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SD卡具有SDHC的速度等級，范圍；2級（以2 MB / s的速度運(yùn)行）；4級（以4MB / s的速度運(yùn)行）；6級（以最高6 MB / s的速度運(yùn)行）；10級（以最高的速度運(yùn)行） 10 MB /秒；...
長江存儲晶棧Xtacking架構(gòu)的原理就是在兩片獨(dú)立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時也實現(xiàn)了更高的密度、更快的速度。...
通常我們將存儲容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個字，一共有64個字。這個概念要相當(dāng)熟悉，后面理解題目很有用。...
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。...
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。...
ram也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外）且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。...
這種ROM的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問和修改任何一個字節(jié)，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。...
隨機(jī)存取存儲器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔?，而不是遵循?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲的數(shù)據(jù)位之間的訪問時間。...
Burst Length: 突發(fā)(Burst) 是指在同一行中相鄰的存儲單元連續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞健＿B續(xù)傳輸?shù)闹芷跀?shù)就是突發(fā)長度 (Burst Lengths，簡稱BL)。...
LPDDR是在DDR的基礎(chǔ)上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，簡稱“低功耗內(nèi)存”，是DDR的一種，以低功耗和小體積著稱。...
在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。...
通過ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用，通關(guān)鍵目標(biāo)之一是實現(xiàn)單片集成，讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上，不僅僅簡化了設(shè)計流程，還提升了整體系統(tǒng)性能，高度集成的電路將降低與外部組件和多個芯片相關(guān)的復(fù)雜性。...
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認(rèn)證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān)，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。...
長江存儲致態(tài)TiPlus7100 4TB固態(tài)硬盤在測試中的表現(xiàn)非常優(yōu)秀，其順序讀取速度大幅超越標(biāo)稱的7000MB/s，在CrystalDiskMark中的順序讀取速度高達(dá)7436MB/s，同時其最高順序?qū)懭胨俣纫策_(dá)到了6514.01MB/s，同樣明顯超過其標(biāo)稱的6000MB/s順序?qū)懭胨俣取?..
磁盤陣列是一種企業(yè)級存儲系統(tǒng)（RAID級別和磁盤陣列可以提高數(shù)據(jù)的可靠性和性能。在選擇磁盤陣列時，需要考慮容量、性能、可靠性和可擴(kuò)展性等因素，并進(jìn)行定制化的配置以達(dá)到最佳性價比。...
靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲器（cache memory）做為一部分存儲在相對慢速的主存儲器（main memory）中數(shù)據(jù)和指令的緩沖區(qū)域。...
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。...
大模型時代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識，存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標(biāo)，甚至某些場合超越算力，是最關(guān)鍵的性能指標(biāo)，而汽車行業(yè)也開始出現(xiàn)HBM內(nèi)存。...
電阻式內(nèi)存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結(jié)構(gòu)為簡單的金屬-絕緣層-金屬 (Metal-Insulator-Metal, MIM)，其原理為施予電壓或電流操作，利用物質(zhì)電阻改變組件的高低電阻狀態(tài)，達(dá)成數(shù)字訊號儲存效果。...
HBM 存儲器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔（TSV 或連接孔），并與放置在基礎(chǔ)封裝層上的中間件相連，中間件上還安裝有處理器，提供 HBM 到處理器的連接。...
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