近日，第十一屆中國半導體行業協會分立器件年會暨2017中國半導體器件創新產品與應用及產業發展論壇在西安順利舉行，深圳基本半導體有限公司作為支持單位參與了本次論壇。

　　活動由中國半導體行業協會主辦，邀請全國幾十所高校、科研院所及企業的數百名行業人士參與，基本涵蓋產、學、研、用的眾多機構和企業代表。通過主題演講和學術報告的形式，嘉賓們分享并探討碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、石墨烯等各類半導體新材料、功率器件、封裝工藝的最新技術和研究成果。碳化硅是目前非常熱門的第三代半導體材料，在本次活動上相關主題分享達到十多場，其火爆程度可見一斑。

　　基本半導體此次攜最新研發的碳化硅功率器件亮相高峰論壇，其中包括各電流電壓等級的碳化硅JBS二極管、1200V MOSFET、10kV PiN二極管等產品，吸引眾多行業人士駐足交流。基本半導體1200V、1700V JBS二極管采用特有的嵌入式結構，反向漏電流比傳統結構低3個數量級，更利于高溫（250℃）環境下工作，抗浪涌電流能力強；公司推出的MOSFET采用高質量柵氧工藝，導通電阻闕值電壓與國際同類產品參數相當；10kV PiN二極管憑借自身高質量外延技術，良率達到75%以上，公司自主設計開發了對應的高壓封裝結構，產品性能達到國際領先水平。

　　碳化硅器件可廣泛應用于新能源發電、新能源汽車、家用電器、節能環保、軌道交通、醫療設備、智能電網、國防軍工等領域。2016年美國福特電動汽車搭載碳化硅MOSFET器件，在城市和高速上實測相比硅IGBT損耗降低超過77%；美國新一代航空母艦中，變壓器由傳統的磁結構改為碳化硅器件的電力電子變壓器，重量從6噸減少到1.7噸，體積從10立方米減少到2.7立方米，碳化硅器件性能優越優勢顯著。

　　我國在第三代半導體材料研究上一直緊跟世界前沿，是世界上為數不多的碳化硅材料襯底、外延產業化的國家，但是在碳化硅器件設計和制造工藝方面整體實力較弱。基本半導體引進國外領先技術，對碳化硅器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等各方面進行研發和產業化，全方位覆蓋產業鏈各個環節，依靠技術創新推動碳化硅器件的國產化進程。

　　有國家政策扶持和市場強勁需求雙重利好加身，中國碳化硅行業蓄勢待發，迎來產業化發展的春天。