普賽斯PMST功率器件靜態參數測試系統，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態參數測試系統配置有多種測量單元模塊，模塊化的設計測試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。

●   高電壓達3500V(最大擴展至10kV)

●   大電流達6000A(多模塊并聯)

●   nA級漏電流μΩ級導通電阻

●   高精度測量0.1%

●   模塊化配置，可添加或升級測量單元，可提供IV、CV、跨導等豐富功能的綜合測試

●   測試效率高，自動切換、一鍵測試

●   溫度范圍廣，支持常溫、高溫測試

●   兼容多種封裝，根據測試需求定制夾具

測試項目

●   集電極-發射極電壓 VCES、集電極-發射極擊穿電壓 V(BR)CES、集電極-發射極飽和電壓VCEsat

●   集電極截止電流ICES、柵極漏電流IGES

●   柵極-發射極電壓VGES、柵極-發射極閾值電壓VGE（th）

●   輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

●   續流二極管壓降VF

●   I-V特性曲線掃描、C-V特性曲線掃描、等等

系統優勢

1、IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時間小于5ms，在測試過程中能夠減少待測物加電時間的發熱。

2、高壓下漏電流的測試能力無與倫比，測試覆蓋率優于國際品牌。市面上絕大多數器件的規格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態系統高壓模塊測試幾乎可以完美應對所有類型器件的漏電流測試需求。

3、此外，VCE(sat)測試是表征 IGBT 導通功耗的主要參數，對開關功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源，脈沖上升沿速度要足夠快時才能減小器件發熱，同時設備需要有同步采樣電壓功能。

IGBT靜態測試系統大電流模塊：50us—500us 的可調電流脈寬，上升邊沿在 15us(典型值)，減少待測物在測試過程中的發熱，使測試結果更加準確。下圖為 1000A 波形：

4、快速靈活的客制化夾具解決方案：強大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產品的測試。

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