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碳化硅功率MOSFET B1M080120HC降低電機驅動功率損耗

2023年01月12日 14:43 國芯思辰 作者: 用戶評論(0

據評估,世界上超過一半的電能消耗用于各種電動機。因此,降低電動機的功率損耗并提高電力轉換的效率顯得尤為重要。

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電動機驅動電路一般原理圖

本文推薦基本半導體的一款碳化硅功率MOSFET B1M080120HC,該器件具有延遲極短、超高耐壓、低導通阻抗、小封裝等優勢,可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、羅姆的SCT2080KE、英飛凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1型號實現pin to pin替換,為電動機驅動提供解決方案,具有巨大的市場前景。

具體應用優勢如下:

1、在電氣特性方面,B1M080120HC可承受的最高電壓達1200V,連續漏極電流最高可達44A,柵極閾值電壓典型值為3V,即使用普通MCU或者使用TTL電平也可輕松驅動,完全滿足電動機驅動的電氣要求。

2、B1M080120HC導通延遲時間20ns,關斷延遲時間44ns,真正實現電動機驅動高頻率切換。而且自身功率耗散最高可達241W,可延長其壽命周期,具有更高的穩定性。

3、B1M080120HC的導通阻抗的典型值僅為80mΩ,能夠實現較高的系統效率。

4、B1M080120HC的封裝為TO-247-3,工作結溫范圍為-55~+150℃,結殼熱阻為0.518K/W,滿足電動機驅動的工作環境,可確保系統不會因為損耗過大導致結溫過高而損壞芯片,更好的應用于高溫環境。

綜上所述,基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC可以實現高功率密度,并且在一般輸出功率的應用中無需額外添加散熱器,節省了系統空間。







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