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S7-1200 CPU 使用的存儲卡為 SD 卡，存儲卡中可以存儲用戶項目文件，有如下3種功能： 作為 CPU 的裝載存儲區，用戶項目文件可以僅存儲在卡中，CPU 中沒有項目文件，離開存儲卡無法運行。...
以Transformer架構為基礎的AI大模型導致了模型參數量激增，短短兩年間模型大小擴大了驚人的410倍，運算量更是激增了高達750倍。...
HBM制造集成前道工藝與先進封裝，TSV、EMC、鍵合工藝是關鍵。HBM制造的關鍵在于TSV DRAM，以及每層TSV DRAM之間的連接方式。...
AI服務器出貨量增長催化HBM需求爆發，且伴隨服務器平均HBM容量增加，經測算，預期25年市場規模約150億美元，增速超過50%。...
本文提出了一種基于RDMA和CXL的新型低延遲、高可擴展性的內存解耦合系統Rcmp。其顯著特點是通過CXL提高了基于RDMA系統的性能，并利用RDMA克服了CXL的距離限制。...
當出口隊列利用率超過上升閾值時，Cisco Nexus 9000 交換機可檢測到微突發。當隊列利用率低于下降閾值時，微突發結束。根據交換機型號的不同，本文撰寫時的最小微突發粒度為 0.64 微秒，持續時間為 73 微秒。...
數據存儲對于數據挖掘與分析、數據整合與共享、智能決策支持、業務模式創新以及優化資源配置等方面具有重要作用。按照存儲介質不同，數據存儲技術主要可分為磁性存儲、光學存儲以及半導體存儲三大類...
日本索尼正通過大規模生產激光二極管來顯著提升大容量機械硬盤（HDD）的存儲容量，以滿足全球AI數據中心日益增長的數據存儲需求。...
通過多級存儲器的設計，存儲器層次結構能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。...
DRAM（動態隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。...
FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態保持能力，或在許多開關周期后維持鐵電開關電荷的非易失性部分的能力。...
技嘉在銷售大雕512K AORUS Gen5 12000 SSD時，并未將散熱器安裝在SSD上，而是將散熱器與SSD分開放置，用戶可根據安裝環境條件自行決定是否使用散熱器。...
為了保證L1訪問延時可以做的足夠低，通常需要設計L1的associativity盡量小。因此在Sunny Cove之前通常為8 way。這里Sunny Cove增加了一個cycle的L1訪問延時，不確定是由TLB的改動引起的還是L1 associativity由8 way增加到12 way。...
DDR SDRAM，是一種雙數據速率(DDR)同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)。作為現代數字系統里最重要的核心部件之一，應用十分廣泛。從消費類電子到商業工業類設備，從終端產品到數據中心，用于CPU進行數據處理運算的緩存。近...
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。...
MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發難度高，目前主要分為兩大類：傳統MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅動，后者則采用自旋極化電流驅動。...
，基于單處理器架構，內置32bit微控制器，支持NVMe 1.4協議，是一款無獨立緩存型的四通道主控。...
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