頻率特性
晶體管的電流放大系數(shù)與工作頻率有關(guān)。若晶體管超過(guò)了其工作頻率范圍,則會(huì)出現(xiàn)放大能力減弱甚至失去放大作用。
晶體管的頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率fT和最高振蕩頻率fM等。
1.特征頻率fT 晶體管的工作頻率超過(guò)截止頻率fβ或fα?xí)r,其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為1時(shí)晶體管的工作頻率。
通常將特征頻率fT小于或等于3MHZ的晶體管稱(chēng)為低頻管,將fT大于或等于30MHZ的晶體管稱(chēng)為高頻管,將fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶體管稱(chēng)為中頻管。
2.最高振蕩頻率fM 最高振蕩頻率是指晶體管的功率增益降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率。
通常,高頻晶體管的最高振蕩頻率低于共基極截止頻率fα,而特征頻率fT則高于共基極截止頻率fα、低于共集電極截止頻率fβ。
集電極最大電流ICM
集電極最大電流是指晶體管集電極所允許通過(guò)的最大電流。當(dāng)晶體管的集電極電流IC超過(guò)ICM時(shí),晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化,影響其正常工作,甚至還會(huì)損壞。
最大反向電壓
最大反向電壓是指晶體管在工作時(shí)所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發(fā)射極—基極反向擊穿電壓。
1.集電極——發(fā)射極反向擊穿電壓 該電壓是指當(dāng)晶體管基極開(kāi)路時(shí),其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓,一般用VCEO或BVCEO表示。
2.集電極——基極反向擊穿電壓 該電壓是指當(dāng)晶體管發(fā)射極開(kāi)路時(shí),其集電極與基極之間的最大允許反向電壓,用VCBO或BVCBO表示。
3.發(fā)射極——基極反向擊穿電壓 該電壓是指當(dāng)晶體管的集電極開(kāi)路時(shí),其發(fā)射極與基極與之間的最大允許反向電壓,用VEBO或BVEBO表示。
反向電流
晶體管的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO。
1.集電極——基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱(chēng)集電結(jié)反向漏電電流,是指當(dāng)晶體管的發(fā)射極開(kāi)路時(shí),集電極與基極之間的反向電流。ICBO對(duì)溫度較敏感,該值越小,說(shuō)明晶體管的溫度特性越好。
2.集電極——發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當(dāng)晶體管的基極開(kāi)路時(shí),其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流,也稱(chēng)穿透電流。此電流值越小,說(shuō)明晶體管的性能越好。
如何用萬(wàn)用表測(cè)試三極管
?。?) 判別基極和管子的類(lèi)型
選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,先用紅表筆接一個(gè)管腳,黑表筆接另一個(gè)管腳,可測(cè)出兩個(gè)電阻值,然后再用紅表筆接另一個(gè)管腳,重復(fù)上述步驟,又測(cè)得一組電阻值,這樣測(cè)3次,其中有一組兩個(gè)阻值都很小的,對(duì)應(yīng)測(cè)得這組值的紅表筆接的為基極,且管子是PNP型的;反之,若用黑表筆接一個(gè)管腳,重復(fù)上述做法,若測(cè)得兩個(gè)阻值都小,對(duì)應(yīng)黑表筆為基極,且管子是NPN型的。
?。?)判別集電極
因?yàn)槿龢O管發(fā)射極和集電極正確連接時(shí)β大(表針擺動(dòng)幅度大),反接時(shí)β就小得多。因此,先假設(shè)一個(gè)集電極,用歐姆檔連接,(對(duì)NPN型管,發(fā)射極接黑表筆,集電極接紅表筆)。測(cè)量時(shí),用手捏住基極和假設(shè)的集電極,兩極不能接觸,若指針擺動(dòng)幅度大,而把兩極對(duì)調(diào)后指針擺動(dòng)小,則說(shuō)明假設(shè)是正確的,從而確定集電極和發(fā)射極。
?。?) 電流放大系數(shù)β的估算
選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔,對(duì)NPN型管,紅表筆接發(fā)射極,黑表筆接集電極,測(cè)量時(shí),只要比較用手捏住基極和集電極(兩極不能接觸),和把手放開(kāi)兩種情況小指針擺動(dòng)的大小,擺動(dòng)越大,β值越高。
如何判斷三極管的集電結(jié)為反偏或正偏
?。?)根據(jù)Ucb的電壓大于0則集電結(jié)反偏;2)Ubc(有方向,不是Ucb)的電壓大于0則集電結(jié)正偏。
三極管輸出特性曲線中
?。?)放大區(qū): 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。
當(dāng)Uce 》= 1V時(shí),因?yàn)閁be 《 0.7V =》Ucb = Uce - Ube 》 0V =》集電結(jié)反偏
?。?)截止區(qū)(即Ib=0,Ub 《 Uc):發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。
因?yàn)閁b 《 Uc =》Ucb = Uc - Ub 》 0V,
?。健芳娊Y(jié)反偏。
?。?)飽和區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。一般Uce《0.7V(硅管)或反偏電壓很小。
因?yàn)閁ce 《 0.7V且Ube很大(大于0.7V) =》Ubc = Ube - Uce 》 0;
=》集電結(jié)正偏。
正偏:當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。 在電子電路中,將二極管的正極接在高電位端,負(fù)極接在低電位端,二極管就會(huì)導(dǎo)通,這種連接方式,稱(chēng)為正向偏置
反偏:與正向偏置相比,交換電源的正、負(fù)極位置,即P區(qū)接電源負(fù)極,N區(qū)接電源正極,就構(gòu)成了PN結(jié)的反向偏置。