WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測量設(shè)備自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。
測量功能
1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等；粗糙度分析包括國際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù)；結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。
WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測量設(shè)備可測各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等，提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)300余種2D、3D參數(shù)作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。非接觸厚度、三維維納形貌一體測量：集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組，使用一臺(tái)機(jī)器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。
應(yīng)用場景
1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過非接觸測量，WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測量設(shè)備將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。
2、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm，測量穩(wěn)定性良好。
懇請(qǐng)注意：因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請(qǐng)諒解。
部分技術(shù)規(guī)格
| 品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
| 型號(hào) | ED4000 |
厚度和翹曲度測量系統(tǒng) | |
可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn) |
測量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度 |
三維顯微形貌測量系統(tǒng) | |
測量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個(gè)) |
可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復(fù)性 | 0.005nm |
測量參數(shù) | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù) |
膜厚測量系統(tǒng) | |
測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測厚度 | 0.4um |
紅外干涉測量系統(tǒng) | |
光源 | SLED |
測量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圓載臺(tái) | 防靜電鏤空真空吸盤載臺(tái) |
X/Y/Z工作臺(tái)行程 | 400mm/400mm/75mm |
如有疑問或需要更多詳細(xì)信息，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢。
