關于中興通訊被制裁事件的分析介紹
模型從業(yè)者的商業(yè)模式?jīng)Q定了規(guī)模不可能大,而且是以研發(fā)為主,所以沒有國家支持是很難生存下去的。美國的C....
關于歐盟項目TARANTO的分析和介紹
半導體產(chǎn)業(yè)鏈很長,每個產(chǎn)品牽涉很多知識,所以XMOD也一直通過在參與歐盟項目的同時,把那些愿意把技術....
關于AI背景下的on-chip ESD (靜電保護)需求分析和應用
ofics 的on-chip ESD 覆蓋目前主流工藝,應用也非常廣泛,除了上面的人工智能,硅光電,....
回顧關于MOS-AK 北京器件模型會議可靠性報告的發(fā)展
FinFET和FDSOI是先進的工藝技術節(jié)點采用的新的器件創(chuàng)新來繼續(xù)保持摩爾定律。在這些器件結構中,....
回顧MOS-AK 北京器件模型國際會議的主要內(nèi)容和主題
當然,MOS-AK會議前期的培訓部分也非常精彩,6月14日,Dr. Franz Sischka 的R....
關于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和應用介紹
總的來說,這款LNA的芯片在NF方面的表現(xiàn)是非常不錯,對于其應用還是非常廣泛的, 比如風力發(fā)電中玻璃....
關于鍺硅工藝的建模,設計和應用分析和介紹
下午,主要由來自Silicon Radar的設計主管Dr. Wojciech Debski 帶來基于....
關于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解決方案的介紹和分析
無論是0.18um CMOS還是12nm FinFet并不重要,設計公司將始終受益于更短的開發(fā)時間,....
關于SiGe HBT工藝120GHz超寬帶芯片SPEC的性能分析和應用
122 GHz收發(fā)雷達前端(RFE)主要應用領域是在短程/高分辨雷達系統(tǒng),范圍高達約7米。通過使用附....
關于歐盟項目Kamerad的分析和介紹
作為歐盟項目自動駕駛相關項目的活躍合作伙伴Silicon Radar, 將在6月20日的MOS-AK....
回顧MOS-AK成都器件模型國際會議的內(nèi)容介紹
成都電子科技大學團隊的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團隊在這方面所做的努力和成績。在先進節(jié)點方面....