DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。輸入電源監測容忍條件。當檢測到這樣的情況下，芯片使能抑制實現寫保護和電池提供不間斷電源的RAM接通。特殊的電路采用低泄漏CMOS能提供精確的電壓檢測，在極低的電池消耗量的過程。8引腳DIP封裝，保持PC板房地產需求到最低限度。DS1210非易失控制器芯片的CMOS記憶體和電池相結合，可以實現非易失性RAM操作。
關鍵特性
皈依的CMOS公羊到非易失性存儲器
無條件寫保護當V CC是容錯
自動切換到電池電源故障發生時
節省空間的8引腳PDIP或16引腳SO封裝
功耗小于電池電流為100nA
測試電池的狀況上電
提供冗余電池
可選5%或10%的電源故障檢測
低正向壓降的V CC交換機
可選的工業(N)的溫度范圍為-40°C至+85°C間
