--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 耗散功率 200 mW
--- 產(chǎn)品詳情 ---
描述
HCPL-5231 是采用 8 引腳 DIP 陶瓷封裝的高可靠性 H 類(lèi)雙通道密封光電耦合器。同時(shí)提供鍍金引腳、浸錫引腳及其他多種引腳形式選擇。請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表獲取詳細(xì)信息。該產(chǎn)品可以作為商業(yè)級(jí)、搭配全部 MIL-PRF-38534 類(lèi) K 級(jí)測(cè)試購(gòu)買(mǎi)或從 DLA SMD 5962-88769 中選購(gòu)。HCPL-5231 在 MIL-PRF-38534 認(rèn)證線(xiàn)路上進(jìn)行生產(chǎn)和測(cè)試,并且被納入混合型微型電路 QML-38534 DLA 合格制造商名單中。每個(gè)通道含有與集成高增益光子探測(cè)器進(jìn)行光電耦合的 AlGaAs 發(fā)光二極管。探測(cè)器采用滯后閾值設(shè)計(jì),可提供差分模式抗噪能力并消除輸出信號(hào)顫振的電位。單通道單元內(nèi)的探測(cè)器具有三級(jí)輸出,可以直接連接到數(shù)據(jù)總線(xiàn)。輸出為同相。探測(cè)器芯片具有內(nèi)部屏蔽,可提供高達(dá) 1000 V/μs 的保證共模瞬變抑制能力。改進(jìn)的電源抑制能力消除了對(duì)特殊電源旁路預(yù)防措施的需要。該芯片組的單、雙或四通道封裝類(lèi)型為 8 引腳 DIP 直插型、16 引腳表面貼裝 DIP 扁平封裝以及 20 接點(diǎn)無(wú)引線(xiàn)陶瓷載體封裝。大部分器件可具有多種引腳類(lèi)型和電鍍方案選擇。請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表獲取詳細(xì)信息。由于數(shù)據(jù)表中所列出每個(gè)器件的通道都使用相同電氣特性的芯片,包括發(fā)射器和探測(cè)器,因此幾乎所有產(chǎn)品的最大絕對(duì)規(guī)格、建議工作條件、電氣規(guī)格和性能特性等幾乎完全相同,如有基于封裝變化和限制造成的部分例外會(huì)予以標(biāo)示。另外,所有器件也使用相同的封裝組裝工序和材料,這樣的相似性可實(shí)現(xiàn)使用從一個(gè)部件上獲得的數(shù)據(jù)來(lái)代表其他部件的性能,以保證可靠性及部分有限輻射測(cè)試結(jié)果。
特性
·高可靠性、雙通道、8 引腳 DIP
·-55°C 到 +125°C 性能保證
·MIL-PRF-38534 H 類(lèi),QML-38534
·器件零件編號(hào)和 DLA 標(biāo)準(zhǔn)微型電路圖紙雙重標(biāo)記
·高抗幅射能力
·可靠性數(shù)據(jù)
·提供 MIL-PRF-38534 K 類(lèi)
·四種密封型封裝配置
·單通道和四通道器件(封裝可能不同)
·寬泛的 Vcc 范圍(4.5 到 20V)
·350ns 最大傳播延遲
·CMR:> 10,000 V/μs 典型值
·1,500 Vdc 耐壓
·兼容 LSTTL、TTL 和 CMOS 邏輯
·提供三級(jí)輸出
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