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在多層集成電路中，薄的、短的局部互連提供片上連接，而厚的、長的全局互連在不同的塊之間傳輸。正如Lam Research技術總監Larry Zhao所詳細描述的那樣，硅通孔（TSV）允許信號和功率從一層傳輸到下一層。...
隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現短溝道效應，逐漸被一種新型的晶體管所取代，即鰭式場效應晶體管（Fin FET）。...
光刻材料一般特指光刻膠，又稱為光刻抗蝕劑，是光刻技術中的最關鍵的功能材料。這類材料具有光（包括可見光、紫外光、電子束等）反應特性，經過光化學反應后，其溶解性發生顯著變化。...
摩爾定律是由英特爾創始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內容為;集成電路上可容納的品體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這一定律揭示了信息技術進步的速度。...
芯片制造是當今世界最為復雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業共同完成的一個復雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總，對這個復雜的過程有一個全面而概括的描述。...
刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側壁，是一種各向異性的刻蝕。刻蝕后的側壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態，它能夠非常精確地復制掩膜上的圖案。...
厚度的增加雖然提高了晶圓的穩定性，但同時也帶來了新的挑戰，如熱管理問題和加工難度增加。更厚的晶圓意味著在制造過程中，熱量的分布可能更不均勻，這可能會影響到晶圓上芯片的制造質量。...
芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。...
作為工業化長期積累的各類工業知識、機理模型和經驗訣竅的結晶，工業軟件已經從輔助工具演化為了工業化進程不可或缺的伴生物，是制造業的重中之重。...
光刻機經歷了5代產品發展，每次改進和創新都顯著提升了光刻機所能實現的最小工藝節點。按照使用光源依次從g-line、i-line發展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機發展到浸沒步進式投影光刻機和極紫外式光刻機。...
制造集成電路的大多數工藝區域要求100級（空氣中每立方米內直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數不超過約3500）潔凈室，在光刻區域，潔凈室要求10級或更高。...
光刻是集成電路（IC或芯片）生產中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復制電路圖案的過程。...
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）晶體管技術組合在單個芯片上的高級制造工藝。...
隨著芯片在算速與算力上的需求同步提升，當前高速信號傳輸、優化散熱性能、實現更小型化的封裝、降低成本、提高可靠性以及實現芯片堆疊等已成為封裝領域的新追求。...
1950年發明，早期模擬電路廣泛使用BIPOLAR工藝，BIPOALR工藝可以做到非常低的漏電，非常低的噪聲，但是BIPOLAR最大問題是實現數字電路比較困難，或者占用面積較大。...
襯底（substrate）是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件，也可以進行外延工藝加工生產外延片。...
在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1，分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復接觸和分離，隨著曝光次數的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。...
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