--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP05N50EI-HF-VB 產品簡介
AP05N50EI-HF-VB 是一款單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),采用 TO220F 封裝,由 VBsemi 公司生產。它具有高漏源電壓和低導通電阻特性,適用于高功率應用和要求高效能轉換的電子系統。
### AP05N50EI-HF-VB 參數說明
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單通道 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:30V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術**:平面技術(Plannar)
### 適用領域和模塊
#### 電源供應和逆變器
AP05N50EI-HF-VB 可以作為電源供應和逆變器中的關鍵部件,用于工業和消費電子設備的功率開關和能量轉換。其低導通電阻和高電壓容忍能力,適合于需要高效率和長期穩定運行的應用。
#### 電動車輛和充電系統
在電動車輛和充電系統中,AP05N50EI-HF-VB 可以用作電動馬達控制器和電池充電器的功率開關器件。其高電流承載能力和可靠性,能夠支持電動車輛的高效能驅動和快速充電需求。
#### 太陽能和風能轉換系統
作為太陽能和風能轉換系統中的逆變器和功率放大器,AP05N50EI-HF-VB 能夠幫助提高能源轉換效率和系統穩定性。其適應復雜的電力環境和高功率輸出要求。
#### 工業自動化和機器人控制
在工業自動化和機器人控制系統中,AP05N50EI-HF-VB 可以用于高速開關和精確控制要求的應用。其快速響應和可靠性,確保了設備在各種工作條件下的穩定運行和長壽命。
#### 高頻電源模塊
由于其平面技術和低導通電阻,AP05N50EI-HF-VB 適用于需要高頻開關操作的電源模塊,如通信設備中的功率放大器和射頻發射器。它能夠提供高效能的能量轉換和電力管理解決方案。
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