動態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 14:14
CGH40006P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CGH40006P 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益413瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 12:02
CGH40006S-AMP1高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產(chǎn)品型號：CGH40006S-AMP1 頻率：高達(dá) 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益137瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:55
CGH40006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CGH40006S 頻段：高達(dá) 6 GHz 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益295瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:14
CGHV1F006S-AMP3高電子遷移率晶體管 (HEMT)X波段測試板
產(chǎn)品型號：CGHV1F006S-AMP3 頻段：高達(dá) 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 增益：6.0 GHz 時 17 dB 增益126瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 11:01
CGHV1F006S-AMP1高電子遷移率晶體管 (HEMT)C波段測試板
產(chǎn)品型號：CGHV1F006S-AMP1 頻率：高達(dá) 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 6.0 GHz增益：17 dB75瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 10:42
CGHV1F006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CGHV1F006S 頻率：高達(dá) 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 6.0 GHz增益：6.0 GHz 時 17 dB 增益;346瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 10:06
CMPA0060002D氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CMPA0060002D 增益：17 dB 小信號增益 工作電壓：2 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V 電壓：高擊穿電壓244瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-18 09:44
CMPA0060002F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產(chǎn)品型號：CMPA0060002F-AMP 增益：18 dB 小信號增益 工作電壓：4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V 耐壓性：高擊穿電壓228瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-17 18:34
CMPA0060002F晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CMPA0060002F 增益：18 dB 小信號增益 工作電壓：4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V 電壓特性：高擊穿電壓401瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-17 12:09
CMPA0060002F1-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)
產(chǎn)品型號：CMPA0060002F1-AMP 增益：18 dB 小信號增益 電壓：4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V 耐壓性：高擊穿電壓290瀏覽量
