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GaN襯底 中國LED企業與國外廠家同時起跑

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中國近幾年在IC設計行業的發展較快,在國際IC市場取得一定的份額,但比例還是非常小,與發達國家還有相當在的差距。中國IC設計公司與國外企業相比較,主要有以下特點和不同:
2020-07-13 09:32:441331

武大發現PSSA襯底可提高LED芯片的效率

據報道,武漢大學的研究團隊近期公布了采用PSSA(patterned sapphire with silica array)襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法,提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵(InGaN/GaN)倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23801

GaN產業格局初成,國內廠商加速布局

我國GaN產品逐步從小批量研發、向規模化、商業化生產發展。GaN單晶襯底實現2-3英寸小批量產業化,4英寸已經實現樣品生產。GaN異質外延襯底已經實現6英寸產業化,8英寸正在進行產品研發。 GaN材料應用范圍仍LED向射頻、功率器件不斷擴展。
2020-12-23 15:15:092355

承泰科技是如何突破國外廠商毫米波雷達市場壟斷的?

眾所周知,毫米波雷達市場一直由ABCD等國外巨頭壟斷。但是近年來,少數國內企業開始取得了量產突破,譬如承泰科技,2020年在商用車毫米波雷達市場出貨量達到10多萬臺,在國內廠商中處于第一
2021-04-01 14:13:344425

探究Si襯底的功率型GaNLED制造技術

介紹了Si襯底功率型GaNLED芯片和封裝制造技術,分析了Si襯底功率型GaNLED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術,提供了
2021-04-21 09:55:203939

解析?國產GaN控制芯片在快充領域的優勢與不足

電子發燒友網報道(文/李誠)上一期文章講述了國外廠商主流的GaN快充主控芯片,其中安森美NCP1342解決方案被眾多廠商使用。其實,除了國外GaN控制芯片,國內的GaN控制芯片這幾年發展得也不錯
2021-09-18 09:49:533869

新開發了一種GaN襯底減薄技術——激光減薄技術

而此次他們通過實驗證明,該技術同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造,即在器件制造之后采用激光工藝進行減薄,該技術可顯著降低 GaN 襯底的消耗。
2022-05-12 10:45:553709

晶能光電硅襯底氮化鎵技術助力MicroLED產業化

Micro LED被譽為新時代顯示技術,但目前仍面臨關鍵技術、良率、和成本的挑戰。 微米級的Micro LED已經脫離了常規LED工藝,邁入類IC制程。相對其它競爭方案,大尺寸硅襯底氮化鎵(GaN
2022-08-17 12:25:421163

晶能光電參與的國家虛擬現實創新中心獲批組建

晶能光電是硅襯底GaNLED生產的垂直整合制造IDM企業,擁有包括硅襯底GaN材料生長、LED芯片制備,器件模組生產的全鏈條產業化的豐富經驗。
2022-11-08 09:19:12589

世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底

近年來,半絕緣SiC襯底上外延生長的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應用于微波射頻領域的功率放大器電路中。
2022-12-02 11:43:46497

國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

 相比于橫向功率電子器件,GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態特性、更佳的熱管理,而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國內外眾多科研團隊的目光,近些年已取得了重要進展。
2022-12-15 16:25:35808

電裝實力入榜2022胡潤中國外商投資企業百強

2022 胡潤中國外商投資企業百強 2022 /12 / 21 胡潤研究院發布了《2022胡潤中國外商投資企業百強榜暨投資大灣區指南》 (Hurun Largest Foreign HK/Macau
2023-01-05 01:55:02612

晶能光電帶驅動的三基色Micro LED顯示模組再獲央視報道

作為國家虛擬現實創新中心入局者,晶能光電利用自主創新的硅襯底GaNLED技術,承擔硅襯底Micro LED的關鍵共性技術開發。
2023-02-15 10:53:39270

淺談帶驅動的三基色Micro LED顯示模組

作為國家虛擬現實創新中心入局者,晶能光電利用自主創新的硅襯底GaNLED技術,承擔硅襯底Micro LED的關鍵共性技術開發。
2023-02-21 11:00:20262

淺談GaN 異質襯底外延生長方法

HVPE(氫化物氣相外延法)與上述兩種方法的區別還是在于鎵源,此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源,NH3為氮源,在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32309

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應

襯底材料和GaN之間純在較大的晶格失配和熱失配,外延層中往往存在大量的缺陷,使得HEMT器件中存在較強電流崩塌效應,影響器件的性能發揮。
2023-06-14 14:00:551920

與國外直線模組相比,國內直線電機模組廠家面臨哪些挑戰?

當前在國內工業與制造業智能化、自動化轉型升級趨勢不斷加深背景下,國內直驅技術市場保持著高速成長的趨勢,市場應用空間不斷拓大。但國產直線電機還處于發展的初期階段,產品工藝和技術方面還未完全完善和成熟,那么與國外直線模組相比,國內直線電機模組廠家面臨哪些挑戰?
2023-07-26 14:39:20594

幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質外延的難處

GaN半導體產業鏈各環節為:襯底GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中,襯底是整個產業鏈的基礎。 作為襯底GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31795

氮化鎵襯底和外延片哪個技術高 襯底為什么要做外延層

氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵(GaN)基礎半導體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導體材料,具有優異的電子特性和高頻特性,適用于高功率、高頻率和高溫應用。 使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312720

晶能光電硅襯底UVA LED 產品性能處于行業先進水平

2023年9月,第三屆紫外LED國際會議暨長治LED發展推進大會在長治隆重召開,國內外專家云集,深入交流紫外LED最新技術進展與發展趨勢。晶能光電外延工藝高級經理周名兵受邀作《硅襯底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:285949

晶能光電:硅襯底GaN材料應用大有可為

襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業照明領域已經實現規模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術和低功率PA正在進行工程化開發。DUV LEDGaN LD以及GaN/CMOS集成架構尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31361

助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展

GaN性能優異,在光電子、微電子器件應用廣泛,發展潛力巨大;進一步發展,需提升材料質量,制備高質量氮化鎵同質襯底
2023-12-09 10:24:57774

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