光刻部的主要機臺是什幺？ 它們的作用是什幺？

　　答：光刻部的主要機臺是： TRACK（涂膠顯影機）， Sanner（掃描曝光機）

　　為什幺說光刻技術最象日常生活中的照相技術

　　答：Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片，而曝光機就是一臺最高級的照相機。 光罩上的電路圖形就是”人物“。 通過對準，對焦，打開快門， 讓一定量的光照過光罩， 其圖像呈現在芯片的光刻膠上， 曝光后的芯片被送回Track 的顯影槽， 被顯影液浸泡， 曝光的光刻膠被洗掉， 圖形就顯現出來了。

　　光刻技術的英文是什幺

　　答：Photo Lithography

　　常聽說的.18 或點13 技術是指什幺？

　　答：它是指某個產品，它的最小”CD“ 的大小為0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高， 每個芯片上可做的芯片數量越多， 難度也越大。它是代表工藝水平的重要參數。

　　從點18工藝到點13 工藝到點零9. 難度在哪里？

　　答：難度在光刻部， 因為圖形越來越小， 曝光機分辨率有限。

　　曝光機的NA 是什幺？

　　答：NA是曝光機的透鏡的數值孔徑;是光罩對透鏡張開的角度的正玹值。 最大是1; 先進的曝光機的NA 在0.5 ---0.85之間。

　　曝光機分辨率是由哪些參數決定的？

　　答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波長;NA是曝光機的透鏡的數值孔徑; k1是標志工藝水準的參數， 通常在0.4--0.7之間。

　　如何提高曝光機的分辨率呢？

　　答：減短曝光的光波長， 選擇新的光源; 把透鏡做大，提高NA.

　　現在的生產線上， 曝光機的光源有幾種， 波長多少？

　　答：有三種： 高壓汞燈光譜中的365nm 譜線， 我們也稱其為I-line; KrF 激光器， 產生248 nm 的光; ArF 激光器， 產生193 nm 的光;

　　下一代曝光機光源是什幺？

　　答：F2 激光器。 波長157nm

　　我們可否一直把波長縮短，以提高分辨率？ 困難在哪里？

　　答：不可以。 困難在透鏡材料。 能透過157nm 的材料是CaF2， 其晶體很難生長。 還未發現能透過更短波長的材料。

　　為什幺光刻區采用黃光照明？

　　答：因為白光中包含365nm成份會使光阻曝光，所以采用黃光; 就象洗像的暗房采用暗紅光照明。

　　什幺是SEM

　　答：掃描電子顯微鏡（Scan Electronic Microscope）光刻部常用的也稱道CD SEM. 用它來測量CD

　　如何做Overlay 測量呢？

　　答：芯片（Wafer）被送進Overlay 機臺中。 先確定Wafer的位置從而找到Overlay MARK. 這個MARK 是一個方塊 IN 方塊的結構。大方塊是前層， 小方塊是當層;通過小方塊是否在大方塊中心來確定Overlay的好壞。

　　生產線上最貴的機器是什幺

　　答：曝光機;5-15 百萬美金/臺

　　曝光機貴在哪里？

　　答：曝光機貴在它的光學成像系統 （它的成像系統由15 到20 個直徑在200 300MM 的透鏡組成。波面相位差只有最好象機的5%. 它有精密的定位系統（使用激光工作臺）

　　激光工作臺的定位精度有多高？

　　答：現用的曝光機的激光工作臺定位的重復精度小于10nm

　　曝光機是如何保證Overlay《50nm？

　　答：曝光機要保證每層的圖形之間對準精度《50nm. 它首先要有一個精準的激光工作臺， 它把wafer移動到準確的位置。 再就是成像系統，它帶來的圖像變形《35nm.

　　在WAFER 上， 什幺叫一個Field？

　　答：光罩上圖形成象在WAFER上， 最大只有26X33mm一塊（這一塊就叫一個Field），激光工作臺把WAFER 移動一個Field的位置，再曝一次光，再移動再曝光。 直到覆蓋整片WAFER。 所以，一片WAFER 上有約100左右Field.

　　什幺叫一個Die？

　　答：一個Die也叫一個Chip;它是一個功能完整的芯片。 一個Field可包含多個Die;

　　為什幺曝光機的綽號是“印鈔機”

　　答：曝光機 很貴；一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多;所以必須充份利用它的產能，它一天可產出1600片WAFER。

　　Track和Scanner內主要使用什幺手段傳遞Wafer：

　　答：機器人手臂（robot）， Scanner 的ROBOT 有真空（VACCUM）來吸住WAFER. TRACK的ROBOT 設計獨特， 用邊緣HOLD WAFER.

　　可否用肉眼直接觀察測量Scanner曝光光源輸出的光

　　答：絕對禁止;強光對眼睛會有傷害

　　為什幺黃光區內只有Scanner應用Foundation（底座）

　　答：Scanner曝光對穩定性有極高要求（減震）

　　近代光刻技術分哪幾個階段？

　　答：從80’S 至今可分4階段：它是由曝光光源波長劃分的;高壓水銀燈的G-line（438nm）， I-line（365nm）; excimer laser KrF（248nm）， ArF laser（193nm）

　　I-line scanner 的工作范圍是多少？

　　答：CD 》0.35um 以上的圖層（LAYER）

　　KrF scanner 的工作范圍是多少？

　　答：CD 》0.13um 以上的圖層（LAYER）

　　ArF scanner 的工作范圍是多少？

　　答：CD 》0.08um 以上的圖層（LAYER）

　　什幺是DUV SCANNER

　　答：DUV SCANNER　是 指所用光源為Ｄeep Ultra Voliet， 超紫外線．即現用的248nm，193nm Scanner

　　Scanner在曝光中可以達到精確度宏觀理解：

　　答：Scanner 是一個集機，光，電為一體的高精密機器；為控制iverlay《40nm，在曝光過程中，光罩和Wafer的運動要保持很高的同步性．在250nm/秒的掃描曝光時，兩者同步位置《10nm．相當于兩架時速1000公里／小時的波音747飛機前后飛行，相距小于10微米

　　光罩的結構如何？

　　答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）．在制造光罩時，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形（把部分鉻膜刻掉，透光）．在距鉻膜5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜（叫pellicle），保護鉻膜不受外界污染。

　　在超凈室（cleanroom）為什幺不能攜帶普通紙

　　答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會產生大量微小塵埃（particle）．進cleanroom 要帶專用的Cleanroom Paper.

　　如何做CD 測量呢？

　　答：芯片（Wafer）被送進CD SEM 中。 電子束掃過光阻圖形（Pattern）。有光阻的地方和無光阻的地方產生的二次電子數量不同; 處理此信號可的圖像。對圖像進行測量得CD.

　　什幺是DOF

　　答：DOF 也叫Depth Of Focus， 與照相中所說的景深相似。 光罩上圖形會在透鏡的另一側的某個平面成像， 我們稱之為像平面（Image Plan）， 只有將像平面與光阻平面重合（In Focus）才能印出清晰圖形。 當離開一段距離后， 圖像模糊。 這一可清晰成像的距離叫DOF

　　曝光顯影后產生的光阻圖形（Pattern）的作用是什幺？

　　答：曝光顯影后產生的光阻圖形有兩個作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應，被吃掉．去除光阻后，就會有電路圖形留在芯片上．另一作用是充當例子注入的模板．

　　光阻種類有多少？

　　答：光阻種類有很多．可根據它所適用的曝光波長分為I-line光阻，KrF光阻和ArF光阻

　　光阻層的厚度大約為多少？

　　答：光阻層的厚度與光阻種類有關．I-line光阻最厚，0.7um to 3um. KrF光阻0.4-0.9um. ArF光阻0.2-0.5um.

　　哪些因素影響光阻厚度？

　　答：光阻厚度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉速度有關，越快越薄，與光阻粘稠度有關．

　　哪些因素影響光阻厚度的均勻度？

　　答：光阻厚度均勻度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉加速度有關，越快越均勻，與旋轉加減速的時間點有關．

　　當顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理

　　答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet），把它提供給醫生，以協助治療