各位好！
??????? 之前使用ccs3.3創(chuàng)建2812的工程時(shí)，一般直接在TCF文件中手動(dòng)的去重新分配存儲(chǔ)器的地址范圍，然后生成的cmd文件中也可以看到具體分配的結(jié)果。
??????? 目前
2018-06-25 06:54:26
指針，可加速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移，具有自動(dòng)遞增/遞減功能 ·16層硬件堆棧 ·16位指令字，16位數(shù)據(jù)總線 ·16 x 16位通用工作寄存器 ·針對(duì)C編譯器進(jìn)行優(yōu)化 ·存儲(chǔ)器特性 - 64KB閃存
2012-09-28 10:22:39
（memdec）ld應(yīng)用于生成對(duì)存儲(chǔ)器的片選、de以及we信號(hào)中。片選信號(hào)是在刷新周期以外、當(dāng)?shù)刂犯呶唬╯a16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設(shè)置在sram主板空間）、且bale為低電平
2020-12-10 16:44:18
采取包緩沖器來提高處理能力，除了上面提及到的以外，隨著系統(tǒng)中存儲(chǔ)器資源的增加，動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)分配也是必需的，路由器或者交換機(jī)的這些附加功能正在重新定義這網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。 具有更多新功能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng) 并隨著
2017-06-02 10:45:40
SRAM 即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成，SRAM的高速和靜態(tài)特性使它們通常被用來作為Cache存儲(chǔ)器。計(jì)算機(jī)的主板上都有Cache插座。下圖所示的是一個(gè)SRAM的結(jié)構(gòu)框圖。由上圖看出SRAM一般由
2022-11-17 14:47:55
從三個(gè)層面認(rèn)識(shí)SRAM存儲(chǔ)器
2021-01-05 07:09:10
驅(qū)動(dòng)器和磁泡存儲(chǔ)器。從1970年代開始，主流的集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則主要分為三類：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和閃存。計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是...
2021-07-27 06:06:26
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲(chǔ)器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
/SRAM 或通過 FSMC 的外部存儲(chǔ)器）。D總線：此總線用于將 Cortex?-M4F 數(shù)據(jù)總線和 64 KB CCM 數(shù)據(jù) RAM 連接到總線矩陣。內(nèi)核通過此總線進(jìn)行立即數(shù)加載和調(diào)試訪問。此總線訪問的對(duì)象...
2021-08-05 07:41:43
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲(chǔ)器映射存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過程就稱為存儲(chǔ)器映射，具體見圖 5-5。如果給存儲(chǔ)器再分配一個(gè)地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過程稱為存儲(chǔ)器映射，如果再分配一個(gè)地址就叫重映射存儲(chǔ)器映射ARM 將這 4GB 的存儲(chǔ)器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
程序存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，寄存器和I\O端排列在同一順序的4GB地址空間內(nèi)，被控總線連接的部分。存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是芯片廠商或用戶分配的，給存儲(chǔ)器分配地址的過程稱為存儲(chǔ)器映射。存儲(chǔ)器
2021-01-14 17:37:08
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
存儲(chǔ)器重新映射（Remap）的原因：◆使Flash存儲(chǔ)器中的FIQ處理程序不必考慮因?yàn)橹匦掠成渌鶎?dǎo)致的存儲(chǔ)器邊界問題；◆用來處理代碼空間中段邊界仲裁的SRAM和Boot Block向量的使用大大減少
2018-06-10 00:47:17
無法支持 Linux 和 Windows 系統(tǒng)，這里我說的單片是指M系列的單片機(jī)，但是可以跑ucos或FreeRTOS系統(tǒng)。2. Flash和Sram的理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來
2022-05-10 15:26:10
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
隨機(jī)存取
存儲(chǔ)器（RAM）讀、寫隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)丟失只讀
存儲(chǔ)器（ROM）讀隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)不丟失工作前寫入數(shù)據(jù)
閃存（Flash Memory）讀、寫隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)不丟失先進(jìn)先出
存儲(chǔ)器（FIFO）讀、寫順序?qū)ぶ?/div>
2012-08-15 17:11:45
概念理解：FLASH存儲(chǔ)器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，但是FLASH得存儲(chǔ)容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲(chǔ)控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
存儲(chǔ)器，顧名思義就是用來存放東西的地方，那么對(duì)于一款 MCU 而言，在性能描述的時(shí)候，我們都會(huì)說 SRAM，F(xiàn)lash 的容量大小有多少。對(duì)于初學(xué)者來說，可能不會(huì)去理會(huì)這些東西，拿到東西就只
2019-09-20 09:05:07
命令，需要通過印刷電路板上三總線才能聯(lián)機(jī)。1.存儲(chǔ)器地址分配不論是單片機(jī)的片內(nèi)存儲(chǔ)器還是片外存儲(chǔ)器，MCS-51對(duì)某存儲(chǔ)器的讀寫地址都是由MCS-51提供的。存儲(chǔ)器的地址分配有3個(gè)地址空間，分別
2021-12-07 08:49:14
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲(chǔ)器的自旋注入MRAM,很有可能將會(huì)取代在設(shè)備中使用的多種存儲(chǔ)器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲(chǔ)器）。
2019-06-28 08:29:29
512KB FLASH，64KB SRAM可是在看到手冊(cè)上的存儲(chǔ)器映像時(shí)，系統(tǒng)存儲(chǔ)器并沒有包括在512KB的FLASH中，那這BOOTLOADER存在哪了呢？沒有接觸過BOOTLOADER，十分不解，還請(qǐng)大家給解答。
2014-11-26 21:05:35
STM32 存儲(chǔ)器一 存儲(chǔ)器組織1. FLASH2. SRAM3. 啟動(dòng)一 存儲(chǔ)器組織程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寄存器和輸入輸出端口被組織在同一個(gè)4GB的線性地址空間內(nèi)。數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲(chǔ)器
2021-08-02 06:06:32
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
閃存和6KB數(shù)據(jù)SRAM。通過安全存儲(chǔ)器管理單元(MMU)提供知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)保護(hù)，該安全MMU可支持多種授權(quán)等級(jí)配置，保護(hù)代碼不被復(fù)制和進(jìn)行逆向工程。授權(quán)等級(jí)使廠商可以提供MAXQ612/MAXQ622運(yùn)行的庫文件和應(yīng)用程序，并通過授權(quán)等級(jí)限制對(duì)數(shù)據(jù)和代碼的訪問。
2021-04-19 07:37:02
：Flash、SRAM等。只有加入了這些東西，才能成為一個(gè)擁有實(shí)際意義的、可以工作的處理芯片——STM32。STM32的存儲(chǔ)器地址空間被劃分為大小相等的8塊區(qū)域，每塊區(qū)域大小為512MB。對(duì)STM32存儲(chǔ)器知識(shí)
2018-08-14 09:22:26
的一種常見方法。寫入并非寫入相同的閃存位置，而是均勻地分布在整個(gè)閃存半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列上，確保寫入內(nèi)容在閃存矩陣中均勻分布。通過磨損均衡，當(dāng)微控制器寫入物理存儲(chǔ)器中的單個(gè)位置時(shí)，閃存控制器可以將該
2019-07-30 11:19:18
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問它。 接下來，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
單元的通路，稱為位線。每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能通過選擇適當(dāng)?shù)淖志€和位線被唯一地定位。宇芯有限公司介紹關(guān)于SRAM存儲(chǔ)器的讀操作分析。 圖1 六管單元的讀出操作 SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析存儲(chǔ)單元的讀操作是指被
2020-04-29 17:27:30
。 2、硬盤存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶。 3、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）。 4、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲(chǔ)器（閃存
2019-06-05 23:54:02
你好，我懷疑，在4Mbit（128 K×32）流水線同步SRAM（CY7C1339 G）。沒有這個(gè)引腳ADSP，ADSC，我能得到同步SRAM內(nèi)存。我可以用作為一個(gè)外部存儲(chǔ)器，如果我能比我用ADSP
2019-08-15 07:02:35
如何為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇合適的同步SRAM存儲(chǔ)器？
2021-05-24 06:13:40
你好，我在應(yīng)用中使用了PIC24FJ128GC06。我想用一頁的閃存（512字，1536字節(jié)）作為非易失性存儲(chǔ)區(qū)來存儲(chǔ)設(shè)置、配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。我知道如何使用TBLPTRS讀取和寫入訪問內(nèi)存，以及
2018-10-19 16:08:12
大家好， 我的項(xiàng)目有一個(gè)閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時(shí)，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個(gè)功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
本人新手，需要構(gòu)建一個(gè)使用大量SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用，求指點(diǎn)，具體需求如下：需要大量的高速存儲(chǔ)，只能使用SRAM才能滿足要求，計(jì)劃使用10塊8M的片外SRAM。目前我已學(xué)會(huì)基本的知識(shí)（看完芯航線
2019-08-07 15:25:58
：1.Low power SRAM (低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit-16Mbit.2.Async Fast SRAM(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速
2013-08-23 11:00:03
開關(guān)電路，搭建存儲(chǔ)器編程開發(fā)環(huán)境，讀寫國(guó)產(chǎn)Lyontek的SRAM芯片：LY62L5128。國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)器好像比較少，支持一下。 一，LY62L5128 CMOS SRAM 靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）是由
2016-08-30 04:32:10
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
組成該存儲(chǔ)器需要多少片ROM芯片和SRAM芯片？ROM芯片、SRAM芯片各需連接CPU的那幾根地址線和數(shù)據(jù)線？
2021-10-27 06:52:43
文章目錄存儲(chǔ)器概述存儲(chǔ)器分類存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)器主存儲(chǔ)器——概述主存的基本組成主存與 CPU 之間的聯(lián)系主存中存儲(chǔ)單元地址的分配半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片簡(jiǎn)介半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的基本結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的譯碼驅(qū)動(dòng)
2021-07-26 06:22:47
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
型號(hào)：GD25Q64CSIGR
制造商：GigaDevice(兆易創(chuàng)新)
存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 存儲(chǔ)器接口類型：SPI 存儲(chǔ)器容量：64Mb存儲(chǔ)器類型：Non-Volatile
2021-12-06 16:13:41
型號(hào)：GD25Q127CSIGR
制造商：GigaDevice(兆易創(chuàng)新)
存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 存儲(chǔ)器接口類型：SPI 存儲(chǔ)器容量：32Mb (4M x 8
2021-12-06 16:26:59
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
文章中簡(jiǎn)要介紹了嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展歷程，詳細(xì)地介紹了基于標(biāo)準(zhǔn)工藝上嵌入式存儲(chǔ)器的技術(shù)關(guān)鍵詞：IP SOC 存儲(chǔ)器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:17
32 使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因
2009-02-01 09:11:51
1164 
摘要：本應(yīng)用筆記介紹了匯編應(yīng)用中在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器內(nèi)實(shí)現(xiàn)軟堆棧的簡(jiǎn)單方法。該方法使用了MAXQ2000和其他基于MAXQ20的微控制器。采用了MAX-IDE的宏預(yù)處理特性，在Maxim的MAXQ®系列工程
2009-04-23 16:04:08890 摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251080 
為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21499 sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對(duì)一種特定的應(yīng)用。本文旨在對(duì)目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評(píng)述。
2017-11-03 18:03:052730 文討論了在同時(shí)具有數(shù)據(jù)Cache和片上SRAM的處理器上標(biāo)量和矩陣變量的存儲(chǔ)器分配方法。文以摩托羅拉公司的DSP56000為平臺(tái)，文以AMS Gepard DSP為平臺(tái)，分別討論了如何把數(shù)據(jù)分配到X/Y數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器塊，以便最大限度地利用數(shù)據(jù)移動(dòng)的并行性。
2018-03-28 08:36:001617 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:002026 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
實(shí)驗(yàn)?zāi)康?. 認(rèn)識(shí) DEC2812 外部存儲(chǔ)器 SRAM； 2. 熟悉 SRAM 的讀取操作。
2019-07-31 16:12:0016 快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)（對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng)，否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:00720 外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲(chǔ)器也有很多種類。對(duì)于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲(chǔ)器兼具優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn) 外部SRAM
2019-11-18 23:20:225234 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:452880 關(guān)鍵詞：異步SRAM , SRAM SRAM是Static Random-Access Memory的縮寫，中文稱為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SRAM是一種具有靜止存取功能的存儲(chǔ)器，不需要通過刷新電路就能保存
2020-03-08 17:15:003527 
SRAM存儲(chǔ)芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它具有靜止存取功能的存儲(chǔ)器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于需要緩存比較小或?qū)挠幸蟮南到y(tǒng)。例如很多
2020-04-28 14:16:361185 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細(xì)介紹
2020-04-30 15:48:132878 
目前針對(duì)不同的應(yīng)用市場(chǎng)，SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢(shì)：一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展，由于讀寫速度快，SRAM存儲(chǔ)器被用作計(jì)算機(jī)中的高速緩存，提高它的讀寫速度對(duì)于充分發(fā)揮
2020-04-30 14:58:021446 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)信息,而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM則是靠電容存儲(chǔ)，半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的存儲(chǔ)原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管
2020-05-10 10:10:547053 最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn)，已成為了生產(chǎn)最多的用于計(jì)算機(jī)主體的易失性存儲(chǔ)器（也稱為揮發(fā)性存儲(chǔ)器）。SRAM
2020-05-19 09:27:541903 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM存儲(chǔ)器具有較高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高
2020-07-16 14:07:445228 
正確的同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的選擇對(duì)于帶寬要求更高，系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢(shì)，以便為其應(yīng)用選擇正確的存儲(chǔ)器。 決定正確的同步
2020-08-03 15:32:331159 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的一種。說白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類存儲(chǔ)器要是維持接電源，里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對(duì)性下，動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（DRAM）里邊所存儲(chǔ)
2020-08-10 16:43:2413590 低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，是靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-06-08 16:49:321933 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其...
2022-02-07 11:25:292 DS8669_超低功耗 32 位 MCU Arm? Cortex?-M3、384KB 閃存、48KB SRAM、12KB EEPROM、LCD、USB、ADC、存儲(chǔ)器 I/F、AES
2022-11-23 08:32:230 本應(yīng)用筆記演示了一種在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中實(shí)現(xiàn)軟堆棧的簡(jiǎn)單方法，用于基于匯編的應(yīng)用。該方法使用MAXQ2000和其他基于MAXQ20的微控制器。示例代碼使用MAX-IDE的宏預(yù)處理功能編寫，MAX-IDE是Maxim基于項(xiàng)目的MAXQ?系列應(yīng)用開發(fā)和調(diào)試環(huán)境。
2023-01-11 11:20:33456 )，存儲(chǔ)在與數(shù)據(jù)和程序空間分開的專用內(nèi)部存儲(chǔ)器中。通過子程序調(diào)用和中斷，這一硬堆棧可用于保存和恢復(fù)微控制器的操作狀態(tài)。
2023-02-14 18:20:40513 中，以訪問存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記演示如何使用IAR嵌入式工作臺(tái)工具在MAXQ微控制器上分配和訪問閃存和SRAM存儲(chǔ)器。
2023-02-21 11:14:12759 
MAXQ8913和其他MAXQ微控制器使用的哈佛存儲(chǔ)器映射架構(gòu)為用戶提供了根據(jù)需要將不同的物理存儲(chǔ)器段（如數(shù)據(jù)SRAM）映射到程序或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間的靈活性。在某些情況下，從數(shù)據(jù)SRAM執(zhí)行部分應(yīng)用可以提高性能并降低功耗。這些好處是以增加應(yīng)用程序復(fù)雜性為代價(jià)的。
2023-02-21 16:18:44333 
許多處理器使用閃存來存儲(chǔ)程序代碼，并使用靜態(tài)RAM來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。雖然利用閃存的未使用部分進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可能很有吸引力，但傳統(tǒng)的哈佛架構(gòu)排除了這種用途。但MAXQ架構(gòu)是一臺(tái)具有獨(dú)立代碼和數(shù)據(jù)路徑
2023-03-03 14:48:48454 
SRAM也是易失性存儲(chǔ)器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲(chǔ)，一旦設(shè)備斷開電源，就會(huì)失去信息。
這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，它一般由6個(gè)晶體管組成，因此被稱為6T存儲(chǔ)器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
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