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• 發布了文章 2022-04-23 01:42

  新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM

  

  新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達1.5HP的逆變器產品規格：IM323系列的新成員是專門為家用空調和家用電器應用設計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達1

  IGBT IPM

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• 發布了文章 2022-04-20 01:27

  新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產品

  

  新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產品，采用TO247封裝，建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經過優化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用.XT互連技術，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產品規格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12

  MOSFET

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• 發布了文章 2022-04-19 01:24

  無磁芯變壓器(CT)隔離驅動芯片技術優勢及產品系列

  

  在之前的技術文章中，介紹了驅動芯片的概覽，PN結隔離(JI)技術，SOI驅動芯片技術等非隔離的驅動技術，本文會繼續介紹英飛凌的無磁芯變壓器(CT)隔離驅動芯片技術。在隔離器件的技術上，有三種主流的隔離技術，分別是光隔離，電容隔離和變壓器隔離。顧名思義，其隔離的介質分別是光，電場信號和磁信號，隔離器件的使用及其廣泛，從輸入輸出接口，通訊端口，到功率器件的柵極驅

  芯片

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• 發布了文章 2022-04-16 01:38

  IGBT驅動電流行為綜述

  

  IGBT驅動需要電流：IGBT是一種電壓驅動的電子開關，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通，實際器件的驅動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。驅動的峰值電流很好理解，按照歐姆定律，由驅動電壓和驅動電阻決定：但在小阻值驅動回路中，實際測得驅動電流一般比上述公式計算

  IGBT

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• 發布了文章 2022-04-15 01:29

  高集成度功率電路的熱設計挑戰

  

  前言目前隨著科學技術和制造工藝的不斷發展進步，半導體技術的發展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅動器和控制電路IC，這樣的功率半導體

  MOSFET 半導體技術 功率電路

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• 發布了文章 2022-04-12 01:27

  隔離型驅動的新勢力：英飛凌無磁芯變壓器(CT:Coreless Transformer)隔離型驅動

  

  一提到隔離型驅動，不少硬件研發工程師就會先入為主想到光耦。可光耦真的是唯一選擇嗎？伴隨著全球電氣化和數字化的趨勢，電力電子技術的發展也日新月異：功率器件開關頻率進一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應用環境更加復雜惡劣，這些都對隔離型驅動的性能和可靠性提出了全新的挑戰。而英飛凌隔離型驅動的超強性能正好滿足了這些挑戰：＋無磁芯變壓器隔離技術基于磁耦合的電氣隔

  英飛凌 驅動器

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• 發布了文章 2022-04-08 01:25

  如何正確理解功率循環曲線

  

  近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業的廣泛關注，特別是風力發電、軌道交通等應用領域。IGBT的可靠性通常用以芯片結溫變化為衡量目標的功率循環曲線和基板溫度變化為衡量目標的溫度循環曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會引起結合點的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分

  IGBT

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• 發布了文章 2022-04-07 01:25

  SiC，30年意味著什么？

  

  沈璐英飛凌工業功率控制事業部大中華區高級市場總監一直以來英飛凌都在積極推進創新，在功率器件領域的創新使得我們已經連續18年位列市場份額第一。無論是從創新還是從企業社會責任角度出發，英飛凌都會不遺余力地在碳化硅領域做出自己的貢獻。據Yole預測，碳化硅市場規模有望在2025年超過25億美金，年復合增長率超過30%，其中可再生能源和新能源汽車等都是碳化硅極有前景

  英飛凌 SiC

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• 發布了文章 2022-04-02 01:41

  絕緣體上硅（SOI）驅動芯片技術優勢及產品系列

  

  在之前的技術文章中，介紹了驅動芯片的概覽和PN結隔離(JI)技術，本文會繼續介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅動芯片技術。高壓柵極驅動IC的技術經過長期的發展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡稱SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對于傳統的導電型的硅襯底，它有三層結構，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機械支撐

  芯片 SOI

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• 發布了文章 2022-04-01 01:23

  新品 | 通用分立功率半導體測試評估平臺

  

  活動預告今天下午晚4點（北京時間），英飛凌將于線上舉辦“工業寬禁帶半導體開發者論壇”。活動將持續6個小時，更有英飛凌總部資深專家從技術和應用角度深度解析寬禁帶半導體，與大家共同迎接新器件的設計挑戰！（詳情請戳：報名|工業寬禁帶半導體開發者論壇）快掃描下方二維碼報名活動，并獲取詳細論壇議程吧！（論壇為英文演講）新品通用分立功率半導體測試評估平臺型號為EVAL_

  測試 半導體

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