本文主要是關于晶體三極管的介紹，并著重描述了晶體三極管的放大電路。
晶體三極管
晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。
對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b （Base）和集電極c （Collector）。如右圖所示
當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發射結處于正偏狀態，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態，集電極電源Ec要高于基極電源Eb。
在制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流子。
由于基區很薄，加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得：
Ie=Ib+Ic
這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--稱為直流放大倍數，
集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：
β= △Ic/△Ib
式中β--稱為交流電流放大倍數，由于低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。
α1=Ic/Ie（Ic與Ie是直流通路中的電流大小）
式中：α1也稱為直流放大倍數，一般在共基極組態放大電路中使用，描述了射極電流與集電極電流的關系。
α =△Ic/△Ie
表達式中的α為交流共基極電流放大倍數。同理α與α1在小信號輸入時相差也不大。
對于兩個描述電流關系的放大倍數有以下關系
三極管的電流放大作用實際上是利用基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化。 ［2］
三極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常通過電阻將三極管的電流放大作用轉變為電壓放大作用。
放大原理
1、發射區向基區發射電子
電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子（自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由于多數載流子濃度遠低于發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與復合
電子進入基區后，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。
3、集電區收集電子
由于集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。
晶體三極管放大原理
差分對管輸入級
輸入級主要起緩沖作用。輸入輸入阻抗較高時，通常引入一定量的負反饋，增加整個功放電路的穩定性和降低噪聲。
前置激勵級的作用是控制其后的激勵級和功勞輸出級兩推挽管的直流平衡，并提供足夠的電壓增益。
激勵級則給功率輸出級提供足夠大的激勵電流及穩定的靜態偏壓。激勵級和功率輸出級則向揚聲器提供足夠的激勵電流，以保證揚聲器正確放音。此外，功率輸出級還向保護電路、指示電路提供控制信號和向輸入級提供負反饋信號（有必要時）。
放大器的輸入級功率放大器的輸入級幾乎一律都采用差分對管放大電路。由于它處理的信號很弱，由電壓差分輸入給出的是與輸入端口處電壓基本上無關的電流輸出，加之他的直流失調量很小，固定電流不再必須通過反饋網絡，所以其線性問題容易處理。事實上，它的線性遠比單管輸入級為好。圖1-2示出了3種最常用的差分對管輸入級電路圖。
圖1-2種差分對管輸入級電路
在輸入級電路中，輸入對管的直流平衡是極其重要的。為了取得精確的平衡，在輸入級中加上一個電流反射鏡結構，如圖1-3所示。它能夠迫使對管兩集電極電流近于相等，從而可以對二次諧波準確地加以抵消。此外，流經輸入電阻與反饋電阻的兩基極電流因不相等所造成的直流失調也變得更小了，三次諧波失真也降為不加電流反射鏡時的四分之一。
在平衡良好的輸入級中，加上一個電流反射鏡，至少可把總的開環增益提高6Db。而對于事先未能取得足夠好平衡的輸入級，加上電流反射鏡后，則提高量最大可達15dB。另一個結果是，起轉換速度在加電流反射鏡后，大致提高了一倍。
在輸入級中，即使是差分對管采用了電流反射鏡結構，也仍然有必要采取一定措施，以見效她的高頻失真。下面簡述幾鐘常用的方法。
1）、恒頂互導負反饋法
圖1-4示出了標準輸入級（a）和加有恒定互導（gm）負反饋輸入級（b）的電路原理圖。經計算，各管加入的負反饋電阻值為22Ω當輸入電壓級為-40dB條件下,經測試失真由0.32%減小到了0.032%。同時，在保持gm為恒定的情況下，電流增大兩倍,并可提高轉換速率(10~20)V/us。
圖1-3標準電流反饋鏡輸入級?1-4?標準輸入級和加有恒定互導負反饋輸入級
將輸入管換成互補反饋行對管的方法，簡稱為CFP法，電路示于圖1-5。
圖1-5?改進型差分管輸入級
這種輸入級與上述恒定互導負反饋輸入級相比，在輸入電壓級為-30dB情況下，測試結果顯示，恒定互導負反饋輸入級給出的三次諧波失真為0.35%，而CFP型輸入級的三次諧波失真為0.045%，對其它情況來說，后者的三次諧波失真大致為前者的一半。
共射—共基互補輸入電路示于圖1-6（c）在該圖示值情況下，當輸入電平級為-30Db時，失真見效到0.016%左右。另外，由于該電路在輸入管集電極處不存在值得重視的電壓波動，其主要好處是把輸入器件用來工作的電壓Vce給降下來。這樣就可以允許她以較低的溫度工作，從而改善其熱平衡，通常Vce為5V即可工作的很好。
共射—共基互補型輸入級
將輸入管換成互補負反饋型對管
改進輸入級線性的方法
加有電流反射鏡的輸入級
電壓放大級
由于電壓放大級不僅要提供全部的電壓增益，而且還要給出正個輸出的電壓擺幅，因而電壓放大級被人為是聲頻放大器中最關鍵的部分。然而，設計的好的電壓放大級，其對整個放大器的綜合時針是沒有多達影響的，電壓放大級自身產生的失真是很小的。圖1-7給出了6中電壓放大級的原理圖，其中（a）為以電流源為負載的常規電壓放大級；圖(b)為負載被自舉的常規電壓放大級；（c）為通過加強β的射極跟隨器，深化局部負反饋電壓放大級；（d）為采用共射—共基接法，深化局部負反饋電壓放大級；（e）為加有緩沖的電壓放大級；(f)為采用交替緩沖對電壓放大管負載加以自舉的電壓放大級。
圖1-7?電壓放大級的6種變形電路
使電壓放大級具有交稿的局部開環增益是很重要的，因為只有這樣一來才能對電壓放大級記憶線性化，且可采用有源負載技術，以提高電壓增益。例如圖1-7（a、b、f）所示，若要進一步改進電壓放大級，其較有成效的途徑是致力于改善其特性曲線的非線性。
功率輸出級
眾所周知，決定輸出級時針的最基本因素就是工作類別。由于甲類工作狀態不會產生交越失真和開關失真，因而成為理想的模式。然而，其產生的大信號失真仍未能小到可以忽略的程度。對甲乙類而言，如果輸出功率超出甲類工作所能承受的電平，則總諧波失真肯定會增大。因為這時的偏置控制是超前的，其互導倍增效應（即位于甲類工作區，兩管同事導通所導致的電壓增益增大現象）對時針殘留物產生影響而出現了許多高次諧波。這個事實似乎還鮮為人知，恐怕是由于在大多數放大器中這種互導倍增失真的電平相對都比較小，并被七臺河失真所完全淹沒了的緣故。對于甲乙類而言，通過對它與甲乙類失真殘留物頻譜分析可知，除不可避免的輸出級失真外，所有的非線性都已有效地加以排除，且在奇次諧波幅度上，最佳乙類狀態要比甲乙累低10Db。實際上，奇次諧波普遍認為是最令人討厭的東西，因此正確的做法是不避免甲乙類工作狀態。
由此看來，關于輸出級工作狀態的選擇，似乎只能在甲鐳和乙類二者中選取。但是，如果從效率、大信號失真、溫升及其它失真等方面綜合加以考慮的話，乙類的各項性能指標是壓倒其它類別的，因此輸出級選擇乙類工作狀態得到廣泛應用。
輸出級的類型約有20余種，例如射極跟隨器式輸出級、互補反饋對管式輸出級、準互補式輸出級、三重式輸出級、功率FET式輸出級等，還有誤差校正型輸出級、電流傾注行輸出級及布洛姆利（Blomley）型輸出級等。現僅介紹幾鐘如下：
輸出級的類型
射極跟隨器式輸出級（達林頓結構）
圖1-8是最常見的3種射極跟隨器式輸出級，他們是雙重射極跟隨器結構，其中第一個跟隨器是第2個跟隨器（輸出管）的驅動器。這里所以不稱為答林頓結構，因為達林頓結構暗含著它可以是包括了驅動管、輸出管以及各種射極電阻的集成塊。
圖1-8 3種類型的射極跟隨器輸出級
射極跟隨器式輸出級的特點是輸入是通過串聯的兩個發射結傳遞給輸出端，且這一級末加局部負反饋。另一個特點是在扁壓與射極電阻Re之間存在兩個不同的發射結，所傳輸的電流不同，且結溫也不同。
三種類型電路中，（a）為盛行的一種，其特征是把驅動管的射極電阻連接到輸出電路上去。而（b）類型兩驅動官所公有的射極電阻Rd不在接到輸出電路上，可以在輸出管正處于關斷時讓驅動管對其發射結加以反偏置。（c）類型是通過把兩驅動管射極電阻分別接到側供電電路上（而不是接到輸出電路上）來維持驅動管工作于甲類狀態的一種結構。其突出的特點是在對輸出管基極進行反偏置這一點上，表現的與（b）類型同等良好，高頻事會關端得更為干脆。
事實上，上述三種類型輸出級的共同特點都是在輸入端與負載之間串接了兩個發射結。另一
個特點就是增益降落產生在大輸出電壓與重負載的場合。
互補反饋對管式輸出級
互補反饋對管式輸出級也稱為西克對管（SzikLai-Pair）式輸出級，見圖1-9。其特點是，驅動管是按照有利于對輸出電壓與輸入電壓加以比較的需求來設置的，他可以給出更好的線性以及叫好的熱穩定性。
由博里葉分析可知，互補反饋對管式輸出級產生的大信號非線性比射極跟隨器的要小，同時，交越區的寬度也窄的多，約為±0.3V。
準互補式輸出級
圖1-10（a）示出了標準型準互補電路，（b）為巴克森德爾（Baxandall）準互補電路。標準型準互補電路在交越區附近的對稱性不佳，而對稱性得到較大的改善的是采用跋克森徳爾二極管的巴克森徳爾互補電路。它常用語放大器的閉環中，在其它時針已大大地排除之后，它能夠給出很好的性能。例如，當用于負反饋因數為34dB左右（30KHz）的放大器時，在100W條件下，失真可很容易做到0.0015%（1KHz）與0.15%（10kHz）。
圖1-9?互補反饋對管式輸出級?圖1-10?準互補式輸出級
三重式輸出級
三重式輸出級的電路結構，是在輸出級的每一半電路部分使用3個晶體管二不是2只，它可以有7種變形之多。該電路形式運用得正確，可有以下兩個好處：
a、對于大輸出電壓與電流所給出的線性較好；
b、由于能夠讓前驅動管來處理功率很小的信號，耳使其可一直保持很低的工作溫度，從而使靜態設定條件更加穩定。圖1-11示出了產品設計中所常用的3種重式輸出電路。
輸出級的時針可細分為大信號非現行失真、交越失真和開關（關斷）失真3種。
在考慮所有雙極晶體管級的情況下，它們的大信號非線性失真（LSN）共同表現如下：
a、LSN隨負載阻抗的減小而增大
在負載為8Ω的典型輸出級中，其閉環LSN通常可忽略不計，但當負載阻抗為4Ω時，其相對較純的三次諧波會在THD殘留物中變得明顯起來。
b、LSN隨驅動管發射極活集電極電阻的減小而加重。
出現上述情況的原因是驅動管?擺幅變大，然而其好處是可見效關端失真，二者兼顧折衷的方法是取阻值為47~100Ω。
需要指出的是，LSN在總失真所占有的比重（負載為8Ω時）與交越失真和關斷失真相比是很小的。這個論斷在4Ω負載時是不成立的，更不要說是2Ω負載了。如果設計重點不是放在使關斷失真最小化上，冊互補反饋對管式輸出級通常是最佳的選擇。
c、大Ic時的增益跌落可又簡單有效的前饋機制部分地加以抵消。
大信號非線性時針
輸出級的失真
交越失真
交越時針之所以對乙類功放最為有害，是由于它會產生令人討厭的高次諧波，而且其值會隨信號電品的下降而增大。事實上，就一太驅動8Ω負載放大器而言，其綜合線性是由交越失真來決定的，即使是在其輸出級設計的很好，并且加的偏壓也為最佳值時，也是如此。
圖1-12（欠圖）示出了失真加噪聲（THD+N）隨輸出電平降低而增大的情形，但其變化比較緩慢。實際上，射隨器式互補反饋對管式輸出級都具有與圖1-12相類似的曲線，不管偏置不足的程度有多大，總諧波失真在輸出電壓減半時將增加1.5倍。
圖1-12 THD+N隨輸出電平變化曲線（欠圖）
關于交越失真的情況，英國有關部門文獻的報道如下：
實驗證明，就大多數指標而言，互補反饋對管式輸出級優于射極跟隨器式輸出級。有關實驗結果于表1-1、1-2、1-3中，其中表1-2、1-3分別為互補反饋對管式輸出級及射極跟隨器輸出級和互補反饋對管輸出級的實驗結果。表中Vb為倍增偏置發生器在驅動級基極兩端建立的電壓，工作于乙類放大狀態時，Vb=Vq~3Vq，Vq為在兩個發射極電阻Re兩端產生的靜態電壓，通常Vq=5~50mV，依所選的電路結構而定。靜態電流Iq為流過輸出器件的電流，其中不包括驅動級穩定電流。
為了改善交越失真，記住以下條件結論是很重要的：
a、?靜態電流本身無關緊要，而VQ卻是至關重要的參量；
b、?一個能使VQ嚴格保持正確的熱補償方案，只需要知道驅動管和輸出管的結溫。令人遺憾的是，這些結溫實際上是不能準確測得的，但至少我們可以知道目標是什么。
關斷失真
關斷失真取決于幾個可變因素，尤其是輸出器件的速度特性和輸出拓撲。關鍵的因素是輸出級能否使輸出其間b、e結反向偏置，致使載流子吸出速度最大，以便使輸出器件迅速截止。前述圖1-8（b）射隨器輸出級電路是唯一能使輸出b、e結反向偏置的普通電路。
第二個影響因素就是驅動級發射極或集電極的電阻值，該電阻愈小，可除去已存儲電荷的速度就越快，應用這些準則可明顯減小高頻失真。
此外，圖1-8(b)所示的射隨器輸出電路的共用驅動級電阻Rd上并聯一個加速電容后，可以減小高頻時的THD失真。比如，在40Hz時，可使THD減小1半，這說明輸出器件截止要'純凈'得多。當然在300Hz~8KHz范圍內也是會有同樣的好處。
對于雙結型晶體管構成的輸出級而言，最佳輸出級的選擇如下：
（1）?第二種射極跟隨器式輸出級
這種輸出級在對付截止失真方面是最好的，但靜態電流穩定性可能有問題。
（2）?互補反饋對管式輸出級
這種輸出級具有良好的靜態電流穩定性和很小的大信號非線性，但最大的特點是如果不另加高壓電源，就不可能通過輸出基極反偏置來時間快速截止。
（3）?巴克森徳爾準互補式輸出
這種輸出級在現行方面與射極跟隨器輸出級差不多，但具有節約輸出器件成本的優點。然而其靜態電流穩定性卻不如互補反饋對管式輸出級。
詳解晶體三極管放大電路
簡單的放大電路的工作原理
簡單的放大電路的構成
對放大電路的輸入所施加的是從稱為信號源的麥克風、錄放機等而來的極小的輸出電壓。放大電路的輸出，連接有稱為負載的揚聲器、蜂鳴器等。電容C1在起著隔直作用的同時，僅讓從信號源來的像語音電流那樣的交流通過，是信號源和晶體三極管之間的連接元件。C2是使負載中僅有交流流通的元件，C1、C2都稱為耦合電容
電阻RB是決定基極電流IB值的元件，也稱作為偏置電阻。
電阻RL稱為負載電阻，是為了獲取輸出電壓的元件。
由各部分的波形考察了解放大電路的狀況
在信號源的輸出中，混入有各種各樣的頻率、振幅的信號，另外負載也根據種類不同，具有各種各樣的電阻值或阻抗值。
這里，為了說明簡單，假設輸入為具有單一頻率恒定振幅的正弦波交流電壓（輸入信號電壓簡稱為輸入電壓）。
基極端
通過耦合電容C1施加在基極-發射極間，根據從電源流過偏置電阻RB的直流IB，在基極-發射極間產生直流電壓VBE。因此，在基極-發射極間，施加的是VBE和vi疊加起來的電壓VBE+vi。另外基極流過與VBE+vi成比例的基極電流IB+ib。
集電極端
集電極端與基極端一樣，直流集電極電流IC從電源流過負載電阻RL，根據基極電流IB+ib的控制，有如圖3.5（a）所示的集電極電流IC+ic流通。
根據這一集電極電流，集電極-發射極間產生的直流成分和交流成分的電壓變成如下所示但是，對交流成分的集電極壓vc，有vc=RLic。
①當輸入電壓為0V時，因為集電極電流只有直流成分IC，所以集電極-發射極間電壓VCE只是比電源電壓VCC降低了由負載電阻RL產生的電壓降RLIC。
②當輸入電壓正向增大時，因為集電極電流IC+ic也增加，則由RL引起的電壓降變大，所以集電極-發射極間電壓減小。反之，若vi反向增大，則集電極-發射極間電壓將增大。
因此，對集電極-發射極間電壓VCE+vc，由于其直流成分被耦合電容C2所阻隔，所以輸出電壓vo變得輸出電壓，就可明白：
①當輸入電壓vi=10mv時，因為輸出電壓vo=1.7v，所以輸出被放大到輸入電壓的170倍。
②當vi正向增加時，vo為反向增加。即vi和vo之間存在180○的相位差，這稱為輸入輸出的相位反轉。
偏置的必要性和偏置電路
偏置的必要性
在前述放大電路中，只著眼了放大的情況，晶體三極管以直流成分為中心交流成分疊加其上進行工作，輸出波形可與輸入波形成比例地無失真地放大。這里，電極間的直流電壓、直流電流通常稱為偏置電壓、偏置電流，也簡稱為偏置
發射結沒有加上偏置電壓的情況。因為發射結正如已經學過的那樣由pn結組成，所以只有在vi的正半周期中成為正偏，因此，由于集電極電流ic僅在ib流通時流通，結果出現如所示的輸入波形的一半被放大的情況。
若對B、E間施加直流電壓VBE，即偏置電壓VBE一旦加上，則偏置電流IB就流通，令IB≥ibm（基極電流交流成分的最大值），則集電極電流IC+ic獲得與輸入波形成比例變化的波形。
還有，即使加上偏置電壓VBE，但假如此時流通的偏置電流Ib＜ibm，則基極電流IB+ib，集電極電流IC+ic變得如同所示，波形產生了失真。因此，放大電路設計時必須設置適當量的偏置。
偏置電路
前節的放大電路中，沒有在發射結之間專門使用稱為VBE的電源，那么，偏置是如何產生的呢，讓我們對下面的偏置電路進行分析。
固定偏置電路
這是最簡單的偏置電路，偏置電流IB自電源VCC經過RB流通。即這一電路的偏置電流IB可用下式表示：
IB=（VCC-VBE）/RB
式中VBE的值對鍺晶體三極管而言約為0.2V，對硅晶體三極管而言約為0.6～0.7V。
因此，由于一旦給定VCC的值，由該電路中的IB就基本決定，所以該電路稱為固定偏置電路。它雖電路簡單且功耗小，但由于對溫度的穩定性能差，故用于像玩具那樣的放大倍數不高、保真度要求低的場合。
電流反饋偏置電路
作為最通常被使用的偏置電路，有所示的電流反饋偏置電路。與固定偏置電路的不同的是將RA和RE接入了偏置回路。這種情況下，由于RA和RB是對電源電壓進行分壓的元件，故稱為分壓電阻。另外，RE雖稱為發射極電阻，但由于它具有使偏置穩定的作用，故又稱為穩定電阻。
這個電路的工作原理如下
①流過分壓電阻ＲＡ的分壓電流ＩＡ為基極電流ＩＢ的１０倍以上，令ＲＡ端電壓ＶＢ即使當基極電流變化時也基本保持不變。因此，偏置電壓ＶＢＥ為ＶＢ與ＶＥ的差，如下式所示：
ＶＢＥ＝ＶＢ－ＶＥ＝ＶＢ－ＩＥＲＥ
②現在，一旦溫度上升，ＩＣ增加，則因為發射極電流ＩＥ增大，ＩＥＲＥ也增大，所以ＶＢＥ減小。
③若ＶＢＥ減小，則由于ＩＢ減小，所以可抑制ＩＣ的增加。
因此，電路雖較復雜，但對于溫度變化的穩定性好。
如何確定偏置電路的電阻值
集電極電流和負載電阻的確定方法
放大電路設計時的電源電壓，考慮到放大電路的用途、晶體三極管及負載的種類等，采用從電池或穩壓電源電路獲取電壓等，選擇適合于相應狀態的電壓就可以。
其次，考慮如何確定集電極電流和負載電阻的值。下節將詳細敘述，因為集電極－發射極間的電壓ＶＣＥ取值為電源電壓ＶＣＣ的１／２，所以可從負載電阻ＲＬ上獲取最大的輸出。因此，同圖電路中負載電阻ＲＬ上的電壓降變成電源電壓剩下的一半，集電極電流ＩＣ表示為下式：
即選擇集電極電流ＩＣ，以使ＶＣＥ成為１／２的ＶＣＣ即可。
如上所述，首先確定電源電壓ＶＣＣ，然后若確定了ＩＣ，則ＲＬ確定。如果，根據負載的種類ＲＬ先確定下來的話，則ＩＣ在其后確定。通常，ＩＣ先被確定的時候居多，特別是對信號放大時的初級晶體三極管，由于輸入電壓很小，偏置電流盡可能取得小一些以防止雜音的產生，所以集電極電流取得小一些。
還有，人們一般認為若對負載電阻RL取較大值，則RL的輸出電壓將變大，輸出或產生失真，或輸出電壓降低。其原因是由偏置的不恰當引起失真和一旦IC降低到某種程度就會導致hFE降低，從而使輸出電壓降低。
偏置電路電阻值的確定方法
設計偏置電路時，如前面已學過的那樣，對電源電壓、集電極電流、負載電阻的值等有事先確定的必要。這些稱為偏置電路的設計條件。
（a） 固定偏置電路的電阻值
首先，作為設計條件選定如下的值：
電源電壓VCC=9V
偏置電壓VBE=0.67V
集電極電流IC=2.5mA
直流電流放大倍數hFE=140
對基極電流IB，根據hFE=IC/IB，有
RB滿足下式：
因此，雖RB的標稱值取為470K，但因為電阻器也存在誤差，所以IC選用的值接近2.5mA。
（b） 電流反饋偏置電路的電阻值
設計條件與固定偏置電路部分相同，如下所示
電源電壓VCC=9V
偏置電壓VBE=0.67V
發射極電流IE=集電極電流IC
發射極電壓VE為電源電壓VCC的20％
集電極電流IC=2.5mA
直流電流放大倍數hＦＥ＝１４０
ＩＡ是ＩＢ的１０倍
①ＲＥ的確定 因為ＶＥ是ＶＣＣ的２０％，所以ＶＥ=1.8V，另IE=IC=2.5mA，則
②RA的確定 基極電流IB為
因為IＡ是IB的10倍，所以
IA=10IB=10×18×10-6=180μA
又，RA的端電壓VB
VB=VBE+VE=0.67+1.8=2.47V
因此，對RA有
③RB的確定 流過RB的電流IA+IB為
IA+IB=180μA+18μA=198μA
RB的端電壓VA為
VA=VCC-VB=9-2.47=6.53V
因此，RB由下式確定為
根據特性曲線求解偏置和放大倍數的方法
利用特性曲線圖求解偏置電壓和偏置電流②
晶體三極管的電壓和電流的關系可以用靜態特性曲線表示，利用這一特性曲線， （a） 直流負載線的畫法
對晶體三極管接入負載，取出其上輸出時的特性稱為動態特性。對這個電路若只考慮直流成分，集電極是電壓VCE如下所示：
VCC=VL+VCE+ICRL+VCE
VCE=VCC-ICRL
根據上式，為了將VCE和IC的關系用VCE-IC特性曲線來表示，按以下步驟進行
①求VCE=0時的IC=ICA。
ICA=VCC/RL
現在，因為VCC=9V，RL=1.8K，所以VCE為0V時，有ICA=5mA，將其取作A點。
②求IC=0時的VCE。
VCE=VCC
故IC=０時，有VCE=9V，將其取作B點。
③連接A點和B點畫直線段 因為這一直線段AB的斜率由負載電阻RL決定，所以稱為負載線。
（b）偏置電壓和偏置電流的求解方法
VCE和IC的關系總是反映在負載線上，負載線上任意的點被稱為工作點。因而根據工作點可以求出偏置。例如若將工作點置于P，則有VCE=4.5V，IC=2.5mA，IB=18μA。另外，對于這一IB的值，，根據工作點P可得VBE=0.67V。
（c） 由工作點的偏移引起的輸出電壓的失真
為了使輸出電壓vo無失真地放大，由于將VCE置于中點，vo可以有較大的動態范圍，所以必須注意VCE和vo的關系。例如，將VCE置于左右錯開2V、8V之處，若以此為中心疊加上振幅為2.5V的vo，將產生失真。
因此，由上述分析可見VCE值，由于其取值為電源電壓的1/2，即處于負載線的兩等分點處，故可獲得最大的無失真輸出電壓vo。
交流成分的工作原理
當輸入電壓vi施加到電路上時，放大的情況如下所述
①可以表示出在VBE-IB特性曲線上，以VBE=0.67V為中心，輸入電壓有vi=10mV的變化。即vi以P為中心，在P1和P2之間變化。
②可以表示出在VCE-IC特性的直流負載線上，ib的變化、ic的變化、輸出vo的變化，均分別以工作點P為中心，在P1和P2之間進行。
③因此，輸出電壓vo以 VCE=4.5V為中心，以1.7V的振幅進行變化。
電壓放大表示和增益
輸出電壓vo和輸入電壓vi之比稱為電壓放大倍數Av，由下式表示：
Av=vo/vi
另外，電壓放大倍數也有用對數表示的，這稱為電壓增益Gv，如下表示，以［dB］作為單位。
Gv=20log10Av［dB］
因而，有Av=170倍，Gv=44.6dB。還有，除電壓之外，電流、功率也有放大倍數和增益，它們各自的關系如表3.1和表3.2所示。
用晶體三極管的四個參數畫出等效電路
晶體三極管的四個參數是什么
為設計晶體三極管電路，可以利用晶體三極管的靜態特性來求出偏置、放大倍數等。仔細觀察發現這一靜態特性的利用范圍幾乎是線性部分。為代替靜態特性，可以用線性范圍內的某一部分的斜率以數值的形式來表示特性曲線，稱其為h參數。在2.4節，只演示了實際使用的三條特性曲線，根據四條特性曲線，有如下所示四個h參數。
Hfe（電流放大倍數）：是IB-IC特性曲線的斜率，hfe=△IC/△IB
Hie（輸入阻抗）：是VBE-IB特性曲線的斜率，hie=△VBE/△IB［］
Hoe（輸出導納）：是VCE-IC特性曲線的斜率，hoe=△IC/△VCE［S］
Hre（電壓反饋系數）：是VCE-VBE特性曲線的斜率，hre=△VBE/△VCE
以上h參數的值，不僅根據晶體三極管種類的不同而有差異，而且，即使是同一個晶體三極管，也會根據集電極電流IC、集電極-發射極間電壓VCE、周圍溫度Ta等測定條件的不同
利用h參數可以表示晶體三極管的等效電路
晶體三極管電路的放大倍數雖可以利用靜態特性通過作圖的方法進行求解，但若直接計算則更為方便。因此，有必要學習利用h參數來表示晶體三極管對交流的作用的晶體三極管等效電路。 （a） 輸入端的等效電路
因為△VBE與交流量的vbe=vi相當，△IB與交流量的ib=ii相當，所以，各自的關系如下式所示：
因此，基極-發射極間相對于交流的輸入阻抗與hie相等，
（b） 輸出端的等效電路
△VCE與交流量的vce=vo、△IC與交流量的ic=io、△IB與交流量的ib=ii相當，分別求解各關系，有下列各式成立：
因此，集電極-發射極間，與負載電阻RL上流過hfeii的電流的電路等效，（c） 晶體三極管完整的等效電路
這樣的等效電路稱為簡易等效電路，完全勝任于實際應用。這里，如果RL》1/hoe，就使用等效電路。
利用等效電路求取放大倍數的方法
利用h參數等效電路求取放大倍數的方法
已利用特性曲線由圖解法獲得，這里試根據h參數等效電路，通過計算的方法來求取。
放大電路的h參數，通常采用表示在產品目錄、規格手冊等上的數值。如前所述，這些值隨測試條件的不同而變化，這里選用與3.4節的情況相同的條件，則h參數如表3.3所示。
對交流而言是將RB接入基極-發射極之間，而將RL接入集電極-發射極之間。但是，由于RB和hie成為并聯且RB》hie，所以RB可以忽略不計。另外，因RL和1/hoe成為并聯且1/hoe》RL，所以1/hoe可以忽略不計
電壓放大倍數
因為電壓放大倍數Av是輸出電壓vo和輸入電壓vi之比，所以由等效電路得下式：
將表3.3中的數值代入，得
這樣，電壓放大倍數與在3.4節由圖解法求得的值基本一致。
（b） 電流放大倍數和功率放大倍數
電流放大倍數Ai和功率放大倍數Ap，也可以根據等效電路按如下方式求得。
（c） 輸入阻抗和輸出阻抗
從輸入端的基極-發射極間，以及從輸出端的集電極-發射極間分別向三極管內部看去時的阻抗稱為輸入阻抗Zi和輸出阻抗Zo雖在簡易等效電路中，1/hoe省略了，但實際上它存在于集電極-發射極之間。因此，根據同圖（b）和表3.3，Zi、Zo如下所示：
Zi=hfe ∴Zi=1.5kΩ
Zo=1/hoe ∴Zo=100kΩ
放大電路的分類
對放大電路，有根據晶體三極管的三個電極中哪個接地而決定的分類法和根據晶體三極管工作時工作點的設定而決定的分類法，在表3.4中表示了各種分類。
本章小結
偏置的必要性
為了不失真地放大輸入波形，必須預先設定一定的直流電流流過基極-發射極間。這就是偏置，施加在各電極間的直流電壓稱為偏置電壓，流過的直流電流稱為偏置電流。
偏置電路
有電路簡單、功耗小的固定偏置電路，通常被使用得最多的是能夠抑制由溫度變化引起集電極電流變化的電流反饋偏置電路。
負載線和工作點
在VCE-IC特性曲線上，根據VCE=VCC-RLIC，求解當VCE=0時的IC，和IC=0時的VCE，連接各自點的直線段就是負載線。另外，負載線上的每一個點稱為工作點，由工作點可以知道晶體三極管工作時的偏置情況。
電壓放大倍數和增益
若令輸入電壓為vi，輸出電壓為vo，則電壓放大倍數Av及電壓增益Gv由下式表示：
Av=vo/vi Gv=20log10Av［dB］
H參數
求解靜態特性的線性范圍的部分斜率，有能夠反映這些特性的如下所示的參數：
hfe（電流放大倍數）：△IC/△IB
hoe（輸出導納）：△IC/△VCE［S］
hie（輸入阻抗）：△VBE/△IB［Ω］
hre（電壓反饋系數）△VBE/△VCE
晶體三極管的等效電路
對在靜態特性上利用圖解法求得放大倍數而言，利用h參數表示的晶體三極管交流信號等效電路，根據計算得出結果的方法更為方便有效。
結語
關于晶體三極管放大原理及其電路就介紹到這了，希望本文能對你有所幫助。