MAXQ架構是一種基于標準Harvard結構、功能強大的單周期RISC微控制器，程序和數(shù)據(jù)存儲總線相互獨立。這種組織形式要求每個存儲器具有專用總線(圖1)，所以可同時讀取指令和操作數(shù)。由于不存在單條數(shù)據(jù)總線的沖突問題，MAXQ指令的執(zhí)行時間僅需要單個周期。

圖1. Harvard結構

每個MAXQ器件采用以下存儲器類型：

閃存

SRAM

固定用途ROM

MAXQ器件也可從閃存、固定用途ROM或SRAM執(zhí)行程序代碼。從某個存儲器段執(zhí)行程序代碼時，其它兩個存儲器段可作為數(shù)據(jù)存儲器(更多詳細信息，請參閱從閃存執(zhí)行程序和執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)部分)。這是因為程序和數(shù)據(jù)存儲器總線不能同時存取同一存儲器段。

有人可能認為采用Harvard結構的MAXQ微控制器也不能在非易失閃存中儲存數(shù)據(jù)。然而，MAXQ器件內(nèi)嵌固定用途ROM函數(shù)，允許讀、寫非易失閃存數(shù)據(jù)。

從閃存執(zhí)行程序

MAXQ器件中，從閃存執(zhí)行應用程序時，數(shù)據(jù)存儲器為SRAM?(讀和寫)和固定用途ROM?(只讀)。從閃存執(zhí)行代碼時，數(shù)據(jù)存儲器映射請參見表1，存儲器映射參見圖2。

SRAM數(shù)據(jù)存儲器在存儲器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節(jié)尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

固定用途ROM在存儲器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh (字節(jié)模式)或地址0x8000至0x8FFF (字尋址模式下)。

圖2. 從閃存執(zhí)行應用代碼時的存儲器映射

執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)

執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)時，數(shù)據(jù)存儲器為SRAM?(讀和寫)和閃存(讀和寫)。從閃存執(zhí)行應用程序且變量或數(shù)據(jù)對象位于閃存時，可通過固定用途ROM函數(shù)讀或寫這些變量或數(shù)據(jù)對象。通過跳轉至執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)，即可將閃存作為數(shù)據(jù)進行存取。從固定用途ROM執(zhí)行代碼時，數(shù)據(jù)存儲器映射請參見表2，存儲器映射參見圖3。

SRAM數(shù)據(jù)存儲器在存儲器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節(jié)尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

字節(jié)尋址模式下，CDA0 = 0時，閃存的低半部分在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh；CDA0 = 1時，閃存的高半部分在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh。字尋址模式下，閃存在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFF。

圖3. 執(zhí)行固定用途ROM函數(shù)時的存儲器映射

閃存和SRAM中的存儲器分配

IAR嵌入式工作臺IDE用于編程基于MAXQ核的微控制器。IAR? C編譯器(用于MAXQ微控制器)提供用于定義閃存或SRAM位置中數(shù)據(jù)對象或變量的選項。編譯器具有特殊關鍵詞pragma location和pragma required；通過使用關鍵詞，可將存儲器分配給絕對地址的數(shù)據(jù)對象或變量。必須用IAR關鍵詞__no_init或const?(標準C關鍵詞)聲明這些變量或數(shù)據(jù)對象。請參見下文中__no_init、const、pragma location和pragma required的關鍵詞說明。

關鍵詞說明

pragma location

#pragma location用于定義絕對地址的單個全局或靜態(tài)變量或數(shù)據(jù)對象。變量或數(shù)據(jù)對象必須聲明為__no_init或const。這對于必須位于固定地址的個體數(shù)據(jù)對象非常有用，例如變量、帶有外部或內(nèi)部接口的數(shù)據(jù)對象或增加的硬件表項。

pragma required

#pragma required確保鏈接輸出中包括某個符號所需的另一個符號。該指令必須放在緊鄰第二個符號的前邊。如果符號在應用中不可見，使用該指令。例如，如果僅通過某個變量所在的段對其進行間接引用，必須使用#pragma required。

__no_init

正常情況下，應用程序啟動時，IAR運行時環(huán)境將全部全局和靜態(tài)變量初始化為0。IAR C編譯器支持聲明不初始化的變量，使用__no_init類型限定符。聲明為__no_init的變量在啟動時被禁止。不可能為__no_init對象賦予初始值。

例如：__no_init char MaximChar @ 0x0200;

本例中，聲明為__no_init的變量被放在默認數(shù)據(jù)存儲器(SRAM)的一個絕對地址。

const

const關鍵詞意味著對象為只讀。這類限定符用于表示直接或通過指針存取的數(shù)據(jù)對象，不可寫。當const隨關鍵詞#pragma location和#pragma required一起使用時，IAR分配#pragma location定義的位置的存儲器。這對于配置從外部接口進行存取的參數(shù)非常有用。這樣的閃存數(shù)據(jù)只能由固定用途ROM函數(shù)讀或寫。

IAR默認存儲器模型中，不可存取絕對地址的常量。利用選項Place constants in CODE (在IAR Project??Option?General Option??Target window)使其可存取，如圖4所示。

圖4. IAR項目選項窗口

例1

const int FLASH_DATA0;
//FLASH_DATA0 is initialized to 0x0000 and linker will allocate memory address.

例2

#pragma location = 0xA000
const int FLASH_DATA1 = 0x1234;
#pragma required = FLASH_DATA1
本例中，存儲器分配為閃存地址0xA000，初始化為0x1234。

例3

#pragma location = 0xA002
__no_init const int FLASH_DATA2 //Memory is allocated at the address 0xA002 (byte address)
#pragma required = FLASH_DATA2

本例中，存儲器分配為閃存地址0xA002，不初始化。

上例中，有三個聲明為常量的對象，第一個初始化為0，第二個初始化為規(guī)定值，第三個不初始化。全部三個變量均在閃存中。