WD4000半導體晶圓檢測設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。
1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數，同時生成Mapping圖；
2、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖，高效分析表面形貌、粗糙度及相關3D參數；
3、基于白光干涉圖的光譜分析儀，通過數值七點相移算法計算，達到亞納米分辨率測量表面的局部高度，實現膜厚測量功能；
4、紅外傳感器發出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度，包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。
測量功能
1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區域和提取剖面等功能。
4、WD4000半導體晶圓檢測設備提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等；粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數；結構分析包括孔洞體積和波谷。
部分技術規格
品牌：CHOTEST中圖儀器
型號：WD4000系列
厚度和翹曲度測量系統
可測材料：砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等
測量范圍：150μm~2000μm
掃描方式：Fullmap面掃、米字、自由多點
測量參數：厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度
三維顯微形貌測量系統
測量原理：白光干涉
干涉物鏡：10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個)
可測樣品反射率：0.05%~100%
粗糙度RMS重復性：0.005nm
測量參數：顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數
膜厚測量系統
測量范圍：90um(n= 1.5)
景深：1200um
最小可測厚度：0.4um
紅外干涉測量系統
光源：SLED
測量范圍：37-1850um
晶圓尺寸：4"、6"、8"、12"
晶圓載臺：防靜電鏤空真空吸盤載臺
X/Y/Z工作臺行程：400mm/400mm/75mm
如有疑問或需要更多詳細信息，請隨時聯系中圖儀器咨詢。
應用場景
1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過非接觸測量，WD4000半導體晶圓檢測設備將晶圓上下面的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護膜或圖案的晶片的完整性。
2、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來反饋加工質量。在生產車間強噪聲環境中測量的減薄硅片，細磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數據計算重復性為0.046987nm，測量穩定性良好。
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