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場效應管（簡寫為FET）主要有結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。場效應管由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。場效應管是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。
以下提供的是一款JFET緩沖區（共漏放大器），在日常使用中很有用，因為與晶體管相比它具有非常高的輸入阻抗。
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Equations: IDS= IDSS(1-VGS/Vp)2 RS= VRS/IDS VGS 稱為門極-源極間遮斷電壓或者截止電壓,用VGS (off)示。n溝道JFET的情況則VGS (off) 值帶有負的符號,測量實際的JFET對應ID =0的VGS 因為很困難,在放大器使用的小信號JFET時,將達到ID =0.1-10μA 的VGS 定義為VGS (off) 的情況多些。 |
