旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似,不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動整個圓盤,而是用掃描離子束的方式在整個晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。
2023-06-06 10:43:441185 阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示,是高能量離子注入過程,因為它需要形成阱區(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi),而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
2023-06-09 11:31:083889 統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫擴(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點。一般來說,高溫擴(kuò)散工藝簡單,設(shè)備便宜,摻雜分布輪廓為等向性,且高溫擴(kuò)散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復(fù)雜且設(shè)備昂貴,但它可獨立控制摻雜元素的濃度和結(jié)深,雖然也會給襯底引入大量的點缺陷和擴(kuò)展缺陷。
2023-12-22 09:41:21704 物聯(lián)網(wǎng)的概念物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)前景的發(fā)展趨勢
2021-02-24 07:16:02
離子注入是將離子源產(chǎn)生的離子經(jīng)加速后高速射向材料表面,當(dāng)離子進(jìn)入表面,將與固體中的原子碰撞,將其擠進(jìn)內(nèi)部,并在其射程前后和側(cè)面激發(fā)出一個尾跡。這些撞離原子再與其它原子碰撞,后者再繼續(xù)下去,大約在10-11s內(nèi),材料中將建立一個有數(shù)百個間隙原子和空位的區(qū)域。
2019-10-30 09:10:53
離子注入工藝資料~還不錯哦~
2012-08-01 10:58:59
CMOS射頻電路的發(fā)展趨勢如何?
2021-05-31 06:05:08
Multicom發(fā)展趨勢如何?開發(fā)Multicom無線產(chǎn)品時需要面臨哪些挑戰(zhàn)?如何突破測試Multicom產(chǎn)品的難題呢?有沒有一種解決方案可以既縮短測試時間又節(jié)約測試成本呢?
2021-04-15 06:26:53
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
PCB發(fā)展趨勢1) 推動PCB技術(shù)發(fā)展的主要動力,在于集成電路(IC)等元件的集成度發(fā)展迅速,促使PCB向高密度化發(fā)展
2012-11-24 14:52:10
本文將對用于觸摸屏和LCD部件的最新LOCA技術(shù)進(jìn)行全面的概述,包括材料、應(yīng)用過程和性能。還將介紹TFT-LCD偏光片技術(shù)的最近發(fā)展趨勢,以及漢高公司的具有超低粘度和優(yōu)異性能、應(yīng)用于下一代偏光板的新LOCA產(chǎn)品。
2021-06-01 06:24:08
TPMS技術(shù)與發(fā)展趨勢TPMS發(fā)射器由五個部分組成(1)具有壓力、溫度、加速度、電壓檢測和后信號處理ASIC 芯片組合的智能傳感器SoC;(2)4-8位單片機(jī)(MCU);(3)RF射頻發(fā)射芯片;(4
2009-10-06 15:12:35
,并對其發(fā)展趨勢作出了研討。 關(guān)鍵詞:WIFI技術(shù) 技術(shù)特點 應(yīng)用領(lǐng)域 發(fā)展趨勢 一、WIFI技術(shù)原理 WIFI也稱無線寬帶、無線網(wǎng),英文名稱為Wireless-Fidelity,簡稱WI-FI
2020-08-27 16:38:15
大家來討論一下stm8的發(fā)展趨勢,聽說最近挺火哦!
2013-11-04 15:27:14
,影響了從辦公室到遠(yuǎn)程工作的業(yè)務(wù)發(fā)展。隨著人們在未來一年不斷適應(yīng),將會看到人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)在2021年的五個發(fā)展趨勢:
2021-01-27 06:10:12
傳感器作為信息產(chǎn)業(yè)的重要神經(jīng)觸角,它在實際生活中的應(yīng)用越來越廣泛,傳感器作為物聯(lián)網(wǎng)采集信息的終端工具,就如同是物聯(lián)網(wǎng)的“眼睛”“鼻子”和“耳朵”,是感知層的關(guān)鍵技術(shù),那么傳感器將會有哪些發(fā)展趨勢
2020-11-26 06:23:42
伺服系統(tǒng)國內(nèi)外研究現(xiàn)狀如何?伺服系統(tǒng)的發(fā)展趨勢是怎樣的?伺服系統(tǒng)相關(guān)技術(shù)是什么?
2021-09-30 07:29:16
摘 要:先進(jìn)封裝技術(shù)不斷發(fā)展變化以適應(yīng)各種半導(dǎo)體新工藝和材料的要求和挑戰(zhàn)。在半導(dǎo)體封裝外部形式變遷的基礎(chǔ)上,著重闡述了半導(dǎo)體后端工序的關(guān)鍵一封裝內(nèi)部連接方式的發(fā)展趨勢。分析了半導(dǎo)體前端制造工藝的發(fā)展
2018-11-23 17:03:35
如題,尋求一種Si襯底上N+離子注入的有效單項監(jiān)控手段
2021-04-01 23:50:33
【作者】:姚穎穎;王曉艷;宮銘豪;梁晉春;張乃光;【來源】:《廣播電視信息》2010年03期【摘要】:本文分析了三網(wǎng)融合背景下廣電行業(yè)的業(yè)務(wù)發(fā)展趨勢,并提出一種新業(yè)務(wù)技術(shù)——業(yè)務(wù)捆綁技術(shù),最后總結(jié)
2010-04-23 11:35:44
的各種缺點分析了發(fā)展趨勢,并提供了各種解決方案,及后期如何進(jìn)行發(fā)展。同時對于開關(guān)電源市場的發(fā)展前景進(jìn)行了總結(jié),總的來說開關(guān)電源還是有很大的發(fā)展空間和持續(xù)的市場生命力。更多技術(shù)請關(guān)注沃爾開關(guān)電源www.jnwoer.com
2016-03-20 14:15:45
智能視頻分析技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀如何?“”未來智能視頻分析技術(shù)的發(fā)展趨勢怎樣?
2021-06-03 06:44:16
的發(fā)展,將出現(xiàn)若干新的半導(dǎo)體技術(shù),在芯片之上或者在芯片之外不斷擴(kuò)展新的功能。圖1就顯示了手機(jī)芯片技術(shù)的發(fā)展趨勢。
2019-07-24 08:21:23
`新能源汽車電機(jī)驅(qū)動關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展趨勢`
2016-05-12 10:34:03
無線技術(shù)的下一波發(fā)展趨勢是什么?
2021-05-26 06:42:02
智能制造中木工機(jī)械發(fā)展趨勢怎樣?我國是家具生產(chǎn)、消費和出口的大國,木工機(jī)械作為家具行業(yè)的基本產(chǎn)業(yè),在發(fā)展了數(shù)十年后,取得喜人成績。從原始的手工業(yè)到如今先進(jìn)的數(shù)控技術(shù),那智能制造中木工機(jī)械發(fā)展趨勢怎樣
2021-10-28 16:17:30
未來PLC的發(fā)展趨勢將會如何?基于PLC的運動控制器有哪些應(yīng)用?
2021-07-05 07:44:22
汽車電子技術(shù)的發(fā)展趨勢是什么?
2021-05-17 06:33:49
靈動微對于未來MCU發(fā)展趨勢看法
2020-12-23 06:50:51
汽車電子技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀如何?汽車電子技術(shù)發(fā)展趨勢是什么?
2021-05-17 06:04:28
電池供電的未來發(fā)展趨勢如何
2021-03-11 07:07:27
電源模塊的未來發(fā)展趨勢如何
2021-03-11 06:32:42
也許是因為最新電源管理技術(shù)的相關(guān)難題,或者是電源管理行業(yè)保守的本質(zhì),電源領(lǐng)域的發(fā)展趨勢往往具有很長的生命周期。但是我們不能僅僅因為行業(yè)中存在一個固有的趨勢就止步不前。當(dāng)不再有創(chuàng)新的機(jī)會時,所謂
2018-10-08 15:35:33
自動化測試技術(shù)發(fā)展趨勢展望分析,不看肯定后悔
2021-05-14 06:50:31
藍(lán)牙技術(shù)未來的發(fā)展趨勢,在APTX后還會有怎么樣的技術(shù)革新
2019-03-29 15:56:11
蜂窩手機(jī)音頻架構(gòu)的未來發(fā)展趨勢是什么
2021-06-08 06:31:58
CMOS傳感器的最新技術(shù)有哪些?傳感器發(fā)展的趨勢有哪幾種?
2021-06-03 06:15:18
請問各位大俠,離子注入時有遇到做V-CURVE時,出現(xiàn)倒著的拋物線嗎?急,在線等,謝謝!
2018-08-05 19:29:33
談?wù)劯咚貱MOS圖像傳感器及發(fā)展趨勢
2021-06-03 06:04:16
車內(nèi)信息通信測試技術(shù)的發(fā)展趨勢是什么?
2021-05-17 06:10:59
【作者】:秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優(yōu)美;梁毅;【來源】:《濟(jì)南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)》2010年02期【摘要】:鑒于利用離子注入技術(shù)摻雜制作光電集成器件時,離子注入半導(dǎo)體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
高速球是什么?有什么技術(shù)發(fā)展趨勢?
2021-05-31 06:01:36
用氮離子注入的方法制備了4H-SiC歐姆接觸層。注入層的離子濃度分布由蒙特卡羅分析軟件 TRIM模擬提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金歐姆接觸的特性由傳輸線方法結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測量,得到氮離
2009-02-28 09:38:2925 M5525100-1/UM型大角度離子注入機(jī):M5525100-1/UM 型大角度離子注入機(jī)可滿足100 納米,8 英寸集成電路制造工藝的要求,適合源漏區(qū)的大角度暈、袋、柵閾值調(diào)整、阱等注入,可獲得良好
2009-12-19 12:57:0212
鋰離子電池的發(fā)展趨勢
摘要:綜述了鋰離子電池的發(fā)展趨勢,簡述了鋰離子電池的充放電機(jī)理理論研究狀況,總結(jié)歸納了作
2009-07-11 13:56:182044 離子注入技術(shù)又是近30年來在國際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性高新技術(shù)。
2011-05-22 12:13:574275 本文詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的特點及性能,以及離子注入技術(shù)的英文全稱。
2011-05-22 12:13:294861 詳細(xì)介紹離子注入技術(shù)的工作原理和離子注入系統(tǒng)原理圖。
2011-05-22 12:24:1618742 離子注入的特點,與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來獲得表面合金層的,因而有其特點。
2011-05-22 12:27:084337 離子注入設(shè)備和方法:最簡單的離子注入機(jī)(圖2)應(yīng)包括一個產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù),其利用離子注入機(jī)實現(xiàn)半導(dǎo)體的摻雜,即將特定的雜質(zhì)原子(Dopant)以離子加速的方式注入硅半導(dǎo)體晶體內(nèi)改變其導(dǎo)電特性并最終
2011-05-22 12:34:0083 離子注八材料表面陡性技術(shù), 是材料科學(xué)發(fā)展的一個重要方面。文中概述7等離子體源離子注八技術(shù)的特點 基皋原理 應(yīng)用效果。取覆等離子體源離子注八技術(shù)的發(fā)展趨勢。例如, 除7在
2011-05-22 12:35:2948 半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì). 注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行 離子注入的優(yōu)點 注入雜質(zhì)不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 離子注入是另一種對半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束,在電場中加速而獲得極高的動能后,注入到硅中(稱為 靶 )而實現(xiàn)摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:530 系統(tǒng)介紹了金屬表面改性用離子注入的機(jī)理和特點。剖析了溫度、注入劑量、離子種類等影響因子對改性層效果的影響,綜述了該技術(shù)在提高強(qiáng)度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數(shù)
2011-05-22 12:42:2368 離子注入是另一種對半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束,在電場中加速而獲得極高的動能后,注入到硅中(稱為 靶 )而實現(xiàn)摻雜。 離子束的性質(zhì) 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子注入的特點是加工溫度低,易做淺結(jié),大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻,摻雜種類廣泛,并且易于自動化。由于采用了離子注入技術(shù),大大地推動了半導(dǎo)體器件和集成電路工業(yè)的發(fā)展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在調(diào)情 發(fā)表于: 2010-5-28 10:45 來源: 電子發(fā)燒友網(wǎng) 1. 什么是離子注入? 離子注入(Ion Implant)是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導(dǎo)體晶片中,以得到所需要的摻雜濃度和結(jié)深的
2011-05-22 13:00:000 離子束注入技術(shù)概述 基本原理:離子束射到固體材料以后,受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來,并最終停留在固體材料中,這一現(xiàn)象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級的離子
2011-05-22 13:00:550 離子注入生物誘變是不同于傳統(tǒng)輻射生物學(xué)的人工誘變新方法。在離子注入生物誘變實驗中, 真空室真空度及其穩(wěn)定性影響著生物樣品的存活狀態(tài); 注入劑量決定著生物樣品的輻射損傷程
2011-05-22 13:02:410 F根據(jù)直升機(jī)傳動系統(tǒng)干運轉(zhuǎn)能力的要求,用銷盤試驗機(jī)測定了Mo離子注入量及潤滑條件對齒輪鋼I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因數(shù)和磨損量的影響I結(jié)果表明FMo離子注入對摩擦因數(shù)影響很小,但可大大
2011-05-22 13:06:0042 電子發(fā)燒友為大家整理的離子注入技術(shù)專題有離子注入技術(shù)基本知識、離子注入技術(shù)論文及離子注入技術(shù)培訓(xùn)學(xué)習(xí)資料。離子注入技術(shù)就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
本文詳細(xì)介紹了離子注入高效SE電池。
2017-11-06 17:27:083 近日有消息顯示,萬業(yè)企業(yè)(600641.SH)全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機(jī)已搬進(jìn)杭州灣潔凈室,目前正在根據(jù)集成電路芯片客戶工藝要求,進(jìn)行離子注入晶圓驗證。
2019-12-31 10:04:085297 近日,從電科裝備旗下爍科中科信公司傳來喜訊,公司研發(fā)的12英寸中束流離子注入機(jī)順利發(fā)往某集成電路大產(chǎn)線,這臺由客戶直接采購的設(shè)備如期交付,標(biāo)志著公司國產(chǎn)離子注入機(jī)市場化進(jìn)程再上新臺階。
2020-06-23 10:20:284019 去它主頁了解。 重點介紹激光領(lǐng)域用到的一款設(shè)備: 主要是注入H離子用的,可以達(dá)到400KeV的H+離子注入。 主頁:http://www.nissin-ion.co.jp/en/sitemap.html 2016年,日本日新離子機(jī)株式會社與揚(yáng)州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)簽訂了合作協(xié)議。日新株式會社將在揚(yáng)州
2020-11-20 10:03:276458 離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段,具有熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)無法比擬的優(yōu)勢。列表對比 摻雜原子被動打進(jìn)到基板的晶體內(nèi)部,但是它是被硬塞進(jìn)去的,不是一個熱平衡下的過程,雜質(zhì)一般也不出在晶格點陣上,且離子軌跡
2020-11-20 10:10:305208 與通過傳統(tǒng)熱擴(kuò)散工藝進(jìn)行摻雜的方式相比,離子注入摻雜具有如下優(yōu)點。
2022-10-31 09:06:015608 離子注入過程提供了比擴(kuò)散過程更好的摻雜工藝控制(見下表)。例如,摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過程中無法獨立控制,因為濃度和結(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時間有關(guān)。離子注入可以獨立控制摻雜濃度和結(jié)深,摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:331545 離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì),以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個物理過程,不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2023-05-12 16:00:084597 高電流的硅或錯離子注入將嚴(yán)重破壞單晶體的晶格結(jié)構(gòu),并在晶圓表面附近產(chǎn)生非晶態(tài)層。
2023-05-19 09:22:131960 在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317 6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長
2021-12-31 14:13:05466 離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中,離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-06-30 16:41:19412 離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中,離子注入機(jī)就是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片制造設(shè)備。
2023-07-03 15:05:55593 摻雜物的種類、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機(jī)的質(zhì)譜儀決定,摻雜物濃度由離子束電流與注入時間的乘積決定。四點探針是離子注入監(jiān)測中最常使用的測量工具,可以測量
2023-07-07 09:51:172240 在常規(guī)離子注入中,三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因為BF2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷(C2B10&或CBH)是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399 譜儀可通過測量離子注入工藝后晶硅太陽能電池的H含量,來判定其鈍化效果是否符合電池生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)而判斷太陽能電池的效率與性能。本期「美能光伏」將給您介紹離子注入技術(shù)在晶
2023-08-29 08:35:56376 想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電,必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì),而離子注入是一種常用的方法,下面來具體介紹離子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝,用于在材料中引入離子,改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對離子的注入過程進(jìn)行建模和模擬,以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測材料性能的變化。以下將詳細(xì)介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19257 隧道效應(yīng),又稱溝道效應(yīng),對晶圓進(jìn)行離子注入時,當(dāng)注入離子的方向與晶圓的某個晶向平行時,其運動軌跡將不再是無規(guī)則的碰撞,而是將沿溝道(原子之間的縫隙)運動并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420 對器件設(shè)計工程師來講,離子注入的濃度往往是需要關(guān)心的參數(shù),什么樣的濃度對應(yīng)什么樣的方阻,器件仿真參數(shù)輸入的是濃度,通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關(guān)系。
2024-01-26 13:37:02581 在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中,離子注入均有應(yīng)用。
2024-02-23 10:47:13181
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