本來前幾天就準備寫一篇關于三極管開關電路的文章了，自己也認為比較簡單，不是什么大問題。開關電路大家肯定經常用到，無非是像下圖這樣。
但是寫的時候，截止狀態倒是很好判斷，飽和狀態卻不是直接能看出來的，所以就拖到了今天。關于三極管開關電路有以下幾個問題：
1.三極管飽和與截止判斷條件是什么？
2.什么是發射結、集電結的正偏與反偏？
3.什么是臨界飽和與深度飽和？
4. 進入臨界飽和與深度飽和的條件？
5.三極管開關電路基極、集電極電阻的選?。?/p>
6.三極管的開關速度受什么影響？
7.三極管會受溫度影響嗎？
8.?有哪些常用的三極管？
1. 三極管飽和與截止判斷條件是什么？
飽和--發射結正偏，集電結正偏；
截止--發射結反偏，集電結反偏；
2. 什么是發射結、集電結的正偏與反偏？
如上圖所示，NPN三極管內部有2個PN結，分別為發射結和集電結。
集電結正偏：集電極電壓低于基極時，集電極與基極PN結正向，Uce
集電結反偏：集電極電壓高于基極時，集電極與基極PN結反向，Uce>Ube;
發射結正偏：發射極電壓低于基極時，集電極與基極PN結正向，Ube=0.7V;
發射結反偏：發射極電壓高于基極時，集電極與基極PN結反向，Ube<0.7V;
3. 什么是臨界飽和與深度飽和？
臨界飽和是三極管從放大狀態過渡到飽和狀態的臨界點；
深度飽和沒有具體的定義，基極電流要足夠大，網上看到大于2倍臨界飽和Ib。
4. 進入臨界飽和與深度飽和的條件？
從上圖可知，Uce=VCC-Ic*Rc；
當Uce=0時，Icmax=VCC/Rc，此時臨界基極電流Ib=Ic/β=VCC/βRc。
飽和狀態需通過Ib來判斷：
當Ib=VCC/βRc時，三極管基本處于臨界飽和狀態。
當Ib>2VCC/βRc時，三極管基本進入深度飽和狀態。
5.三極管開關電路基極、集電極電阻的選取？
以LMBT3904LT1G為例，首先確定R6，根據后級所需最小電流確定R6最大值，然后根據Ic承受最大集電極電流確定R6最小值。正常情況下，R6的選值范圍一般在1K~10K左右，對應的驅動電流范圍為3.3mA~330uA，本文選R6=10kΩ。
臨界飽和時，VCC=3.3V，Ic=0.33mA，如上圖所示，假設β=70，Ib=VCC/βRc=Ic/β=0.33/70=4.7uA，因此只要Ib大于4.7uA即可。Rb<(3.3-0.7V)/4.7uA=553kΩ，本例中Rb=R3?= 10K，Ib = (3.3-0.7)/10K = 0.26mA>4.7uA.
6.三極管的開關速度受什么影響？
以LMBT3904LT1G為例，下圖為開關測試電路。
從下圖的測試曲線可以看出：
當Ic/Ib=10時，Ic從1mA增加100mA時，上升和下降時間都在減小，因此上拉電阻Rc減小，開關的上升/下降時間也隨之較小。
當Ic不變的時候，Ic/Ib=10比Ic/Ib=20的下降時間小，因此串聯電阻Rb減小，開關的下降時間較小。
7. 三極管會受溫度影響嗎？
對于溫度參數，比較典型的就是三極管的導通電壓Ube，Ube會隨著環境溫度的升高而降低，硅三極管的Ube室溫下約為0.7V。資料顯示，硅三極管發射結正向壓降的變化量是每增加1℃，Ube就降低2.5mV。我經?？吹较旅孢@個電路，并聯一個二極管來降低三極管的受溫度的影響，當Vbe下降或上升時，二極管VD1會有同樣的溫度特性，這樣基級偏置電流Ib變化就很小了。
8.?有哪些常用的三極管?
LMBT3904LT1G/LMBT3906LT1G,L9012PLT1G/L9013QLT1G,PMBT3906,215/PMBT3904,215,MMBT3904/MMBT3906,BC817-40,215/BC807-40,215,S8050/S8550、MMBT4401LT1G/MMBT4403LT1G、BC846/BC856、MUN2213T1G、MMBT5551LT1G.
審核編輯：劉清