### 1. 產品簡介

AP18P10GJ-HF-VB 是一款單 P-溝道功率場效應管（Power MOSFET），采用Trench工藝制造。該器件適用于高性能功率開關和電源管理應用，具有-100V的漏極-源極電壓（VDS）額定值和最大-16A的漏極電流（ID）容量。

### 2. 參數說明

- **型號**: AP18P10GJ-HF-VB
- **封裝**: TO251
- **通道類型**: 單 P-溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: -100V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: -2V
- **RDS(ON) (導通電阻)**:
 - 120mΩ @ VGS = 4.5V
 - 100mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: -16A
- **技術**: Trench

### 3. 應用示例

AP18P10GJ-HF-VB 可適用于以下領域和模塊：

- **電源管理**: 由于其高漏極電流容量和低導通電阻特性，適合用作電源開關和電源管理系統中的關鍵組件，特別是在需要處理高電壓和高電流的應用中。

- **電動車輛充電系統**: 在電動車輛充電系統中，用于電池管理和充電控制，確保高效率和安全的電池充電過程。

- **工業控制**: 用于工業設備和控制系統中的功率開關和逆變器，以提供可靠的功率控制和管理。

- **電源適配器**: 在電源適配器和開關電源電路中，用于提供穩定的電源輸出和高效的能源轉換。

AP18P10GJ-HF-VB 的高電流和低導通電阻特性使其在需要處理大功率和高效率能源轉換的應用中具有顯著優勢。