美國IR公司的IR2110芯片是一種雙通道、柵極驅動、高壓高速功率器件的單片式集成驅動模塊。由于它具有體積小、成本低、集成度高、響應速度快、偏值電壓高、驅動能力強等特點，自推出以來，這種適于功率MOSFET、IGBT驅動的自舉式集成電路在電機調速、電源變換等功率驅動領域中獲得了廣泛的應用。IR2110采用先進的自舉電路和電平轉換技術，大大簡化了邏輯電路對功率器件的控制要求，使得每對MOSFET（上下管）可以共用一片IR2110，并且所有的IR2110可共用一路獨立電源。對于典型的6管構成的三相橋式逆變器，可采用3片IR2110驅動3個橋臂，僅需1路10V~20V電源。這樣，在工程上大大減少了驅動電路的體積和電源數目，簡化了系統結構，提高了系統可靠性。
IR2110的特點
?。?）具有獨立的低端和高端輸入通道。
?。?）懸浮電源采用自舉電路，其高端工作電壓可達500V。
?。?）輸出的電源端（腳3）的電壓范圍為10—20V。
?。?）邏輯電源的輸入范圍（腳9）5—15V，可方便的與TTL，CMOS電平相匹配，而且邏輯電源地和功率電源地之間允許有V的便移量。
?。?）工作頻率高，可達500KHz。
?。?）開通、關斷延遲小，分別為120ns和94ns。
（7）圖騰柱輸出峰值電流2A。
IR2110內部功能圖
LO（引腳1）：低端輸出
COM（引腳2）：公共端
Vcc（引腳3）：低端固定電源電壓
Nc（引腳4）：空端
Vs（引腳5）：高端浮置電源偏移電壓
VB（引腳6）：高端浮置電源電壓
HO（引腳7）：高端輸出
Nc（引腳8）：空端
VDD（引腳9）：邏輯電源電壓
HIN（引腳10）：邏輯高端輸入
SD（引腳11）：關斷
LIN（引腳12）：邏輯低端輸入
Vss（引腳13）：邏輯電路地電位端，其值可以為0V
Nc（引腳14）：空端
IR2110的工作原理
IR2110內部功能由三部分組成：邏輯輸入；電平平移及輸出保護。如上所述IR2110的特點，可以為裝置的設計帶來許多方便。尤其是高端懸浮自舉電源的設計，可以大大減少驅動電源的數目，即一組電源即可實現對上下端的控制。
高端側懸浮驅動的自舉原理：
IR2110驅動半橋的電路如圖所示，其中C1，VD1分別為自舉電容和自舉二極管，C2為VCC的濾波電容。假定在S1關斷期間C1已經充到足夠的電壓（VC1VCC）。
當HIN為高電平時如圖4.19：VM1開通，VM2關斷，VC1加到S1的柵極和源極之間，C1通過VM1，Rg1和柵極和源極形成回路放電，這時C1就相當于一個電壓源，從而使S1導通。由于LIN與HIN是一對互補輸入信號，所以此時LIN為低電平，VM3關斷，VM4導通，這時聚集在S2柵極和源極的電荷在芯片內部通過Rg2迅速對地放電，由于死區時間影響使S2在S1開通之前迅速關斷。
當HIN為低電平時如圖4.20：VM1關斷，VM2導通，這時聚集在S1柵極和源極的電荷在芯片內部通過Rg1迅速放電使S1關斷。經過短暫的死區時間LIN為高電平，VM3導通，VM4關斷使VCC經過Rg2和S2的柵極和源極形成回路，使S2開通。在此同時VCC經自舉二極管，C1和S2形成回路，對C1進行充電，迅速為C1補充能量，如此循環反復。
