1、NPN雙極型三極管的形成原理：

通過向發(fā)射極，基極，集電極注入雜質(zhì)，當(dāng)發(fā)射結(jié)電壓正偏，集電結(jié)電壓反偏時(shí)，即UC>UB>UE時(shí)，電子從發(fā)射極移動(dòng)到集電極，形成導(dǎo)通電流，電流方向?yàn)檎姾煞较颍猿Ｒ姷碾娏鞣较蚴菑募姌O到發(fā)射極導(dǎo)通。

2、NPN雙極型晶體管的隔離和寄生pnp管：

集成電路中用到的元件結(jié)構(gòu)和分立元件的單管結(jié)構(gòu)不同，例如二極管（PN結(jié)），雖有單向?qū)щ娦裕遣荒苡糜诩呻娐罚呻娐分械慕Y(jié)構(gòu)要復(fù)雜的多。

隔離技術(shù)：

由于所有晶塊有一個(gè)襯底，因此要通過電學(xué)隔離技術(shù)來避免元器件之間的干擾。

（1）采用介質(zhì)隔離（通常用二氧化硅），如下圖2.11，在每個(gè)元器件（三極管電阻電容等）之間構(gòu)筑一道隔離環(huán)，這樣就實(shí)現(xiàn)了元件之間的電隔離。

（2）采用PN結(jié)隔離，如下圖2.12，使兩個(gè)三極管之間的集電極之間插入P型襯底，只要插入的襯底P型比集電極的N型電位高，那么兩個(gè)晶體管之間就被反向偏置的PN結(jié)隔開，實(shí)現(xiàn)隔離目的。PN結(jié)隔離技術(shù)是一個(gè)四層三結(jié)結(jié)構(gòu)。

四層：發(fā)射區(qū)（n），基區(qū)（p），集電區(qū)（n），襯底（p、）。

三結(jié)：發(fā)射結(jié)，集電結(jié)，隔離結(jié)（襯底結(jié)）。

注：這里我從網(wǎng)上找了好久都沒找到合適的圖，沒辦法，只能從書上找了一張示意圖，這樣有圖應(yīng)該好理解一些。

從上圖可以看出，四層三結(jié)的NPN管中含有寄生的PNP管（由基區(qū)，集電區(qū)和襯底所構(gòu)成），這個(gè)寄生的PNP管也是和分立元器件的顯著區(qū)別。



審核編輯：劉清
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