晶圓市場在持續低迷后，迎來春天

掌握市場動向的一種方法是觀察硅晶圓片和光掩膜板這兩個關鍵細分市場。

多年來，硅片市場一直飽受供過于求的困擾，導致價格持續低迷。但在2017年需求有所增長，硅晶圓市場也朝著均衡狀態邁進，因此價格有所提升。

根據SEMI的數據，預計2018年硅晶片出貨量將達到11，814百萬平方英寸，比2017年增長3.2%。據SEMI說，2017年的增長率為8.2%。

圖3：晶圓出貨量預測

根據SEMI的數據，2016年，光掩膜板市場銷售額為33.2億美元，較2015年增長2%。在2017年和2018年，掩膜市場預計將分別增長4%和3%。

在先進的節點，光掩膜板變得越來越復雜，難以制造。有幾個挑戰，但主要的問題是使用今天的單波束電子束系統花更長的時間去做一個掩膜。因此，對于復雜的掩膜，該行業正開始在掩膜商店中采用一種新的多波束系統。

英特爾公司的子公司IMS Nanofabrication已經在市場上發布了多光束掩膜寫入器。競爭對手NuFlare也在出售類似的系統。

D2S的 Fujimura說，不管是用于193i光刻的多重圖案化的復雜ILT（反向光刻技術）圖案，還是即將具有30nm亞分辨率輔助特征的EUV掩膜，在前沿工藝上的掩模方面都需要多波束復刻。

掩膜制作與光刻相關聯。在光刻技術中，最大的問題是EUV光刻技術是否會在2018年投入生產。芯片制造商想要EUV用于7nm或5nm。理論上，EUV可以降低這些節點的復雜性。但是今天，EUV還沒有準備好。EUV能否投入使用依賴于EUV電源、光刻膠和掩膜等方面是否準備好。

盡管面臨諸多挑戰，三星希望在2018年的 7nm邏輯工藝節點上使用EUV。相比之下，其他芯片制造商將采取更為保守的路線，從傳統的193nm沉浸式和10nm / 7nm的多重曝光開始切入。

Fujimura表示，對于EUV來說，無論其投入生產中是在2018年下半年開始，還是在2019年，很明顯，半導體行業正準備在生產中使用EUV。EUV最初將部署在已經部署了193nm多重曝光的領域。這將使生態系統更順利地過渡，而不是一下子全盤轉換。

芯片制造商可能會在短期內將EUV插入一層或幾層，但實際的大批量生產仍然需要一兩年的時間，EUV光刻及其生態系統將在2018年至2019年繼續發展，2020年的態勢也持續見好。

然而，EUV不會主導整個格局。在插入時，EUV將主要用于代工和邏輯應用的切割和過孔。這大約占據整個曝光市場的20%，其余仍是多重曝光。

Fad尺寸新突破：計劃遷移至10nm/7nm

對于設備供應商來說，前沿的市場/邏輯市場在最近幾年相對低迷。在每個節點上，芯片制造商都需要大量的研發投入和資本投入。而且，在每個節點上，越來越少的代工廠客戶負擔得起研發費用。

2018年，GlobalFoundries、Intel、Samsung和TSMC預計將從16nm / 14nm的FinFET遷移到10nm /7nm FinFET。英特爾正在增加10nm，而代工廠正在準備。簡而言之，Intel的10nm技術相當于其他代工廠的7nm節點。

圖4:FinFET vs. planar

無論如何，芯片制造商都面臨著一些挑戰。例如，英特爾原本預計在2017年下半年進入10nm的批量生產，但是由于技術的挑戰，這一時程延緩到了2018年上半年。

投資銀行Morningstar的分析師Abhinav Davuluri最近接受采訪時說，英特爾是一家以高盈利為目的的公司。根據從他們的產品推出和時間表中看到的情況，他們不得不把（10nm）推掉，轉由年底生產，而在2018年還不一定能全面發力。

時間會告訴我們，GlobalFoundries、三星和臺積電是否會在7nm競爭。據高德納咨詢公司（Gartner）的分析師Samuel Wang表示，看起來這三家代工廠都取得了不錯的進展。

盡管如此，預計到2018年，10nm / 7nm的采用率將逐步提高。Wang說，從預計到2018年，這方面收入將從25億美元增加到30億美元。相比之下，10nm營收預計將在2017年達到50億美元。

應用材料的Sherman表示，隨著時間的推移10nm / 7nm預計會成為一個大而長的節點，與28nm節點不相上下，這個比例還在增加。5nm也同樣如此。