旋轉圓盤與旋轉輪類似，不同之處在于旋轉圓盤不是擺動整個圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉圓盤系統。
2023-06-06 10:43:44
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阱區注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因為它需要形成阱區建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區內，而P型晶體管形成于N型阱區。
2023-06-09 11:31:083889 
統的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優缺點。一般來說，高溫擴散工藝簡單，設備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫擴散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復雜且設備昂貴，但它可獨立控制摻雜元素的濃度和結深，雖然也會給襯底引入大量的點缺陷和擴展缺陷。
2023-12-22 09:41:21704 
物聯網的概念物聯網技術前景的發展趨勢
2021-02-24 07:16:02
離子注入是將離子源產生的離子經加速后高速射向材料表面，當離子進入表面，將與固體中的原子碰撞，將其擠進內部，并在其射程前后和側面激發出一個尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞，后者再繼續下去，大約在10-11s內，材料中將建立一個有數百個間隙原子和空位的區域。
2019-10-30 09:10:53
離子注入工藝資料~還不錯哦~
2012-08-01 10:58:59
CMOS射頻電路的發展趨勢如何？
2021-05-31 06:05:08
Multicom發展趨勢如何？開發Multicom無線產品時需要面臨哪些挑戰？如何突破測試Multicom產品的難題呢？有沒有一種解決方案可以既縮短測試時間又節約測試成本呢？
2021-04-15 06:26:53
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
PCB發展趨勢1） 推動PCB技術發展的主要動力，在于集成電路（IC）等元件的集成度發展迅速，促使PCB向高密度化發展
2012-11-24 14:52:10
本文將對用于觸摸屏和LCD部件的最新LOCA技術進行全面的概述，包括材料、應用過程和性能。還將介紹TFT-LCD偏光片技術的最近發展趨勢，以及漢高公司的具有超低粘度和優異性能、應用于下一代偏光板的新LOCA產品。
2021-06-01 06:24:08
TPMS技術與發展趨勢TPMS發射器由五個部分組成（1）具有壓力、溫度、加速度、電壓檢測和后信號處理ASIC 芯片組合的智能傳感器SoC；（2）4-8位單片機（MCU）；（3）RF射頻發射芯片；（4
2009-10-06 15:12:35
，并對其發展趨勢作出了研討。 關鍵詞：WIFI技術 技術特點 應用領域 發展趨勢 一、WIFI技術原理 WIFI也稱無線寬帶、無線網，英文名稱為Wireless-Fidelity，簡稱WI-FI
2020-08-27 16:38:15
大家來討論一下stm8的發展趨勢，聽說最近挺火哦！
2013-11-04 15:27:14
，影響了從辦公室到遠程工作的業務發展。隨著人們在未來一年不斷適應，將會看到人工智能和機器學習技術在2021年的五個發展趨勢：
2021-01-27 06:10:12
傳感器作為信息產業的重要神經觸角，它在實際生活中的應用越來越廣泛，傳感器作為物聯網采集信息的終端工具，就如同是物聯網的“眼睛”“鼻子”和“耳朵”，是感知層的關鍵技術，那么傳感器將會有哪些發展趨勢
2020-11-26 06:23:42
伺服系統國內外研究現狀如何？伺服系統的發展趨勢是怎樣的？伺服系統相關技術是什么？
2021-09-30 07:29:16
摘 要：先進封裝技術不斷發展變化以適應各種半導體新工藝和材料的要求和挑戰。在半導體封裝外部形式變遷的基礎上，著重闡述了半導體后端工序的關鍵一封裝內部連接方式的發展趨勢。分析了半導體前端制造工藝的發展
2018-11-23 17:03:35
如題，尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項監控手段
2021-04-01 23:50:33
【作者】：姚穎穎;王曉艷;宮銘豪;梁晉春;張乃光;【來源】：《廣播電視信息》2010年03期【摘要】：本文分析了三網融合背景下廣電行業的業務發展趨勢,并提出一種新業務技術——業務捆綁技術,最后總結
2010-04-23 11:35:44
的各種缺點分析了發展趨勢，并提供了各種解決方案，及后期如何進行發展。同時對于開關電源市場的發展前景進行了總結，總的來說開關電源還是有很大的發展空間和持續的市場生命力。更多技術請關注沃爾開關電源www.jnwoer.com
2016-03-20 14:15:45
智能視頻分析技術的應用現狀如何？“”未來智能視頻分析技術的發展趨勢怎樣？
2021-06-03 06:44:16
的發展，將出現若干新的半導體技術，在芯片之上或者在芯片之外不斷擴展新的功能。圖1就顯示了手機芯片技術的發展趨勢。
2019-07-24 08:21:23
`新能源汽車電機驅動關鍵技術及發展趨勢`
2016-05-12 10:34:03
無線技術的下一波發展趨勢是什么？
2021-05-26 06:42:02
智能制造中木工機械發展趨勢怎樣？我國是家具生產、消費和出口的大國，木工機械作為家具行業的基本產業，在發展了數十年后，取得喜人成績。從原始的手工業到如今先進的數控技術，那智能制造中木工機械發展趨勢怎樣
2021-10-28 16:17:30
未來PLC的發展趨勢將會如何？基于PLC的運動控制器有哪些應用？
2021-07-05 07:44:22
汽車電子技術的發展趨勢是什么？
2021-05-17 06:33:49
靈動微對于未來MCU發展趨勢看法
2020-12-23 06:50:51
汽車電子技術應用現狀如何？汽車電子技術發展趨勢是什么？
2021-05-17 06:04:28
電池供電的未來發展趨勢如何
2021-03-11 07:07:27
電源模塊的未來發展趨勢如何
2021-03-11 06:32:42
也許是因為最新電源管理技術的相關難題，或者是電源管理行業保守的本質，電源領域的發展趨勢往往具有很長的生命周期。但是我們不能僅僅因為行業中存在一個固有的趨勢就止步不前。當不再有創新的機會時，所謂
2018-10-08 15:35:33
自動化測試技術發展趨勢展望分析，不看肯定后悔
2021-05-14 06:50:31
藍牙技術未來的發展趨勢，在APTX后還會有怎么樣的技術革新
2019-03-29 15:56:11
蜂窩手機音頻架構的未來發展趨勢是什么
2021-06-08 06:31:58
CMOS傳感器的最新技術有哪些？傳感器發展的趨勢有哪幾種？
2021-06-03 06:15:18
請問各位大俠，離子注入時有遇到做V-CURVE時，出現倒著的拋物線嗎？急，在線等，謝謝！
2018-08-05 19:29:33
談談高速CMOS圖像傳感器及發展趨勢
2021-06-03 06:04:16
車內信息通信測試技術的發展趨勢是什么？
2021-05-17 06:10:59
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優美;梁毅;【來源】：《濟南大學學報(自然科學版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術摻雜制作光電集成器件時,離子注入半導體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
高速球是什么？有什么技術發展趨勢？
2021-05-31 06:01:36
用氮離子注入的方法制備了4H-SiC歐姆接觸層。注入層的離子濃度分布由蒙特卡羅分析軟件 TRIM模擬提取，Si面4H-SiC-Ni/Cr合金歐姆接觸的特性由傳輸線方法結構進行了測量，得到氮離
2009-02-28 09:38:29
25 M5525100－1/UM型大角度離子注入機:M5525100－1/UM 型大角度離子注入機可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區的大角度暈、袋、柵閾值調整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:0212
鋰離子電池的發展趨勢
摘要：綜述了鋰離子電池的發展趨勢，簡述了鋰離子電池的充放電機理理論研究狀況，總結歸納了作
2009-07-11 13:56:182044 離子注入技術又是近30年來在國際上蓬勃發展和廣泛應用的一種材料表面改性高新技術。
2011-05-22 12:13:574275 
本文詳細介紹離子注入技術的特點及性能，以及離子注入技術的英文全稱。
2011-05-22 12:13:294861 
詳細介紹離子注入技術的工作原理和離子注入系統原理圖。
2011-05-22 12:24:1618742 
離子注入的特點,與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來獲得表面合金層的,因而有其特點。
2011-05-22 12:27:084337 離子注入設備和方法:最簡單的離子注入機（圖2）應包括一個產生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 
離子注入是現代集成電路制造中的一種非常重要的技術,其利用離子注入機實現半導體的摻雜,即將特定的雜質原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導體晶體內改變其導電特性并最終
2011-05-22 12:34:0083 離子注八材料表面陡性技術， 是材料科學發展的一個重要方面。文中概述7等離子體源離子注八技術的特點 基皋原理 應用效果。取覆等離子體源離子注八技術的發展趨勢。例如， 除7在
2011-05-22 12:35:2948 半導體工藝中應用的離子注入是將高能量的雜質離子導入到半導體晶體，以改變半導體，尤其是表面層的電學性質． 注入一般在50-500kev能量下進行 離子注入的優點 注入雜質不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 離子注入是另一種對半導體進行摻雜的方法。將雜質電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 系統介紹了金屬表面改性用離子注入的機理和特點。剖析了溫度、注入劑量、離子種類等影響因子對改性層效果的影響，綜述了該技術在提高強度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數
2011-05-22 12:42:2368 離子注入是另一種對半導體進行摻雜的方法。將雜質電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現摻雜。 離子束的性質 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子注入的特點是加工溫度低，易做淺結，大面積注入雜質仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動化。由于采用了離子注入技術，大大地推動了半導體器件和集成電路工業的發展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在調情 發表于: 2010-5-28 10:45 來源: 電子發燒友網 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結深的
2011-05-22 13:00:000 離子束注入技術概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中，這一現象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級的離子
2011-05-22 13:00:550 離子注入生物誘變是不同于傳統輻射生物學的人工誘變新方法。在離子注入生物誘變實驗中, 真空室真空度及其穩定性影響著生物樣品的存活狀態; 注入劑量決定著生物樣品的輻射損傷程
2011-05-22 13:02:410 F根據直升機傳動系統干運轉能力的要求,用銷盤試驗機測定了Mo離子注入量及潤滑條件對齒輪鋼I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因數和磨損量的影響I結果表明FMo離子注入對摩擦因數影響很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 電子發燒友為大家整理的離子注入技術專題有離子注入技術基本知識、離子注入技術論文及離子注入技術培訓學習資料。離子注入技術就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
本文詳細介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 近日有消息顯示，萬業企業（600641.SH）全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機已搬進杭州灣潔凈室，目前正在根據集成電路芯片客戶工藝要求，進行離子注入晶圓驗證。
2019-12-31 10:04:085297 近日，從電科裝備旗下爍科中科信公司傳來喜訊，公司研發的12英寸中束流離子注入機順利發往某集成電路大產線，這臺由客戶直接采購的設備如期交付，標志著公司國產離子注入機市場化進程再上新臺階。
2020-06-23 10:20:284019 去它主頁了解。 重點介紹激光領域用到的一款設備： 主要是注入H離子用的，可以達到400KeV的H+離子注入。 主頁：http://www.nissin-ion.co.jp/en/sitemap.html 2016年，日本日新離子機株式會社與揚州經濟技術開發區簽訂了合作協議。日新株式會社將在揚州
2020-11-20 10:03:276458 離子注入作為半導體常用的摻雜手段，具有熱擴散摻雜技術無法比擬的優勢。列表對比 摻雜原子被動打進到基板的晶體內部，但是它是被硬塞進去的，不是一個熱平衡下的過程，雜質一般也不出在晶格點陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:305208 
與通過傳統熱擴散工藝進行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優點。
2022-10-31 09:06:015608 離子注入過程提供了比擴散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結深在擴散過程中無法獨立控制，因為濃度和結深都與擴散的溫度和時間有關。離子注入可以獨立控制摻雜濃度和結深，摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:331545 
離子注入是一種向襯底中引入可控制數量的雜質，以改變其電學性能的方法。它是一個物理過程，不發生化學反應。
2023-05-12 16:00:084597 
高電流的硅或錯離子注入將嚴重破壞單晶體的晶格結構，并在晶圓表面附近產生非晶態層。
2023-05-19 09:22:131960 
在DRAM生產中，離子注入技術被應用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重摻雜。
2023-06-19 09:59:27317 
6.1.4半絕緣區域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.3p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 
6.1.3p型區的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長
2021-12-31 14:13:05466 離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機就是執行這一摻雜工藝的芯片制造設備。
2023-06-30 16:41:19412 離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機就是執行這一摻雜工藝的芯片制造設備。
2023-07-03 15:05:55593 
摻雜物的種類、結深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機的質譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時間的乘積決定。四點探針是離子注入監測中最常使用的測量工具，可以測量
2023-07-07 09:51:172240 
在常規離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結的注入不是B,因為BF2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399 
譜儀可通過測量離子注入工藝后晶硅太陽能電池的H含量，來判定其鈍化效果是否符合電池生產標準，進而判斷太陽能電池的效率與性能。本期「美能光伏」將給您介紹離子注入技術在晶
2023-08-29 08:35:56376 
想要使半導體導電，必須向純凈半導體中引入雜質，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 
離子注入是一種重要的半導體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學性質。離子注入仿真是對離子的注入過程進行建模和模擬，以幫助優化工藝參數并預測材料性能的變化。以下將詳細介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19257 隧道效應，又稱溝道效應，對晶圓進行離子注入時，當注入離子的方向與晶圓的某個晶向平行時，其運動軌跡將不再是無規則的碰撞，而是將沿溝道（原子之間的縫隙）運動并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420 
對器件設計工程師來講，離子注入的濃度往往是需要關心的參數，什么樣的濃度對應什么樣的方阻，器件仿真參數輸入的是濃度，通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關系。
2024-01-26 13:37:02581 
在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關中，離子注入均有應用。
2024-02-23 10:47:13181 
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