晶體管動態特性測試系統STA1200
基礎信息
高壓源：1200V（選配2000V）
高流源：100A（選配200A/300A/500A）
驅動電壓：±20V（選配±30V）
時間分辨率：1ns（選配400ps/200ps/100ps）
系統雜感：＜20nH
測試對象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（選配BJT）
變溫測試：常溫~150℃/200℃
感性負載：程控電感（0.01~160mH，步進10uH）
阻性負載：程控電阻（1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω）備用三個
測試管型：可以測試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs
測試標準：IEC60747-9/IEC60747-2，GB/T29332/GB/T4023
晶體管動態特性測試系統STA1200
試驗原理舉例
晶體管動態特性測試系統STA1200
技術特點
- 專注寬禁帶功率器件動態參數評測，軟件程控，測試條件界面化輸入，系統閉環處理，自動調節一鍵測試
- 采用光纖驅動信號通訊，響應速度快，抗干擾能力強
- 自動加熱可由室溫~200℃，精度±0.1℃
- 測試結果Excel，JPEG波形，波形任意縮放細節展寬分析
- 測試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實測)
- 柵極驅動電阻Rg端口開放，按設定條件匹配電阻
- DualARM控核，DSP數據采樣計算，極大減少控制時延誤差
晶體管動態特性測試系統STA1200
試驗能力
標配：開通特性測試單元/Turn_ON
標配：關斷特性測試單元/Turn_OFF
標配：二極管反向恢復測試單元/Trr
標配：柵電荷測試單元/Qg¨
選配：容阻測試單元/CR¨
選配：短路測試單元/SC¨
選配：雪崩測試單元/UIS¨
選配：安全工作區單元/SOA¨
選配：動態電阻單元/
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專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗
晶體管動態特性測試系統STA1200
參數指標
√ 標配（阻性/感性）開關測試單元 / Turn_ON/OFF |
漏極電壓： 5V-1200V， 分辨率 1V |
漏極電流： 1A-100A， 分辨率1A； |
柵極驅動： ±20V （選配±30V）， 分辨率 0.1V |
柵極電流： 2A/MAX |
脈沖寬度： 1us-500us,步進 0.1us |
時間精度： 1ns |
感性負載： 0.01mH-160mH 程序控制， 步進 10uH |
阻性負載： 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω , 程控， 備用三個電阻 |
開關時間： ton/toff： 1-10000ns分辨率1ns （選配400/200/100ps） |
開關延遲： td(on)/td(off）： 0.1-10000ns@1ns （選配400/200/100ps） |
上下時間/tr/tf： 1-10000ns分辨率1ns （選配400/200/100ps） |
開關損耗/ Eon/Eoff： 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ |
√ 標配 柵極電荷單元 / Qg |
驅動電流： 0-2mA， 分辨率 0.01mA |
2-20mA， 分辨率 0.1mA |
20mA-200mA， 分辨率 1mA |
柵極電壓： ±20V （選配±30V） @0.1V |
恒流源負載： 1-25A， 分辨率0.1A |
25-100A(選配200A/300A)@1A |
漏極電壓： 5-100V， 步進 0.1V |
100-1200V， 步進 1.0V |
柵極電荷 Qg： 1nC-100μC |
漏極電荷 Qgs： 1nC-100μC |
源極電荷 Qgd： 1nC-100μC |
平臺電壓 Vgp： 0~30V， 分辨率 0.1V |
√ 標配 二極管反向恢復測試單元 / Qrr_FRD |
正向電流： 1A-25A， 分辨率 0.1A |
25A-100A （選配200A/300A） 分辨率 1A |
反向電壓： 5v-100V， 步進 0.1V |
100V-1200V， 步進 1.0v |
反向恢復時間 Trr： 1-10000ns， 最小分辨率1ns （選配400/200/100ps） |
反向恢復電荷 Qrr： 1nC-100μC， 最小分辨率 1nC； |
反向恢復電流 Irm： 1A-100A （選配200A/300A）； |
反向恢復損耗 Erec： 1-2000mJ， 最小分辨率 1uJ； |
電流下降率 dif/dt： 50-1kA/us； |
電壓變化率 dv/dt： 50-1kV/us。 |
¨ 選配 短路特性測試單元/ SC |
電流： 1000A/MAX |
脈寬： 1us~100us |
柵驅電壓： ±20V （選配±30V） @0.1V |
漏極電壓： 5V~100V， 0.1V 分辨率 |
100V~1200V， 1.0V 分辨率 |
¨ 選配 雪崩測試單元 / UIS |
雪崩耐量/EAS： 100J |
雪崩擊穿電壓/2500V |
雪崩電流/IAS： 1.0-400A 分辨率 1.0A |
感性負載/0.01-160mH@10μH， 程控可調 |
| ¨ 選配 容阻測試單元 / CR |
掃頻范圍： 0.1MHz～5MHz |
漏源極電壓： 1200V， 分辨率 1V |
¨ 選配 動態電阻Ron,dy
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