在電力電子的廣闊領域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優劣直接關乎整個系統的運行....
IGBT模塊的反向恢復現象是指在IGBT關斷時，其內部集成的續流二極管（FWD）從正向導通狀態轉變為....
在現代工業電氣領域，中頻電源應用廣泛，而 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為中頻電源的核心器件，起著....
在全球積極推進能源轉型的大背景下，新能源領域蓬勃發展，而 IGBT 模塊作為其中的關鍵器件，發揮著不....
IGBT的溫度及安全運行 IGBT的溫度可由下圖描述： 溫差 (平均值)和熱阻關系如下式： Rthj....
IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義： 1.對比不同的IGBT的參數； ....
IGBT雙脈沖實驗 1.1 IGBT雙脈沖實驗目的 1、通過實驗獲取IGBT驅動板及IGBT模塊的主....
在1字形二極管鉗位三電平電路中，當發生短路故障或過流故障時，傳統的關斷IGBT的做法是，檢測到故障的....
日前，中科知慧(北京)科技成果評價有限公司組織專家，對青島佳恩半導體有限公司完成的“IGBT1200....
隨著功率器件的發展，正弦波脈寬調制(SPWM)技術得到了廣泛的應用，SPWM 控制是在逆變器輸出交流....
單相全橋逆變電路 單相全橋逆變電路也稱“H 橋”電路，其電路拓樸結構如圖1所示，由兩個半橋 圖1單相....
通過以上方程，現在可以根據測量值來計算所需的死區時間。使用計算出的死區時間，需要進行最壞情況下的測量....
各種拓撲對IGBT驅動器的要求各不相同，比如： 兩電平拓撲通常要求短路保護和過壓保護即可。常用的短路....
IGBT絕緣特性 電子元器件（半導體模塊）中，隔離帶電部分和底板的材料，被稱作絕緣材料。在大功率半導....
計算IGBT模塊死區時間 1 引言 在現代工業中，IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了....
采用模擬電路方式測量IGBT模塊NTC溫度傳感器溫度：這個基本的方法是基于一個分壓器作為熱敏裝置。
IGBT模塊在三相電機驅動逆變器中的典型應用案例如下圖，主要包含了整流、IGBT主電路、驅動保護、P....
IGBT模塊采用吸收電路時，典型的關斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出，初始浪涌電壓△U1之后，隨....
在光伏逆變器等大功率應用場合，主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數百nH)。....
IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發熱的原因主....
功率器件的正常運行在很大程度上依賴于散熱。常用的散熱方式有自冷、風冷、水冷和沸騰冷卻四種。
以IGBT模塊應用三相逆變電路為例。
IGBT模塊關斷截止時，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導通損耗和開....
5月28日，青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學戰略合作簽約儀式在青島隆重舉行，參加此次簽約儀式....
圖5-14所示是采用IGBT過流時UCE增大的原理構成的保護電路，該電路采用IGBT專用驅動器EXB....
IGBT并聯可以分為“硬并聯”及“橋臂并聯”2大類。
并聯IGBT的直流母線側連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱；
IGBT驅動器在并聯的場合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數）
圖1是半橋式逆變電路的原理圖，它是在全橋式逆變電路的基礎上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個IGB....
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫....
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