖4為G極電阻為10Ω時MOS管開通的波形，紅色代表Vgs的電壓波形，藍色代表Vds的電壓波形。平臺電壓的寬度很窄（黃色箭頭），在平臺電壓下DS極間是變阻區(qū)，Vds很窄（綠色箭頭）。
圖4：G極電阻為10Ω，Vgs與Vds波形（開通）
如圖5為G極電阻為100Ω時MOS管開通的波形，平臺電壓的寬度變寬明顯（黃色箭頭），在平臺電壓下DS極間是變阻區(qū)，Vds變緩（綠色箭頭）。
圖5：G極電阻為100Ω，Vgs與Vds波形（開通）
如圖6為G極電阻為200Ω時MOS管開通的波形，平臺電壓的寬度變寬更明顯（黃色箭頭），在平臺電壓下DS極間是變阻區(qū)，Vds變緩更大（綠色箭頭）。
圖6：G極電阻為200Ω，Vgs與Vds波形（開通）
如圖7為G極電阻為200Ω時MOS管關(guān)斷的波形，同樣有平臺電壓的存在。
圖7：Vgs與Vds波形（關(guān)斷）
?MOS管的損耗意味著發(fā)熱，要使MOS管正常工作，必須了解各種損耗。如圖8：
開關(guān)損耗分為MOS管的開通損耗和關(guān)斷損耗，G極電阻的大小決定了開通和關(guān)斷的速度，該電阻越大開關(guān)損耗越大；
導(dǎo)通損耗取決于DS極間導(dǎo)通后的等效電阻Rds(on)，該電阻越大導(dǎo)通損耗越大；
續(xù)流損耗指的是S極到D極間的正向二極管的損耗，該損耗通常不考慮（本文略）。
圖8：MOS管的主要損耗
?如圖9，對MOS管的選型，主要參數(shù)都會在前面直接給出（紅框內(nèi)），DS極耐壓（Vdss）通常選擇工作電壓的1.5--2倍；漏極電流（Id）通常選擇工作電流的5--10倍；Rds(on)盡量越小越好。另外G極的Vgs電壓范圍是±20V以內(nèi)，幾乎所有的MOS管都如此。
圖9：MOS管參數(shù)
所以，MOS管的開關(guān)損耗跟設(shè)計有直接的關(guān)系，縮短導(dǎo)通和關(guān)斷時間可有效降低開關(guān)損耗；最后，驅(qū)動MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動芯片內(nèi)部，輸出能力很強，通常電流可達1A。
審核編輯：劉清