制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: Yes
技術(shù): Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導通電阻: 750 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 70 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 115 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
系列: STP10NK60Z
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 30 ns
正向跨導 - 最小值: 7.8 S
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
包裝數(shù)：1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 55 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
寬度: 4.6 mm
單位重量: 2 g
