仁懋電子文章

• 仁懋TOLL/TOLT封裝系列區別在哪？2025-06-04 17:22

  

  在工業應用對MOSFET需求日益攀升的當下，半導體封裝技術的革新成為關鍵。仁懋的TOLL和TOLT封裝系列作為TOLx封裝家族的重要成員，各自憑借獨特優勢，在不同領域大放異彩。今天，我們就來深入探究這兩大封裝系列的顯著區別！散熱方式大不同，熱性能差異顯著TOLL封裝采用底部散熱方式，熱量需歷經“Junction→Case→Solder→PCB→VIAs→PC

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• 仁懋中低壓MOS在BMS的應用2025-05-22 17:35

  

  隨著科技不斷進步，越來越多電子產品的電池大部分是鋰電池，鋰電池具有壽命長，能量密度高，體重小，體積小等優點受到人們青睞，鋰電池主要組成部分為電芯+BMS保護板，鋰電池有些特性不能過度充放電，短路等等。典型鋰電池電芯單元的額定電壓為3.6V（三元）鐵鋰3.2V（鐵鋰），最大充電結束電壓為4.2V（三元）3.6-3.8V（鐵鋰），最小放電結束電壓為2.5V。高放

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• 全球爆款風扇燈！仁懋40W風扇燈核心器件矩陣2025-05-14 10:51

  

  風扇燈全球爆發的技術密碼在亞馬遜、Wayfair等平臺，一款中國設計的風扇燈正以“靜如羽毛、亮如極光”的極致體驗橫掃歐美市場。-靜音神話：1米處噪音＜28dB（圖書館級靜音），超越傳統吊扇40dB水平；-能效霸權：通過ERPLot8/DOEVI雙認證，待機功耗＜0.5W；-長壽基因：50,000小時壽命（日均使用8小時可用17年）；-設計革命：54.71mm

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• AI電源革命！仁懋氮化鎵如何讓400W服務器電源效率狂飆至98%2025-05-10 12:06

  

  AI算力的“能耗之痛”在AI訓練集群中，單臺服務器功耗已突破4kW，電源系統面臨三重極限挑戰：效率瓶頸：傳統硅器件在高壓PFC段效率僅95%，年損耗電量超10萬度/千臺；散熱危機：電源模塊溫升＞40℃，被迫使用暴力扇散熱，噪音高達55dB；體積桎梏：磁性元件體積占比超60%，制約機架密度提升。仁懋氮化鎵（GaN）解決方案，以“高頻高效、極寒運行”重構AI電源

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• 從型號看實力！仁懋GaN器件命名規則全解析2025-05-06 17:24

  

  型號背后的技術密碼仁懋氮化鎵（GaN）器件型號采用"三段式編碼規則"，通過字母與數字組合精準傳遞技術參數。示例型號：MOTGE65R190Q1.前綴定位技術路線-GE：增強型（E-mode）氮化鎵-GD：耗盡型（D-mode）氮化鎵技術差異：E-mode器件無需負壓關斷，驅動電路更簡化；D-mode需搭配驅動IC實現常閉特性。2.耐壓等級標識-65：650V

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• 靜音省電新標桿！仁懋MOS如何讓家用風扇能效飆升?2025-04-25 10:32

  

  在智能家居普及的今天，消費者對家用風扇的要求早已超越基礎送風功能，面臨的問題如下能效焦慮：傳統MOS導通損耗高，三級能效產品年耗電超50度，電費成本激增；噪音困擾：開關損耗導致的PWM嘯叫，夜間運行噪音＞35dB；體積桎梏：笨重的電源模塊侵占設計空間，阻礙超薄化、藝術化造型；可靠性危機：電壓波動引發MOS雪崩失效，返修率高達12%。仁懋電子專為智能風扇打造的

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• 告別燒MOS！仁懋大功率水泵電機控制選型指南2025-04-17 14:17

  

  在極端天氣頻發的當下，灌溉水泵已成為農田保收的生命線。然而，行業調研數據顯示：27%的灌溉系統故障源于MOS管過熱燒毀或浪涌擊穿，傳統器件在惡劣情況下暴露三大短板：高溫降容：環境溫度＞45℃時，MOS電流承載能力驟降40%；水汽腐蝕：濕度＞80%環境下，鍵合線銹蝕導致導通電阻（RDS(on)）年漂移超15%；外部影響：外部環境復雜，對器件抗震動要求高，容易引

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• 突破100lm/W的幕后英雄！揭秘高光效LED的電源心臟2025-04-10 09:45

  

  當LED光效突破100lm/W，全球照明產業迎來高光時刻。然而，支撐這束光芒的電源系統卻暗流涌動——23%的LED燈具失效源于MOS管過熱或電壓擊穿，在礦井、化工等極端場景，這一數字更飆升至58%。仁懋電子推出AC-DC專用MOS矩陣，以“超低損耗、極致安全”重塑LED電源可靠性標準。行業痛點：光效背后的電源危機熱失控困局：傳統MOS高熱阻，影響50W燈具溫

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• 仁懋MOS產品在電動叉車上的應用2025-04-02 14:22

  

  隨著電動叉車向高效化、輕量化、長續航方向發展，功率半導體器件的選擇對系統性能影響顯著。仁懋TOLL封裝的MOSFET憑借其低導通電阻（RDS(on)）、高功率密度、優異的熱性能以及緊湊的封裝尺寸，成為電動叉車電力電子系統的理想選擇。仁懋電子深耕動力器件領域，推出MOT7130T4、MOT1113T4、MOT7136T等專用MOS產品，以“超低損耗、極致可靠”

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• 算力革命背后的隱形力量：仁懋MOSFET如何讓服務器電源效率狂飆？2025-03-21 17:35

  

  算力時代的高壓挑戰隨著AI大模型訓練集群規模突破10萬卡，單機柜功率密度已飆升至30kW，傳統服務器電源的MOSFET面臨極限考驗——1%的效率差距意味著單數據中心年損耗超5000萬度電。仁懋電子專為高壓直流場景打造的MOT12N65T/MOT35N65T，以“高頻高效、極寒散熱”重新定義服務器電源MOS選型標準。技術破局：三重復合戰力1.導通損耗碾壓式領先

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