片式疊層陶瓷電容器（MLCC），簡稱片式疊層電容器（或進一步簡稱為CBB大電容貼片電容器），是由印好電極（內電極）的陶瓷介質膜片以錯位的方式疊合起來，經過一次性高溫燒結形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨石的結構體，故也叫獨石電容器，片式疊層陶瓷電容器是一個多層疊合的結構，其實質是由多個簡單平行板電容器的并聯體。因此，該電容器的電容量計算公式為

　　C=NKA／t

　　式中，C為電容量；N為電極層數；K為介電常數（俗稱K值）；A為相對電極覆蓋面積；t為電極間距（介質厚度）。

　　由此式可見，為了實現片式疊層陶瓷電容器大容量和小體積的要求。只要增大N（增加層數）便可增大電容量。當然采用高K值材料（降低穩定性能）、增加A（增大體積）和減小t（降低電壓耐受能力）也是可以采取的辦法。

　　這里特別說一說介電常數K值，它取決于電容器中填充介質的陶瓷材料。電容器使用的環境溫度、工作電壓和頻率、以及工作的時間（長期工作的穩定性）等對不同的介質會有不同的影響，具體參考HTTP://WWW.HQEW.COM/TECH/DR/200010060007_142.HTML。通常介電常數（K值）越大，穩定性、可靠性和耐用性能越差。

　　常用的陶瓷介質的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入適量的稀土類氧化物等配制而成。其特點是介質系數較大、介質損耗低、溫度系數小、環境溫度適用范圍廣和高頻特性好，用在要求較高的場合（I類瓷介電容器）中。

　　另一類是低頻高介材料稱為強介鐵電陶瓷，常用作Ⅱ類瓷介電容器的介質，一般以BaTiO3為主體的鐵電陶瓷，其特點是介電系數特別高，達到數千，甚至上萬；但是介電系數隨溫度呈非線性變化，介電常數隨施加的外電場也有非線性關系。

　　目前最常用的多層陶瓷電容器介質有三個類型：COG或NPO是超穩定材料，K值為10～100；X7R是較穩定的材料，K值為2000～4000；Y5V或Z5U為一般用途的材料，K值為5000～25000。在我國的標準里則分為I類陶瓷（CC4和CC41）及Ⅱ類陶瓷（CT4和CT41）兩種。上述材料中，COG和NPO為超穩定材料，在-55℃～+125℃范圍內電容器的容量變化不超過±30ppm／℃。