--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### AP13N50I-VB 產品簡介
AP13N50I-VB是一款單N溝道MOSFET,封裝形式為TO220F,采用平面結構技術。該器件適用于中高壓應用,具有較高的漏源極電壓和穩定的性能。
### AP13N50I-VB 詳細參數說明
- **封裝形式**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 550V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 260mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏源極電流 (ID)**: 18A
- **技術**: 平面結構
### AP13N50I-VB 應用領域和模塊示例
AP13N50I-VB MOSFET適用于多種中高壓電子應用,以下是幾個典型應用領域和模塊示例:
1. **電源轉換器**: 由于其高漏源極電壓和穩定的導通特性,AP13N50I-VB適合用作開關電源轉換器中的功率開關器件。它能夠在高壓下工作,并提供可靠的電力轉換。
2. **電動車輛**: 在電動汽車的電動驅動系統中,該MOSFET可以用作電動機控制器的主要功率開關,幫助實現高效的電動驅動和能量回收。
3. **工業控制**: 在工業自動化和控制系統中,AP13N50I-VB可以用于各種負載開關和電源管理任務,如電機驅動、電源逆變和控制裝置。
4. **電源分配單元**: 在電力設備的電源分配單元中,這款MOSFET可以用于穩定和調節電力輸出,確保設備的穩定運行和電力質量。
5. **UPS系統**: 在不間斷電源系統(UPS)中,AP13N50I-VB可以用作關鍵的開關器件,幫助實現電池和電網之間的無縫切換,保護關鍵設備不受電力波動的影響。
通過這些應用示例,可以看出AP13N50I-VB MOSFET的廣泛適用性和在中高壓環境下的優越性能,使其成為各種工業和電子領域中的理想選擇。
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