制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: Yes
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 400 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.25 V
Qg-柵極電荷: 7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.3 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: SuperMESH
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時(shí)間: 25 ns
高度: 1.8 mm
長(zhǎng)度: 6.5 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 5 ns
系列: STN1HNK60
包裝數(shù)： 4000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns
典型接通延遲時(shí)間: 6.5 ns
寬度: 3.5 mm
單位重量: 250 mg
