然而，目前對于厚膜電阻中爆裂噪聲的起源尚無定論。有研究者認為爆裂噪聲是由導電顆粒之間非常薄的絕緣玻璃釉中的缺陷導致的［29］，這些缺陷會不斷俘獲或釋放載流子，形成載流子的產生-復合中心，當這些產生-復合中心處于高場強時，則它們會使勢壘發生變化從而引起隧道電流的漲落，導致爆裂噪聲。

　　從圖4.7中的態噪聲，即噪聲脈沖的幅度基本一致。這種爆裂噪聲多見于其他半導體器件，而非厚膜電阻之中［30］。大多數其他種類電阻的爆裂噪聲的脈沖高度是不一樣的，可能會同時存在兩三種高度的脈沖。脈沖的高度是由電阻材料中高場強部位中的微觀缺陷態所導致的。每個足以激發出爆裂噪聲的微觀缺陷，對應著一個脈沖。如果樣品材料中含有多個足以在高場強下激發出爆裂噪聲的缺陷，則該器件的爆裂噪聲時域波形中會含有多種高度的脈沖，其頻域中會含有明顯的洛倫茲譜，因而不會再表現為典型的爆裂噪聲曲線。

　　我們對不同電壓下的爆裂噪聲時域信號進行了測試，如下圖所示：

　　從以上圖中我們可以看到，爆裂噪聲在低電壓下并不明顯，但隨著所加直流偏置電壓的增加而變得強烈。該現象可用電場強度對厚膜電阻中的爆裂噪聲的影響來解釋。厚膜電阻中的爆裂噪聲主要是由絕緣介質中的缺陷在高場強下引起的。因此影響爆裂噪聲的因素有兩個，即電阻體中的缺陷數量和這些缺陷所處的電場強度。當器件偏壓較低時，器件中的電場較低，因此即便有個別缺陷處于高場強，其相對電場強度還是比較小，因而爆裂噪聲不明顯。隨著電壓的不斷增大，電阻體材料的電場強度不斷增加，從而導致個別相對場強較高的缺陷區域的電場的絕對強度大幅增加，從而加強了產生-復合中心對于載流子的俘獲和釋放，導致爆裂噪聲更加明顯。

　　在實際工程應用中，為了降低厚膜電阻的噪聲，除了對電阻進行篩選之外，另外一個有效的方法是盡量使厚膜電阻兩端偏壓置于低電壓水平，以免激發出強烈的爆裂噪聲。同時在應用條件允許的情況下，盡量選擇同阻值中尺寸較大的厚膜電阻也可以有效降低樣品的噪聲水平。